三星、海力士擴大NAND Flash投資

　　由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產量。

　　據韓國電子新聞報導，三星和海力士2011年NAND Flash位元成長率(Bit Growth)各評估為80%以上及100%以上。三星和海力士2011年DRAM位元成長率各為60%以上及40%中段，因而相對增加快閃存儲器出貨量比重。

　　三星將會先在京畿道華城的存儲器芯片新工廠16產在線生產NAND Flash。該廠將于2011年下半首次投入量產。

　　三星若決定將16產線挪用為生產NAND Flash用途，三星將有華城12產線、器興14產線、美國奧斯汀廠等共4座NAND Flash廠。三星4月29日發(fā)布第1季財報時曾表示，有可能以存儲器芯片為中心，擴大2011年投資額。三星若增加對存儲器芯片投資，增加投資的金額可能大部分將運用在NAND Flash上。

　　海力士2011年投資額為3.4兆韓元，大部分將使用在位于忠清北道清州M11 NAND Flash廠。海力士4月28日法說會中表示，M11工廠2011年第1季末每月產量10萬片，NAND Flash產量較當初計劃的成長速度還快。

　　海力士原先計劃年底前將M11廠的產量提升至每月10萬片，海力士在第1季即已達到年度目標。海力士2011年下半將根據市場情況，將M11工廠最大產量提升至每月12萬片。

　　韓國業(yè)界表示，主要需求NAND Flash的智能型手機和平板計算機市場2011年大展鴻圖，以NAND Flash為基礎的計算機儲存裝置固態(tài)硬盤(SSD)市場也將于2011年展開，目前市場環(huán)境已逐漸成形，即使NAND Flash產量增加，市場也能吸收。