- NAND閃存的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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閃存 設計 映射 適應 NAND
- 按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導致與之相關連的全球前20大半導體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。
IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。
同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。
三星在本月初時，它將擴大今年半導體的投資達96億美元， 也即表示
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Hynix 存儲器 DRAM NAND
- 才剛對全球半導體產業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產業(yè)關心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產業(yè)，三星在此兩大產業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來南北韓關系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產品供應鏈造成巨大變化。
全球DRAM和NAND Flash生產大廠：三星
根據DIGITIMES
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三星電子 DRAM NAND
- 三星在DRAM及NAND中稱霸，年產值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。
南韓半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機等系統單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務。業(yè)界對此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單，未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單，高通訂單版圖移轉變化有待觀察
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三星 DRAM NAND
- 南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產能，引發(fā)各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內部會議表示，原先預期三星明年下半年啟動擴產，其進度比預期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術超越臺系廠商;對照先前65納米，生產成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應戰(zhàn)。
三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產能，由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續(xù)產業(yè)前景，有偏多的立場。
南亞科董事
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三星電子 DRAM NAND 50納米
- 據市場研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統計的第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入數字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場，僅給其它所有的公司留下了較少的市場份額。三星今年第一季度的市場份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場份額是33.8%。其它每一個廠商爭奪的市場份額只有27.7%。
按美元統計，今年第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此，你可以計算出供應商的實際銷售收入。iSuppli稱，這是一個好消息，因為歷史
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Numonyx NAND 閃存
- 繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對外銷售量產的25nm制程NAND閃存芯片，這種新制程的芯片產品容量將比34nm制程產品提升一倍。
這次采用25nm制程技術制作的NAND閃存芯片產品主要是8GB容量的芯片產品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時時長的視頻片段。
目前還不清楚首款配置這
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Intel 25nm NAND
- 據iSuppli市調公司2010年第一季度的NAND閃存市場調查報告顯示，三星與東芝公司兩家占據了NAND閃存市場的絕大部分份額，其中三星的營收 份額最高，達到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據了72.3%的NAND閃存市場營收份額。按美元計算，今年第一季度NAND 閃存的市場總值達到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場一 般都會比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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三星 NAND 閃存
- 英特爾今天開始出貨25納米NAND閃存，容量為8GB，新款芯片外型上比原有的34nm版本更小，但存儲能力卻增加了一倍，這種芯片主要面向智能手機和多媒體播放器。
同時英特爾還暗示600GB的固態(tài)硬盤產品將在今年年末出現，使用的應該也就是這款閃存芯片。
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英特爾 25納米 NAND
- 2010年第1季全球NAND Flash產業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據集邦統計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產業(yè)的產值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。
NAND Flash產業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據協議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。
完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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美光 DRAM NAND NOR
- Fudzilla消息，英特爾今年將有SSD方面的大計劃，預計在今年第四季度，公司將展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD產品。
這種SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技術，容量包括160、300和600GB，屬于第二代X25-M產品序列，包含1.8和2.5英寸版本。
其中1.8英寸版本最大容量300GB，將成為供應家庭娛樂和消費電子的主推產品。
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英特爾 SSD NAND
- 以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。
然而，海力士半導體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。
該公司補充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。
海力士半導體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
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海力士 NAND DRAM
- 英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。
2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術，由IM Flash專門為這2家公司生產NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應于2
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三星電子 NAND Flash
- 據外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。
20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產。
三星電子相關負責人表示，公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。
三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。
此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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三星電子 20納米 NAND
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