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三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。 　　三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
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三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度

  • 　　三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個合作計劃，旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機和消費電子產(chǎn)品。 　　三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話語權(quán)，這對他們的新規(guī)范計劃將非常有利。 　　三星上個月
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爾必達與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議

  • 　　日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。 　　據(jù)悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權(quán)，該項技術(shù)乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術(shù)為基礎(chǔ)。此外，爾必達計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進行客戶營銷。 　　路透(Reut
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三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)

  • 　　三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，被業(yè)界廣泛接受使用。 　　最初的SDR NAND閃存架構(gòu)接口速度僅為40Mbps，現(xiàn)行的DDR 1.0標(biāo)準(zhǔn)將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規(guī)范則進一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。 　　高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻，未來將
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三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

  • 　　閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應(yīng)用。 　　現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
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爾必達赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

  • 　　據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進一步合作。 　　據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計劃書，經(jīng)濟部正進行審查中。 　　官員透露，爾必達來臺設(shè)立研發(fā)中心的計劃相當(dāng)成熟，已進入實質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器
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亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場強力支撐

  • 　　全球半導(dǎo)體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導(dǎo)體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關(guān)注。 　　美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，金融危機爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達2
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SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？

  • 　　編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會關(guān)心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設(shè)備業(yè)看似今年的增長幅度達90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來，因為2010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。 　　SEMICON West美國半導(dǎo)體設(shè)備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點紅火。 　　按市場調(diào)研公司 VLSI預(yù)計，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長96%
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力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

  • 　　近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。 　　事實上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
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NAND閃存芯片價格三季度將上漲

  • 　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。 　　iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。 　　今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 　　廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
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因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價格三季度將上漲

  • 　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。 　　iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 　　廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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三星電子擬向其美國芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

  • 　　6月10日消息，據(jù)路透社報道，全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國三星電子周四表示，計劃投資36億美元，擴大其在美國的芯片生產(chǎn)能力。 　　三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國得克薩斯州的奧斯汀，此次產(chǎn)能擴增主要是針對生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。 　　奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機和數(shù)碼相機的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱，工廠擴產(chǎn)計劃還包括增聘500名員工。
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10個理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)

  • 　　至此，對于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的，而且是有相當(dāng)大的增長。 　　但是作為一個編輯者仍有些擔(dān)憂，以下是對于2010年有10個理由來看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。 　　1. IC熱，然后冷 　　Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導(dǎo)體銷售額達2900億美元， 與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測，2010年增長19.9%相比有明顯提高。 　　芯片銷售額的增長明顯超過系統(tǒng)產(chǎn)品銷售額的增
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存儲器市場高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次

  • 　　按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 　　IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。 　　同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。 　　三星在本月初時，它將擴大今年半導(dǎo)體的投資達96億美元， 也即表示
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金士頓創(chuàng)辦人稱：看好DRAM下半年銷售

  • 　　6月3日消息，據(jù)臺灣媒體報道，全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺表示，DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低，再加上智能手機等新的應(yīng)用產(chǎn)品，帶動DRAM需求，他認為下半年的DRAM市況應(yīng)該會好。 　　孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來越少，各大廠多進入制程轉(zhuǎn)換的階段，總產(chǎn)出量恐比實際預(yù)期要低。而在智能手機、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。 　　南韓三星電子大舉提高資本支出的計劃，讓臺系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認為，目前全球的
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