qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
蘋果刺激NAND Flash需求 各界引頸盼望
- 蘋果(Apple)新產(chǎn)品iPad正式亮相,內(nèi)建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD),可望為低迷許久的NAND Flash市場注入強(qiáng)心針!根據(jù)外資和市調(diào)機(jī)構(gòu)估計,2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺不等,占NAND Flash需求量上看4%,同時也為產(chǎn)業(yè)開創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域。惟近期NAND Flash報價波動相當(dāng)平靜,并未反映蘋果效應(yīng),下游廠指出,大陸在農(nóng)歷年前又開始嚴(yán)查走私,因此當(dāng)?shù)匦枨箐J減,預(yù)計年后才會發(fā)動補(bǔ)貨行情。 蘋果推出的平板計算機(jī)(Tablet PC)
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片,并相信足以領(lǐng)先其他競爭對手長達(dá)一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn),每12-15個月便升級一次:成立之初是72nm,2008年是50nm,去年則率先達(dá)到了34nm,在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個月左右,也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤,美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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DRAM跌價襲擊 模塊廠1月營收處變不驚
- 2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空,DRAM價格大跌,所幸NAND Flash價格比預(yù)期強(qiáng)勢,存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn),與2009年12月相較,呈現(xiàn)小漲或小跌的局面,整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響,而呈現(xiàn)下滑,但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為,DDR3目前仍是缺貨,往下修正的幅度有限,一方面DDR3利潤較高,另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來,但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單,創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本,但2010年1月立
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韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機(jī)性能
- 韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說法指出,1組韓國工程師已改良手機(jī)用芯片技術(shù),可大幅提升手機(jī)性能。 首爾大學(xué)表示,該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的NOR芯片,可克服過去的諸多缺點(diǎn)。負(fù)責(zé)人表示,盡管NOR芯片能快速回溯資料,但卻因?yàn)镹OR芯片的容量上限僅有1GB,且更較耗能,而被NAND芯片擊敗。相較之下,NAND Flash可儲存32GB的資料,占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機(jī)和USB存儲器等裝置上。 一般的NOR芯片通常并不特別,不過首爾大學(xué)工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)教授表示
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2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化
- NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季,仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn),2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平,高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲,低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手,但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限,因此2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。 近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象,1月下旬NAND Flash合約價持平開出,在高容量32Gb和64Gb
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海力士第4季獲利6,570億韓元 創(chuàng)3年新高
- 全球第2大計算機(jī)存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報,隨著全球個人計算機(jī)(PC)景氣回溫,海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。 2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元),較第3季大幅成長32%,海力士營收成長主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲器出貨量成長,同時,DRAM平均售價也上揚(yáng),此外,第4季海力士凈利為6,570億韓元,更較第3季大幅成長167%。 和2009年第3季相較,2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%,至于N
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內(nèi)存業(yè)醞釀地震:傳金士頓1億美元購買海力士
- 業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國海力士半導(dǎo)體公司以購買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應(yīng)商數(shù)量并且保證能通過預(yù)付款的方式獲得足夠多的芯片供應(yīng),而威剛所需要的內(nèi)存此前主要來自韓國供應(yīng)商. 內(nèi)存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴,因?yàn)槿请娮觾?yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨. 另外有消息稱,海力士
- 關(guān)鍵字: 金士頓 內(nèi)存 NAND
為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
- 存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲器廠退出,表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢達(dá)最先退出。奇夢達(dá)的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中,存儲器也是走在前列,如
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金士頓砸1億美元 綁樁海力士產(chǎn)能
- 2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠,紛積極募資搶錢,而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢,未來再以貨源抵債,近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援,未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還,形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米,全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座,并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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三星推出64GB moviNAND閃存芯片
- 三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片,單片封裝的最大容量可達(dá)64GB,封裝內(nèi)部堆疊了16塊超薄設(shè)計的4GB芯片,并集成了閃存控制器,而整個芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。 64GB moviNAND 另外,三星還計劃升級自己的microSDHC閃存卡產(chǎn)品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內(nèi)部由8片4GB芯片堆疊而成),比目前的最高容量提升了一倍。于此同時,閃存卡的最
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重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展
- 編者點(diǎn)評(莫大康 SEMI China顧問):國際上有許多市場分析公司與機(jī)構(gòu),如 Gartner,iSuppli,IC Insight,Semico,VLSI及SEMI,SIA,WSTS等。為什么它們的預(yù)測值不同,有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測都有三類,即樂觀、中等和悲觀。另外,由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同,所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌,即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗(yàn)值),如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS,SIA,Gartner,iSuppli,而設(shè)備材
- 關(guān)鍵字: IC NAND DRAM
東芝32nm制程N(yùn)AND閃存SSD硬盤將于二季度上市
- 日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重,其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司,目前東芝公司推出的SSD硬盤產(chǎn)品中采用了自己設(shè)計的 NAND閃存控制器,這種產(chǎn)品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度,東芝已經(jīng)開始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片,不過目前東芝所售出的SSD硬盤產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力,這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術(shù)帶來低成本實(shí)惠。 不過東芝近日宣布,他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產(chǎn)品,并將于本季度推出
- 關(guān)鍵字: 東芝 32nm NAND 閃存制造
一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫存
- 據(jù)iSuppli公司,經(jīng)過2009年對膨脹的庫存大幅削減 ,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計將在2010年第一季度維持低量庫存,以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。 半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫存天數(shù)(DOI)預(yù)計將在第一季度下降到68.3,比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%,第一季度的庫存預(yù)計比這一標(biāo)準(zhǔn)還低6.9%。而第一季度的庫存會維持在可滿足要求的平衡水平上,庫存將達(dá)到非常低的水平--甚至有幾種具體設(shè)備會接近短缺的邊緣。 圖示為iSuppli
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 NAND
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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