qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠(chǎng)商恢復(fù)大型設(shè)備投資

　　2010年在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界，各廠(chǎng)商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場(chǎng)上的份額競(jìng)爭(zhēng)再次變得激烈起來(lái)。 2008～2009年導(dǎo)致各廠(chǎng)商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢(shì)。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲(chǔ)器極限為目標(biāo)的新存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)也越來(lái)越活躍。　　
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將保持5%的成長(zhǎng)率

　　針對(duì)2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢(shì)，設(shè)備大廠(chǎng)應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠(chǎng)資本支出將大幅成長(zhǎng)，幅度將勝過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(zhǎng)幅度。　　
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預(yù)計(jì)明年NAND閃存銷(xiāo)售量漲價(jià)跌

　　集邦科技發(fā)布近日?qǐng)?bào)告稱(chēng)，明年全球閃存芯片銷(xiāo)售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價(jià)格將同比下降35%。　　集邦科技稱(chēng)，新款智能機(jī)、平板機(jī)的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購(gòu)將緩解明年一季度閃存市場(chǎng)受到的季節(jié)性銷(xiāo)售因素影響。到二季度時(shí)，閃存市場(chǎng)的供需就會(huì)更加平衡，價(jià)格下降幅度不會(huì)太大。　　
關(guān)鍵字： NAND 20nm

全球IC市場(chǎng)喜憂(yōu)參半

　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報(bào)告，該公司預(yù)測(cè)2010年度全球IC市場(chǎng)將成長(zhǎng)32%，2011年度將成長(zhǎng)8%;2010年度設(shè)備市場(chǎng)將成長(zhǎng)103%，2011年度將成長(zhǎng)10.6%。該公司認(rèn)為目前的全球IC市場(chǎng)呈現(xiàn)出一些正面與負(fù)面的跡象;　
關(guān)鍵字： IC NAND

NAND Flash存儲(chǔ)器管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲(chǔ)器管理算法映射物理地址

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)

　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，它在掉電條件下仍然能夠長(zhǎng)期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn)，近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
關(guān)鍵字：芯片設(shè)計(jì) 控制 flash SD NAND 用于

未來(lái)幾年NAND閃存將面臨過(guò)剩隱憂(yōu)

　　據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。　　預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%，部分利益于智能手機(jī)和蘋(píng)果iPad等消費(fèi)電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長(zhǎng)，2011年NAND閃存市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng)，盡管不及今年強(qiáng)勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)明年NAND閃存市場(chǎng)上升25%至225億美元。　　
關(guān)鍵字： NAND 智能手機(jī)

2011年全球DRAM經(jīng)營(yíng)慘淡

　　2010年對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說(shuō)是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長(zhǎng)率將高達(dá)30%，創(chuàng)下10年以來(lái)新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長(zhǎng)5%，移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽?。預(yù)估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機(jī)等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。　　
關(guān)鍵字： SAMSUNG DRAM NAND

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測(cè)試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 管理 Flash NAND

NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級(jí)和頁(yè)級(jí)兩級(jí)地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義，同時(shí)還提出了對(duì)flash的分區(qū)方法。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 算法管理 Flash NAND

DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

　　隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠(chǎng)營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠(chǎng)亦受到牽累，10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位，將庫(kù)存維持在約3~4周水平。　　
關(guān)鍵字： DRAM NAND

DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

　　隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠(chǎng)營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠(chǎng)亦受到牽累，10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位，將庫(kù)存維持在約3~4周水平。　　
關(guān)鍵字：三星 DRAM NAND

3C大廠(chǎng)合力推動(dòng)UFS實(shí)現(xiàn)NAND應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一

　　集邦科技旗下研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)等國(guó)際大廠(chǎng)，近期正在積極推動(dòng)新的 NAND Flash 應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn) UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。　
關(guān)鍵字：三星 NAND UFS

三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線(xiàn)將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

　　三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠(chǎng)，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠(chǎng)16產(chǎn)線(xiàn)，將于2011年下半開(kāi)始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。　　
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固態(tài)硬盤(pán)備受關(guān)注

　　DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報(bào)告指出，固態(tài)硬盤(pán)(SSD)一直以來(lái)為各家 NAND Flash 廠(chǎng)商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于 NAND Flash 的使用量來(lái)說(shuō)是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、U盤(pán)與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。　　
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤(pán) NAND