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三星2010年NAND Flash市占直逼40% 產(chǎn)業(yè)成長率達58%
- 2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計算機(Tablet PC)及智能型手機(Smartphone)稱霸應(yīng)用端,傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺,整體2010年NAND Flash市場營收成長達58.7%,為191.7億美元,其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王,美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix),但差距相當(dāng)少,雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。 2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風(fēng)光不再,取而代之的
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2011年NAND閃存銷售額將進一步增長
- 據(jù)iSuppli公司,作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介,NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄,增長38%。預(yù)計今年銷售額將達到220億美元,比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大,預(yù)計2011年增長72%,達到193億GB。 盡管增長勢頭強勁,但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化??紤]到目前市場中樂觀氣氛彌漫,而且供應(yīng)商可能過度投資擴大生產(chǎn),風(fēng)險可能在2011年底浮現(xiàn),屆時供應(yīng)可能超過需求。預(yù)計201
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英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然
- 英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職,更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然,目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代,而相關(guān)模塊廠對此表示,雙方合作關(guān)系不會受影響。
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Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)測
- 根據(jù)Gartner發(fā)布的報告,該公司下調(diào)對于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場的預(yù)測;原先該公司預(yù)期將成長4.9%,現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外,Gartner原先預(yù)估今年成長113%,現(xiàn)在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出,今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強勁的成長,不過2011年度的市場將比較疲軟,屆時設(shè)備采購主要的重點將在于產(chǎn)能的擴充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬,NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
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美光新加坡廠明年投產(chǎn)
- 美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進,已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座,在擴產(chǎn)速度上,美光在2011年也不會缺席,與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn),對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產(chǎn)計畫,美光表示不擔(dān)心供過于求,在產(chǎn)能增加的同時,平板計算機等應(yīng)用也大幅崛起,預(yù)計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險,全球大廠紛競逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器,計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入,首波會先洽談臺系存儲器廠,目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn),讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
- 關(guān)鍵字: NAND 9納米
東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達20%
- 華爾街日報(WSJ)報導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。 東芝表示,這次的跳電事件可能影響未來2個月的產(chǎn)能,減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn),總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1,出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 接下來幾個月,全球的快閃存儲器市場的供
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
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