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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴(kuò)大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距

作者: 時(shí)間:2015-04-30 來(lái)源:Digitimes 收藏

  在存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上,垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D Flash比重正迅速擴(kuò)大,全球企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)也將漸趨激烈。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/273364.htm

  據(jù)韓國(guó)MT News報(bào)導(dǎo),2016年前3D 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大10倍,而除目前獨(dú)占市場(chǎng)的電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)。獨(dú)大V-NAND市場(chǎng),為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu),增加到48層。

  外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術(shù)分類,V-NAND占比將從第2季2.9%,在年底提升到7.4%,2016年第4季時(shí)預(yù)估將增加到29.6%,在1年半的時(shí)間內(nèi)擴(kuò)大約10倍。

  V-NAND市場(chǎng)迅速成長(zhǎng),2017年將擠下目前占市場(chǎng)比重97%平面TLC或MLC NAND Flash,以41.2%成為主要產(chǎn)品。2019年V-NAND將以77.2%市占率掌握市場(chǎng)。因技術(shù)難度高,目前V-NAND雖然只應(yīng)用在伺服器用產(chǎn)品等高階市場(chǎng),但未來(lái)將會(huì)迅速往移動(dòng)裝置用市場(chǎng)擴(kuò)散。

  3D V-NAND比起平面NAND,處理速度快2倍、耐久性快10倍、生產(chǎn)效益高2倍、耗電量也減少一半。TLC更容易實(shí)現(xiàn)高容量化,且重量和體積都大幅縮減。目前和日系大廠東芝(Toshiba)都有生產(chǎn)TLC NAND,而V-NAND市場(chǎng)則由三星獨(dú)占。

  V-NAND市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大,半導(dǎo)體大廠也加速展開移動(dòng)。繼三星之后,NAND Flash市場(chǎng)二哥東芝計(jì)劃在2015年下半投入48層堆疊V NAND生產(chǎn)。美光(Micron)和英特爾(Intel)決定攜手共同研發(fā)3D NAND,三星日前則公開較128Gb TLC容量提高3倍的384Gb TLC技術(shù)。

  SK海力士(SK Hynix)計(jì)劃2015年第3季開始生產(chǎn)36層堆疊MLC V-NAND。2014年底SK海力士完成研發(fā)24層結(jié)構(gòu)V-NAND技術(shù),在2015年底將推出48層TLC V-NAND,正式加入V-NAND競(jìng)局。

  三星2013年8月成功生產(chǎn)24層結(jié)構(gòu)MLC V-NAND,領(lǐng)先全球開啟3D NAND市場(chǎng)后,2014年10月開始量產(chǎn)32層128Gb TLC V-NAND。三星為生產(chǎn)48層產(chǎn)品,已完成相當(dāng)?shù)臏?zhǔn)備作業(yè)。在最終檢驗(yàn)完成后,將較其他競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)提早6~7個(gè)月,投入48層TLC V-NAND量產(chǎn)。

  東芝等半導(dǎo)體大廠正展開追即,然三星暫時(shí)可維持技術(shù)差距。韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者表示,技術(shù)研發(fā)、樣品生產(chǎn)等與實(shí)際投入量產(chǎn)時(shí)差很大。在量產(chǎn)前一刻若發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,將使計(jì)劃推遲一段時(shí)間,因此要到其他半導(dǎo)體大廠投入生產(chǎn),才能看出其追擊能力。

  另一方面,正逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的固態(tài)硬碟(SSD),也將擴(kuò)大搭載3D V-NAND。報(bào)導(dǎo)稱,2015年V-NAND SSD占市場(chǎng)比重約2~3%,之后將持續(xù)擴(kuò)大,2017年17~19%、2018年31~35%、2019年45~55%等。

  三星2014年在SSD市場(chǎng)的占有率以34%位居第一,與市占率17%、排名第二名的英特爾差距達(dá)2倍。韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者表示,在V-NAND技術(shù)方面三星較為領(lǐng)先,在SSD市場(chǎng)上可能也將持續(xù)占有優(yōu)勢(shì)。

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