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NAND和NOR flash詳解

  •       NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 　　相“flash存儲器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
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各類器件增長強勁 出貨量增長率預(yù)測調(diào)高

  • 　　據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。 　　ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀錄。 　　ICInsights認為，
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報告稱：07年全球集成電路出貨量將增長10%

  • 　　10月21日消息，據(jù)外電報道，市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。 　　這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強勁增長，如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%，NAND閃存出貨量增長38%，接口集成電路出貨量增長60%，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%，汽車模擬集成電路出貨量增長32%。 　　ICInsights稱，如果2007年全球集成電路出貨量增長率達到10%或者更高，這將是連續(xù)第六年的兩位增長
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DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清

  • 　　現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 　　十月份合約市場相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認為，倘若預(yù)期十一
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NAND閃存價格反彈 帶動八月芯片銷售增長

  • 根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SIA報告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預(yù)測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。      SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長帶來全球半導(dǎo)體銷售連續(xù)健
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NAND閃存價格走好 東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤大漲

  • Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單。” 還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%，東芝曾經(jīng)預(yù)計2007年更進一步下滑50%，但是到目前為止，價格還高于預(yù)計之上?！?價格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲器擴展

  • 　　摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。     關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F 引 言 　　大容量數(shù)據(jù)存儲是單片機應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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NAND閃存合同價格自六月以來首次下跌

  • 九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。 　　根據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 　　據(jù)臺灣內(nèi)存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場價格疲弱。 　　雖然許多內(nèi)存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報價仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價格被起訴

  • 據(jù)國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。  　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司；  　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

  • 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存 公司市場份額猛增

  • iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。     iSuppli內(nèi)存/存儲系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現(xiàn)強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標準

  • 致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了   MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。  新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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三星調(diào)高閃存價格 帶動內(nèi)存價格上升

  • 　在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升。  　　業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。 　　在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊

  • 　NAND Flash供需出現(xiàn)進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導(dǎo)致市場產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚。  　　Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運轉(zhuǎn)，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄。現(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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NAND閃存迎來大發(fā)展 新芯片工藝是轉(zhuǎn)折點

  • 據(jù)閃存技術(shù)的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。 　　本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構(gòu)成了威脅。 　　他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現(xiàn)配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。 　　在未來的5-7年內(nèi)，NAND還將開始取代DRAM。由于技
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