rf-cmos 文章進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)

RF和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué)

　　在過(guò)去的幾十年中，混合信號(hào)集成電路(IC)設(shè)計(jì)一直是半導(dǎo)體行業(yè)最令人興奮、且在技術(shù)上最具挑戰(zhàn)的設(shè)計(jì)之一。在這期間，盡管半導(dǎo)體行業(yè)取得了不少的進(jìn)步，但是一個(gè)永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運(yùn)算的數(shù)字世界實(shí)現(xiàn)無(wú)縫對(duì)接，當(dāng)前無(wú)處不在的移動(dòng)環(huán)境和迅速崛起的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)“再創(chuàng)新”的要求尤為如此。　　當(dāng)今全球半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額約為3，200億美元，數(shù)字和存儲(chǔ)器IC約占這個(gè)市場(chǎng)的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進(jìn)的CMOS處理技術(shù)驅(qū)動(dòng)著這些IC
關(guān)鍵字： RF 混合信號(hào)

基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路

　　當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?，脈沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過(guò)
關(guān)鍵字： CMOS 模擬開關(guān)

NRAM已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場(chǎng)？

　　美國(guó)記憶體技術(shù)開發(fā)商N(yùn)antero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準(zhǔn)備“浮出水面”──因?yàn)樵摴菊J(rèn)為其獨(dú)家的非揮發(fā)性隨機(jī)存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經(jīng)準(zhǔn)備好取代企業(yè)應(yīng)用或消費(fèi)性應(yīng)用市場(chǎng)上的儲(chǔ)存級(jí)記憶體。　　Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長(zhǎng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國(guó)版編輯電話訪問(wèn)時(shí)表示，NRAM是以碳奈
關(guān)鍵字： NRAM，CMOS

CMOS電容式微麥克風(fēng)設(shè)計(jì)

　　隨著智能手機(jī)的興起，對(duì)于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來(lái)越受到大家的重視，近年來(lái)廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對(duì)CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。　　電容式微麥克風(fēng)原理　　
關(guān)鍵字： CMOS

基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路

　　當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?，脈沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過(guò)
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實(shí)現(xiàn)模擬/RF設(shè)計(jì)復(fù)用？ADI實(shí)驗(yàn)室電路開始大顯身手

　　在電子設(shè)計(jì)中，模擬/RF設(shè)計(jì)一直是最讓設(shè)計(jì)師頭疼的部分，傳統(tǒng)上，模擬射頻器件供應(yīng)商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設(shè)計(jì)，但是，要讓器件運(yùn)轉(zhuǎn)正常，設(shè)計(jì)師需要更多實(shí)際電路的評(píng)估和測(cè)試，這方面需要時(shí)間和經(jīng)驗(yàn)的積累，也是非常耗費(fèi)精力財(cái)力的，有沒(méi)有什么辦法讓設(shè)計(jì)師可以加快這方面的設(shè)計(jì)呢?或者能實(shí)現(xiàn)模擬射頻電路的復(fù)用?ADI的實(shí)驗(yàn)室電路給出了一些探索。　　“ADI的實(shí)驗(yàn)室電路不同于參考設(shè)計(jì)，是更接近實(shí)際應(yīng)用的電路?！盇DI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪時(shí)表示，
關(guān)鍵字： ADI RF

如何挑選一個(gè)高速ADC

　　高速ADC的性能特性對(duì)整個(gè)信號(hào)處理鏈路的設(shè)計(jì)影響巨大。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在考慮ADC對(duì)基帶影響的同時(shí)，還必須考慮對(duì)射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間，評(píng)價(jià)和選擇的責(zé)任常常落在系統(tǒng)設(shè)計(jì)師身上，而系統(tǒng)設(shè)計(jì)師并不都是ADC專家。　　還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設(shè)計(jì)樣機(jī)將要完成時(shí)才能知道所有系統(tǒng)級(jí)結(jié)果，而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。　　影響很多無(wú)線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號(hào)電平時(shí)的失真度。大多數(shù)無(wú)線傳輸?shù)竭_(dá)ADC的信號(hào)
關(guān)鍵字： ADC CMOS

10納米碳納米管CMOS器件面世

　　近日，在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢(shì)材料創(chuàng)新發(fā)展專項(xiàng)支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在世界上首次研制出10納米碳納米管互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團(tuán)隊(duì)還在世界上首次成功制備出含有100個(gè)晶體管的碳納米管集成電路。　　下一步，該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標(biāo)準(zhǔn)的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺(tái)，并基于該平臺(tái)開發(fā)碳納米管CPU，最終推動(dòng)碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
關(guān)鍵字：碳納米管 CMOS

分析：傳感器的危與機(jī)

人有五官，用來(lái)辨別和感受外界環(huán)境的變化，而傳感器是電子行業(yè)的五官，什么是傳感器？傳感器關(guān)鍵廠商專利布局重點(diǎn)有那些？技術(shù)要項(xiàng)又有那些？　
關(guān)鍵字：傳感器 CMOS

詳解TTL和CMOS電平

　　“TTL電平”最常用于有關(guān)電專業(yè)，如：電路、數(shù)字電路、微機(jī)原理與接口技術(shù)、單片機(jī)等課程中都有所涉及。在數(shù)字電路中只有兩種電平(高和低)高電平+5V、低電平0V.同樣運(yùn)用比較廣泛的還有CMOS電平、232電平、485電平等。　　TTL電路　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。　　1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol 　　Uoh≥2.4V，Uol&le
關(guān)鍵字： TTL CMOS

RF電路與天線的EMC研究

　　當(dāng)射頻電路一切都按預(yù)先設(shè)定的方案設(shè)計(jì)完成之后，其性能不一定就會(huì)完全達(dá)標(biāo)，其中會(huì)導(dǎo)致射頻性能不達(dá)標(biāo)的一個(gè)重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因?yàn)樯漕l范疇內(nèi)電路布局、布線不合理造成，亦可能是因?yàn)槠渌椒矫婷娴脑?。大多?shù)情況導(dǎo)致干擾出現(xiàn)都是當(dāng)和其它電路，如數(shù)字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。　　處理干擾問(wèn)題是做設(shè)計(jì)工作必須的、更是射頻設(shè)計(jì)、預(yù)研工作重點(diǎn)之一。在此簡(jiǎn)單談?wù)勎覀儗?duì)射頻方面電磁干擾的理解與認(rèn)識(shí)。　　電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無(wú)處不在，在射頻領(lǐng)域表現(xiàn)卻特別突出
關(guān)鍵字： RF EMC

AT89S52的機(jī)載電氣盒測(cè)試儀的設(shè)計(jì)

　　1 引言　　AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲(chǔ)器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，AT89S52擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 8k字節(jié)Flash，256字節(jié)RAM，32
關(guān)鍵字： AT89S52 CMOS

基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全

　　AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲(chǔ)器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱單片機(jī)。本文為您介紹基于AT89C51單片機(jī)技術(shù)詳解、設(shè)計(jì)技巧、應(yīng)用案例大全，僅供參考。　　基于AT89C51的操控鍵盤的設(shè)計(jì) 　　本文以PC機(jī)通用鍵盤為例，闡述研制小型一體化專用鍵盤的方法。采用小型一體化專用鍵盤不但可完成按鍵的功能，而且要求根據(jù)儀器外形進(jìn)行一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品
關(guān)鍵字： CMOS 微處理器

千兆采樣ADC確保直接RF變頻

　　隨著模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的設(shè)計(jì)與架構(gòu)繼續(xù)采用尺寸更小的過(guò)程節(jié)點(diǎn)，一種新的千兆赫ADC產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。能以千兆赫速率或更高速率進(jìn)行直接RF采樣且不產(chǎn)生交織偽像的ADC為通信系統(tǒng)、儀器儀表和雷達(dá)應(yīng)用的直接RF數(shù)字化帶來(lái)了全新的系統(tǒng)解決方案。　　最先進(jìn)的寬帶ADC技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)直接RF采樣。就在不久前，唯一可運(yùn)行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構(gòu)是分辨率為6位或8位的Flash轉(zhuǎn)換器。這些器件能耗極高，且通常無(wú)法提供超過(guò)7位的有效位數(shù)(ENOB)，這是由于Flash架構(gòu)的幾何尺寸與功耗限
關(guān)鍵字： ADC RF 轉(zhuǎn)換器 LVDS FPGA

為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)正確選擇無(wú)線網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)協(xié)議以實(shí)現(xiàn)新應(yīng)用

　　無(wú)線網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)得到了越來(lái)越廣泛的采用，因?yàn)檫@類網(wǎng)絡(luò)能夠利用功率相對(duì)低的無(wú)線電設(shè)備在節(jié)點(diǎn)之間轉(zhuǎn)發(fā)信息，并覆蓋很大的區(qū)域，還能夠使用替代的通路和途徑以克服干擾問(wèn)題，保持很高的可靠性。尤其是有一種稱為時(shí)間同步通道跳頻 (TSCH) 的網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，該技術(shù)由凌力爾特的 Dust Networks 率先提出，并已納入 WirelessHART 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。TSCH 經(jīng)過(guò)實(shí)用驗(yàn)證，可提供工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)所需性能。TSCH 網(wǎng)絡(luò)一般提供 >99.999% 的數(shù)據(jù)可靠性，而且所有無(wú)線節(jié)點(diǎn) (甚至路由節(jié)點(diǎn)) 的小型鋰電池之
關(guān)鍵字：無(wú)線網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò) WSN RF 物聯(lián)網(wǎng) TSCH