rsic-v 文章進(jìn)入rsic-v技術(shù)社區(qū)

基于OP97A的V/I轉(zhuǎn)換電路

OP97運(yùn)放輸出量程為±3.3V的電壓，需加一級(jí)V/I轉(zhuǎn)換電路。V/I轉(zhuǎn)換電路如圖所示。通過(guò)設(shè)置固定的5個(gè)碼值：FFFF,BFFF,8000,4000,0,用安捷倫高精度6位半萬(wàn)用表的Agilent34401,上電后經(jīng)過(guò)8個(gè)小時(shí)測(cè)試，其分辨率和精度均能達(dá)到15...
關(guān)鍵字： OP97A V I轉(zhuǎn)換電路

由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖

由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖
關(guān)鍵字： V-F F-V 變換器高精度停延表

基于Altera cyclone V SOC的JPEG編碼分析

H.264等視頻壓縮算法在視頻會(huì)議中是核心的視頻處理算法，它要求在規(guī)定的短時(shí)間內(nèi)，編解碼大量的視頻數(shù)據(jù)，目前主要都是在DSP上運(yùn)行。未來(lái)在添加4k*2k、H.265編解碼等功能，并要求控制一定成本的情況下，面臨DSP性能瓶
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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

航空氣象要素對(duì)飛行安全的影響越來(lái)越大，氣象探測(cè)設(shè)備的重要性也越來(lái)越高。成陽(yáng)國(guó)際機(jī)場(chǎng)配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場(chǎng)上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?；诒Ｕ巷L(fēng)廓線雷達(dá)正常運(yùn)行的目的，通過(guò)Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
關(guān)鍵字：故障轉(zhuǎn)移集群 Hyper-V 風(fēng)廓線雷達(dá) 平均故障修復(fù)時(shí)間

讓汽車看懂紅綠燈奧迪新技術(shù)展示

如果說(shuō)無(wú)人駕駛離消費(fèi)者還很遙遠(yuǎn)，那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對(duì)駕駛員來(lái)說(shuō)已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報(bào)道，奧迪將在其2017款的Q7和A4
關(guān)鍵字：奧迪 V-to-V V-to-I

三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

韓國(guó)三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包
關(guān)鍵字： 3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤

三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
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三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密

　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。　　　　圖1：三星T3 2TB S
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三星3D V-NAND 32層對(duì)48層僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

　　三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過(guò)引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

　　比利時(shí)奈米電子研究中心Imec的研究人員透過(guò)將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動(dòng)至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過(guò)使用通道中的III-V材
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電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號(hào)，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。　　　　由圖1可見(jiàn)，電路中的主要元件為一運(yùn)算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負(fù)載電阻。其中運(yùn)算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號(hào)與反相端電壓V-進(jìn)行比較，經(jīng)運(yùn)算放大器放大后再經(jīng)三極管放
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏家。　　據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開(kāi)始愈來(lái)愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴(kuò)大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

　　在存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴(kuò)大，全球企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)也將漸趨激烈。　　據(jù)韓國(guó)MT News報(bào)導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大10倍，而除目前獨(dú)占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨(dú)大V-NAND市場(chǎng)，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。　　外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
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三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

　　全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。　　三星電子存儲(chǔ)芯片營(yíng)銷部門負(fù)責(zé)人韓宰洙高級(jí)副總裁表示：“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會(huì)加快數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強(qiáng)三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)的發(fā)展?！? 　　3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護(hù)特性

　　可編程電源是電氣實(shí)驗(yàn)室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器，用以獲得測(cè)試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個(gè)開(kāi)啟/關(guān)閉開(kāi)關(guān)及兩個(gè)用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來(lái)，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會(huì)是首選方法，因?yàn)槠淇蓡为?dú)且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測(cè)量?jī)x器或被測(cè)部件性能。　　對(duì)低成本應(yīng)用中的大多數(shù)電源而言保護(hù)功能不是必須考慮的因素，但是在一些測(cè)試應(yīng)用中，會(huì)要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會(huì)很容易損壞設(shè)備，這就為使用者提出了新的要求。　　AMET
關(guān)鍵字：可編程電源 AMETEK V-span

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rsic-v介紹

RISC-V(讀作“RISC-FIVE”)是基于精簡(jiǎn)指令集計(jì)算(RISC)原理建立的開(kāi)放指令集架構(gòu)(ISA)，V表示為第五代RISC(精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)),表示此前已經(jīng)四代RISC處理器原型芯片。每一代RISC處理器都是在同一人帶領(lǐng)下完成，那就是加州大學(xué)伯克利分校的David A. Patterson教授。與大多數(shù)ISA相反，RISC-V ISA可以免費(fèi)地用于所有希望的設(shè)備中，允許任何人設(shè)計(jì)、制造和 [ 查看詳細(xì) ]