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中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示,隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快,以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局,但長遠(yuǎn)來看,NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲存
- 關(guān)鍵字: NAND Flash SSD
中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示,隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快,以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局,但長遠(yuǎn)來看,NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲存
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基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計
- 筆者在設(shè)計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時,需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。 圖1存儲部分原理框圖 在設(shè)計中,片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序,剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
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研調(diào):NAND Flash需求漸加溫,估Q3擺脫供過于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示,受到新款智慧型手機(jī)上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預(yù)估在第三季將擺脫供過于求,轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 從供給面觀察,雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程,但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題,DRAMeXchange預(yù)估,2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設(shè)計
- 1 VxWorks系統(tǒng)的啟動流程 嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動包括兩個階段,一是BootRom引導(dǎo),二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動。BootRom映像也叫做啟動映像,它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS,是真正在目標(biāo)板上運(yùn)行的操作系統(tǒng)。它啟動后會重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng),這樣操作系統(tǒng)才可以在目標(biāo)板上正常運(yùn)行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。 VxWorks內(nèi)核有多種啟動流程。本文基于的聲吶原型機(jī)采
- 關(guān)鍵字: VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD
NAND flash市占,三星美光增、東芝獨(dú)垂淚!
- 2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐,IHS報告稱,前四大業(yè)者中,三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長,唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因?yàn)楫a(chǎn)品出包遭蘋果召回,市占和業(yè)績雙雙下滑。 BusinessKorea報導(dǎo),IHS 13日報告稱,三星電子穩(wěn)居NAND flash老大,去年銷售年增4%至90.84億美元,市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%,銷售也大減將近3億美元。
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儲存市場新廠突圍 傳統(tǒng)大廠嚴(yán)陣以待
- 儲存裝置市場正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲存市場,目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場。調(diào)查也發(fā)現(xiàn),消費(fèi)者預(yù)期未來將擴(kuò)大使用Flash存儲器與固態(tài)硬碟(SSD),因此,傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢。 據(jù)TechRadar報導(dǎo),全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品,因此,其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。 據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn),截至2014年第2季為止,由四大廠供應(yīng)的高
- 關(guān)鍵字: IBM SSD Flash
東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星
- 三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)品,但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢恐維持不了多久,因?yàn)槿荖AND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報導(dǎo),三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層,但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層,且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
- 關(guān)鍵字: 東芝 3D Flash
大陸手機(jī)市場驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升
- 中國大陸智能型手機(jī)的高成長,使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競爭還是手機(jī)整機(jī)的競爭上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND Flash
半導(dǎo)體市場今年迎向高規(guī)格之爭
- 2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭蓄勢待發(fā);行動應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加,被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長新動能。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報導(dǎo),智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展,讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元,可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 NAND Flash LPDDR4
淡季影響銷售,NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示,第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn),但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下,品牌供應(yīng)商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示,因需求端面臨淡季效應(yīng),2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求,在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下,業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn),改善成本架構(gòu),以減低價格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 三星 東芝
國際大廠找Mobile RAM貨源 敲開與臺廠合作大門
- 存儲器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊,繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟,新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴,考慮與南亞科簽定長約或包下產(chǎn)能,顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源,并敲開與臺廠合作大門。 半導(dǎo)體業(yè)者透露,在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下,智能型手機(jī)內(nèi)建存儲器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP,原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片,2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash Mobile RAM
NAND Flash價格續(xù)滑 難擺脫供給過剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加,造成價格連續(xù)兩個月下滑,業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重,后續(xù)MLC產(chǎn)品價格下滑情況恐將更明顯。 根據(jù)韓媒DigitalTimes報導(dǎo),由于USB、硬碟與記憶卡市場進(jìn)入淡季,加上庫存堆積,導(dǎo)致NAND Flash價格走滑,市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 三星
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