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ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積!
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來,為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會,對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
- 關鍵字: ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
深挖 GaN 潛力,中國企業(yè)別掉隊
- 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導體材料,其禁帶寬度達到 3.4eV,是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度,氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率,以及更優(yōu)的抗輻照能力,這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備,下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要,襯底也占據(jù)了大部分成本,因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主,4 英寸已實現(xiàn)商用,6 英寸
- 關鍵字: GaN-on-Si 氮化鎵
回顧全球平板顯示行業(yè)的2015:新格局 新常態(tài)
- 2015年,對于顯示面板產(chǎn)業(yè)而言,注定是不平凡的一年。全球來看,產(chǎn)業(yè)進入深度調(diào)整和高速發(fā)展期,轉型升級步伐不斷加快,產(chǎn)品競爭日益激烈;國內(nèi)來看,產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模持續(xù)擴大,核心競爭力逐步增強,液晶面板產(chǎn)能過剩卻隱憂暗藏??傊?015年顯示面板產(chǎn)業(yè)既有技術提升和創(chuàng)新帶來的變革,也有市況與價格戰(zhàn)帶來的重重考驗;既有順應市場需求而快速崛起的新勢力,也有停滯不前而瀕臨淘汰的落后者。在新年伊始,我們對行業(yè)進行梳理和總結,通過七個關鍵詞來回顧全球顯示面板產(chǎn)業(yè)不平凡的2015年, 同時提煉產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢,以窺2016。
- 關鍵字: 平板 a-Si
世強啟動Silicon Labs 2014創(chuàng)新技術巡回研討會
- 由中國最大本土分銷企業(yè)世強攜手業(yè)界領先的高性能混合信號IC供應商Silicon?Labs舉辦的創(chuàng)新技術巡回研討會將于近期全面啟動。本次研討會主要針對在職研發(fā)工程師,Silicon?Labs的資深技術專家將親臨現(xiàn)場,帶來處于創(chuàng)新最前沿的設計技術?! ”敬螘h主題涉及: 1、應用全球最節(jié)能的ARM?Cortex?MCU實現(xiàn)超低功耗設計(最低待機功耗900nA) 2、100MIPS?的8位MCU創(chuàng)新設計與應用 3、使用任意頻點可編程時鐘縮短產(chǎn)品上市時間
- 關鍵字: 世強 SI ARM MCU GPS
NEC斥資1億美元收購萬向集團蓄電系統(tǒng)業(yè)務
- 3月24日,IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購中國萬向集團旗下A123Systems公司的蓄電系統(tǒng)集成部門(A123?Energy?Solutions),此次世界頂級蓄電SI和ICT的強強聯(lián)合,目標瞄準的是全球能源市場。憑借此舉,NEC將成為世界領先的蓄電系統(tǒng)供應商,并有助于其實現(xiàn)全球智慧能源戰(zhàn)略?! ?jù)悉,NEC集團將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司,通過整合A123的蓄電系統(tǒng)集成和NEC公司世界領先的信息通信技術?(ICT),以及
- 關鍵字: NEC 萬向 A123Systems SI ICT
Vishay推出針對新能源應用的增強型卡扣式功率鋁電容器
- 2013 年 12 月19 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將其159 PUL-SI系列卡扣式功率鋁電容器在+105℃下的額定電壓提升至500V。這些增強型器件是針對太陽能光伏逆變器、工業(yè)電機控制和電源而設計的,具有長使用壽命和高紋波電流,在100Hz下的紋波電流達2.80A,工作溫度為+105℃,最大ESR低至150mΩ。
- 關鍵字: Vishay 電容器 159 PUL-SI
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