智能集成電機驅動器和無刷直流(BLDC)電機可以幫助電動汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?！ D1所示為集成電機驅動器結合驅動電機所需的一切要素，如場效應晶體管(FET)、柵極驅動器和狀態(tài)機。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機的布線距離過長，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點?！ LDC電機在汽車應用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗以及更好的EMI性能?！ D1：智能集成BLDC電機驅動器 集成智能系列博
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BLDC FET
使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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FET 雙極性晶體管 緩沖電路 寬帶
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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半導體 SiC
如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時，你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行；從輸出到輸入。幸運的是，有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠對現(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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FET TPS22963 德州儀器 反向電流
揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設備具有更高的移動性并且比以前更綠色，電池技術進步推動了這一進展，并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動汽車。隨著技術的最新進展，你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
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電池管理系統(tǒng) FET FET驅動器
摘要 本文評測了主開關采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大。 前言 市場對開關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。 寬帶隙半導體器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
近年來，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎設施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設備領域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開關損耗，可實現(xiàn)設備中冷卻機構的小型化。同時，通過更高頻率的開關動作，還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時實現(xiàn)設備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽車
在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
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SiC Cree
SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
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SiC 集成技術 生物電信號 采集方案
人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
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EEG SiC 生物電信號采集 IMEC
GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構成CR的連接方式。此時，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關系，就需要偏置電路來提供柵極電壓?！ ∨c晶體管放大電路的接地方式相同，結型FET放大電路也有多種接地方式?！ ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路 n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。 FET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
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FET 放大電路
sic fet介紹
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