首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic-sbd

SiC寬帶功率放大器模塊設計分析

  • 引言　　隨著現(xiàn)代技術的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現(xiàn)代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
  • 關鍵字： 設計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設計

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： SiC  寬帶功率放大器  模塊設計  放大電路  

利用SiC大幅實現(xiàn)小型化 安川電機試制新型EV行駛系統(tǒng)

  • 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車（EV）行駛系統(tǒng)（圖1）。該系統(tǒng)由行駛馬達及馬達的驅動部構成。通過...
  • 關鍵字： 安川電機  EV行駛系統(tǒng)  SiC  

市調公司Semico調整ASIC市場

  • 　　在由Xilinx主辦的會議上市調公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展?！　?/li>
  • 關鍵字： Xilinx  Semico  SIC  

英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。 　　獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
  • 關鍵字： 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

即將普及的碳化硅器件

  • 　　隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 　　據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 　　在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關鍵字： 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關鍵字： MMIC  SiC  GaN  襯底    

SiC二極管逆變器投入應用，讓燃料電池車更輕

  • 　　日產汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上，并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC，今后有望實現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。 　　SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數(shù)左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導通電阻小，因此可
  • 關鍵字： 二極管  SiC  汽車  逆變器  日產  

探討基于SiC集成技術的生物電信號采集方案

  • 　　人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術，它的開發(fā)重點是進一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術、無線通信技術和能量提取技術整合起來，在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。 　　
  • 關鍵字： SiC  EEG  生物電信號采集  IMEC  

車載SiC功率半導體前景光明 逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化

  • 　　豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中，談到了對應用于車載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體，將有助于逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化。 　　在汽車領域的應用是許多SiC半導體廠商瞄準的目標，但多數(shù)看法認為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產業(yè)設備以及民用設備上配備，在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計劃采用SiC半導體的日期，但表示“到本世紀10年代前
  • 關鍵字： 汽車電子  豐田  SiC  半導體  汽車電子  

京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產技術

  •    京都大學、東京電子、羅姆等宣布，使用“量產型SiC（碳化硅）外延膜生長試制裝置”，確立對SiC晶圓進行大批量統(tǒng)一處理的技術已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導熱系數(shù)等特征的功率半導體朝著實用化邁出了一大步。目前，三家已經(jīng)開始使用該裝置進行功率半導體的試制，面向混合動力車的馬達控制用半導體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途，“各廠商供應工程樣品，并獲得了好評”。      此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產技術。
  • 關鍵字： 消費電子  京大  SiC  外延膜  消費電子  
共431條 29/29 |‹ « 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29

sic-sbd介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic-sbd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-sbd的理解，并與今后在此搜索sic-sbd的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473