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SiC功率半導(dǎo)體市場將開始高速發(fā)展

  • 　　SiC功率半導(dǎo)體正進(jìn)入多個應(yīng)用領(lǐng)域 　　當(dāng)首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導(dǎo)體市場是真實(shí)存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導(dǎo)體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場規(guī)模預(yù)計將超過5.5億美元，這期間的復(fù)合年均增長率預(yù)計將達(dá)19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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SiC使通訊電源PFC設(shè)計更高效、更簡單

  • 　　通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機(jī)房里，如圖1所示?！　?nbsp;   　　圖1：通訊電源機(jī)房　　目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下：　　? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz　　? 輸出功率：2kw　　? 
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英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴(kuò)大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容

  • 　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。　　全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
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SiC使通訊電源PFC設(shè)計更高效、更簡單

  • 　　通訊電源是服務(wù)器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，是通信網(wǎng)絡(luò)上一個完整而又不可 替代的關(guān)鍵部件。 　　通信電源產(chǎn)品種類繁多，一般集中放在機(jī)房里，如圖1所示。 　　   　　圖1：通訊電源機(jī)房 　　目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下： 　　• 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz 　　• 輸出功率：2kw 　　• 輸出：最大電壓1
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SiC耐壓更高，適合工控和EV

  • 　　SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線機(jī)器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運(yùn)車等特種車。 　　相比IGBT，SiC有一些特點(diǎn)，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應(yīng)適應(yīng)高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現(xiàn)出耐高壓的特點(diǎn)。 　　現(xiàn)在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯(lián)在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯(lián)，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧
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IEGT與SiC降低損耗

  • 　　東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機(jī)車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高?！　|芝是全球第一個商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導(dǎo)入了“門級注入增強(qiáng)”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊了東芝大功率IGBT的專用商標(biāo)---“IEGT”?！　|芝電子(中國)公司副董事長野村尚司　　目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
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SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命

  • 　　大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)的項目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂，這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。 　　此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實(shí)施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點(diǎn)，包
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電源的六大酷領(lǐng)域及動向

  • 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領(lǐng)域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場動向及新產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： SiC  IGBT  汽車  電池  USB Type-C  無線充電  能量收集  數(shù)據(jù)中心  201604  

ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀眾駐足

  • 　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強(qiáng)勢多元化的產(chǎn)品、多種熱門應(yīng)用解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流。　　  
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“助攻”電源設(shè)計：900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低！

  • 　　全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應(yīng)晶體管技術(shù)，該n溝道增強(qiáng)型功率器件還對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，并大幅降低了系統(tǒng)成本。C3M0065090J突破了電力設(shè)備技術(shù)，是開關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應(yīng)用等的電源管理解決方案。 　　世強(qiáng)代理的該900V SiC具有更寬的終端系統(tǒng)功率范圍，
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預(yù)計未來功率半導(dǎo)體市場將三分天下。 　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機(jī)房設(shè)備而言
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ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會電子展

  • 　　2016年11月16日-21日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。ROHM所帶來的高新領(lǐng)先技術(shù)、強(qiáng)勢多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評?！　OHM模擬電源“領(lǐng)銜”業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)　　近年來，全世
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試看新能源汽車的“加油站”如何撬動千億級市場？

  • 　　2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)規(guī)劃》。該草案的完成對于汽車充電設(shè)施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內(nèi)充換電站數(shù)量要達(dá)到1.2萬個，充電樁達(dá)到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內(nèi)的充電行業(yè)產(chǎn)生。 　　充電樁通常被譽(yù)為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)

  • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強(qiáng)代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。 　　SiC與Si性能對比 　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強(qiáng)度高(10倍于S
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氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

  • 　　當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應(yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 　　   　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 　　由碳化硅電力設(shè)備市場驅(qū)動，n型碳化硅基
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