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EEPW首頁 >> 主題列表 >> spi nor flash

Flash硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)

  • 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機(jī)與閃速存儲器接口和程序設(shè)計中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
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AVR單片機(jī)SPI通訊實例程序

  • 本人的一個SPI的實例，通過SPI實現(xiàn)兩機(jī)通訊， 采用中斷方式實現(xiàn)雙全工通訊。
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大容量NOR Flash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計

  • Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機(jī)讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
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F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應(yīng)用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內(nèi)的特 性，結(jié)合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導(dǎo)的方法。
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Flash數(shù)據(jù)丟失，說好的數(shù)據(jù)去哪了？

  • 芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
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麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

  • 　　據(jù)外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。 　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。 　　整體來說，Daniel Kim認(rèn)為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。 　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
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一文讀懂SPI串行外設(shè)接口

  • 　　SPI總線系統(tǒng)是一種同步串行外設(shè)接口，它可以使MCU與各種外圍設(shè)備以串行方式進(jìn)行通信以交換信息。正是由于有了通信方式，我們才能夠通過芯片控制各種各樣的外圍器件，實現(xiàn)很多“不可思議”的現(xiàn)代科技。這里將以SPI為題，從編程角度來介紹SPI總線?！　?、SPI協(xié)議簡介　　  　　圖 1 SPI接口　　SPI 是英語 Serial Peripheral interface 的縮寫，顧名思義就是串行外圍設(shè)備接口。是 Mo
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SAM4E單片機(jī)之旅——15、觸屏輸入與SPI通信

  • 　　開發(fā)板上配了一個電阻觸摸屏，它的控制器是ADS7843，使用SPI進(jìn)行通信。這次實現(xiàn)的功能是通過SPI接口與該控制器交互，獲取觸摸屏點擊的坐標(biāo)，并顯示在LCD上。略為難點的是SPI作為同步時鐘的一種，需要判斷時鐘的極性以及相位?！　榱送怀鲋黝}，就沒有對電阻屏進(jìn)行校準(zhǔn)，顯示的是控制器原始的輸出值?！　∫?、 電路圖　　    　　PA12、PA13和PA14引腳的外設(shè)A為SPI相關(guān)引腳，PA11為SPI的NPCS0。即，該控制器連接在SPI的片選設(shè)備0?！　《?/li>
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盤點+分析：Flash原廠2016年財報

  • 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發(fā)成本增加，切換過程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失，同時還需要更新舊設(shè)備，增加新設(shè)備，以及擴(kuò)大生產(chǎn)空間，從而導(dǎo)致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少，以及投資成本增加。
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I2C串行總線組成及其工作原理

  • 　　采用串行總線技術(shù)可以使系統(tǒng)的硬件設(shè)計大大簡化，系統(tǒng)的體積減小，可靠性提高，同時系統(tǒng)更容易更改和擴(kuò)充　　常用的串行擴(kuò)展總線有：I2c總線，單總線，SPI總線，以及microwire、Plus等等　　I2c總線只有兩根雙向信號線，一根是數(shù)據(jù)線SDA，另一根是時鐘線SCL　　    　　I2c總線通過上拉電阻接正電源。因此I2C總線的設(shè)備都要接上拉電阻　　當(dāng)總線閑置的時候，兩根線均為高電平，連接到總線上的任何一個器件輸出的低電平，都將使得總線得到信號變低，及各個器件的SDA和
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大陸韓國擴(kuò)產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩

  • 　　儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長江存儲武漢廠，也預(yù)定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。 　　目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。 　　稍早三星和美光也都
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Linux SPI總線和設(shè)備驅(qū)動架構(gòu)之一：系統(tǒng)概述

  • 　　SPI是"Serial Peripheral Interface" 的縮寫，是一種四線制的同步串行通信接口，用來連接微控制器、傳感器、存儲設(shè)備，SPI設(shè)備分為主設(shè)備和從設(shè)備兩種，用于通信和控制的四根線分別是：　　CS 片選信號　　SCK 時鐘信號　　MISO 主設(shè)備的數(shù)據(jù)輸入、從設(shè)備的數(shù)據(jù)輸出腳　　MOSI 主設(shè)備的數(shù)據(jù)輸出、從設(shè)備的數(shù)據(jù)輸入腳　　因為在大多數(shù)情況下，CPU或SOC一側(cè)通常都是工作在主設(shè)備模式，所
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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  • 　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。   　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 　　SK海力士曾在20
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Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

  • 　　芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！　?nbsp;   　　1、用戶代碼對Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯誤改寫　　例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設(shè)置多個允許操作的變量，當(dāng)執(zhí)行寫入或擦除操作時，對
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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
  • 關(guān)鍵字： NAND Flash  英特爾  
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spi nor flash介紹

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