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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ultra c sic

IEGT與SiC降低損耗

  •   東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領(lǐng)域,這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高?! |芝是全球第一個商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家,率先導(dǎo)入了“門級注入增強”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗,用該技術(shù)注冊了東芝大功率IGBT的專用商標---“IEGT”?! |芝電子(中國)公司副董事長野村尚司  目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
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USB Type-C 4K視頻解決方案

  •   Type-C最重要的兩大功能是大電流充電和正反插。從以后的潮流來講,高帶寬、高速的傳輸和多種視頻模式是非常重要的。Type-C非常適合虛擬和影像傳輸,因為它用一根線可以做到傳輸資料、充電和視頻。而且Type-C的定義有所謂的VDM,可以讓業(yè)者自己做一些特殊的協(xié)商,做識別和驗證上的應(yīng)用,把安全性加強。  萊迪思的方案很多是影像傳輸。在影像傳輸上,他們的器件可以做高速切換的支持,可以支持DisplayPort也可以支持MHL。最新發(fā)布的是和聯(lián)發(fā)科做MHL視訊輸出。MHL只需要一個通道就可以傳輸高畫質(zhì)的內(nèi)容
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SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象,有望改善產(chǎn)品壽命

  •   大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布,在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的項目下,發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn),在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下,用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂,這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。   此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法,該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏,以250℃低溫在空氣環(huán)境實施30分鐘接合工藝,獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點,包
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電源的六大酷領(lǐng)域及動向

  • 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊,以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此,本文選取了六大熱門領(lǐng)域:電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源,邀請部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場動向及新產(chǎn)品。
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ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀眾駐足

  •   全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多,并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、多種熱門應(yīng)用解決方案,吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流。    
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賽普拉斯全新EZ-PD CCG3控制器簡化USB Type-C主機、配件以及電源適配器設(shè)計

  •   市場領(lǐng)先的USB創(chuàng)新者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NASDAQ:CY)今日宣布推出一款全新USB Type-C控制器,具備電力傳輸(PD)功能,從而簡化了dongle、電源適配器和充電寶等USB Type-C附件的設(shè)計。全新EZ-PD? CCG3控制器提供無與倫比的高集成度,利用單芯片解決方案取代了多個分立的元件,從而最大限度地降低了物料成本,簡化了系統(tǒng)設(shè)計。  全新EZ-PD CCG3控制器支持3.3-V 至20-V的直流電壓運行,集成了獨立20-V&nbs
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硅谷數(shù)模和松果電子就USB-C技術(shù)展開合作

  •   硅谷數(shù)模半導(dǎo)體公司和北京松果電子有限公司(Beijing Pinecone Electronics Co. Ltd.)今日宣布其硅谷數(shù)模USB-C™技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)(IP)的許可協(xié)議。   北京松果電子有限公司副總裁Yuanbo Ye表示:“與硅谷數(shù)模合作讓我們能夠開發(fā)滿足公司高性能目標的創(chuàng)新產(chǎn)品。”   硅谷數(shù)模技術(shù)授權(quán)副總裁Michael Ching說:“我們非常高興能夠與手機加工領(lǐng)域新興領(lǐng)導(dǎo)者松果電子合作。我們的IP核讓平臺集成商能夠降低其設(shè)計占用
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USB-Type C發(fā)展趨勢及全產(chǎn)品鏈方案與服務(wù)

  •   第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會  時間:2016.01.19?下午  地點:北京中關(guān)村創(chuàng)業(yè)大街?IC咖啡  演講主題:?USB-Type?C發(fā)展趨勢及全產(chǎn)品鏈方案與服務(wù)  演講嘉賓:?梁倩?-?硅谷數(shù)模半導(dǎo)體(中國)有限公司?市場總監(jiān)  主持人:歡迎大家回來,剛剛在CES上面特別開設(shè)USB-Type-C展位的硅谷數(shù)模,今天也趕來參加我們的論壇,和我們聊聊最新的USB-Type-C的方案
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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布USB Type-C和電力傳輸接口,專注于架構(gòu)靈活性和高集成度保護功能

  •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一款新的USB Type-C和電力傳輸接口芯片解決方案。目前,電腦、手機、平板電腦、電視機、機頂盒、游戲機、各種消費電子產(chǎn)品、工控設(shè)備以及物聯(lián)網(wǎng)裝置在辦公室和家庭里隨處可見,然而不同類型的充電器、電源線、數(shù)據(jù)線相互纏繞,往往使得辦公室和居室顯得很凌亂,而意法半導(dǎo)體的接口芯片則有助于解決這一困擾。  USB Type-C接口和新電力傳輸標準(Power Deliver
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萊迪思靈活的充電控制器支持高通快速充電技術(shù)

  •   萊迪思半導(dǎo)體公司,客制化智能互連解決方案市場的領(lǐng)先供應(yīng)商,今日宣布萊迪思靈活的充電控制器——LIF-UC?產(chǎn)品系列,支持Qualcomm? Quick Charge?標準。高通公司旗下子公司高通技術(shù)有限公司(Qualcomm Technologies, Inc.,以下簡稱“高通技術(shù)”)推出了Quick Charge 2.0和3.0技術(shù)。隨著越來越多性能強大的設(shè)備進入市場,更快的充電功能變得愈發(fā)關(guān)鍵。為了支持這一領(lǐng)域的發(fā)展,高通技術(shù)推出了電源管
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貝爾金USB-C配件系列于國際消費電子展CES上再添新丁

  •   貝爾金公司(Belkin?)在國際消費電子展CES上宣布擴展其USB-C產(chǎn)品系列。貝爾金USB-C解決方案能夠支持當前市場上已有的和即將推出的USB-C筆記本電腦、智能手機和平板電腦,方便用戶以最快的速度對設(shè)備進行充電、文件傳輸和數(shù)據(jù)同步等操作。本次發(fā)布的解決方案將于2016年春季上市,其中包括:4接口微型集線器、USB-C轉(zhuǎn)HDMI適配器、USB-C轉(zhuǎn)USB-A家用充電器、USB-C轉(zhuǎn)USB-A車載充電器以及MIXIT↑? USB-C線纜。這些全新的貝爾金USB-C配件都會于1月6-10日
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賽普拉斯推出業(yè)內(nèi)首款面向PC的雙端口USB-C供電控制器

  •   引領(lǐng)市場的USB創(chuàng)新者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達克股票交易代碼:CY)今日推出全球首款雙端口USB Type C供電(PD)控制器。借助雙USB Type C端口,全新EZ-PD™ CCG4控制器可為臺式機、筆記本電腦和其它系統(tǒng)提供了高度可靠的集成解決方案。該控制器搭載128KB閃存,可用于存儲雙固件映像,從而實現(xiàn)無故障安全引導(dǎo),提高系統(tǒng)的可靠性。此外,它還支持現(xiàn)場固件更新。   EZ-PD CCG4控制器集成ARM® Cortex®-M0處理器、128KB閃存、兩個用于
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“助攻”電源設(shè)計:900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低!

  •   全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET:C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應(yīng)晶體管技術(shù),該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應(yīng)用進行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案,能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng),并大幅降低了系統(tǒng)成本。C3M0065090J突破了電力設(shè)備技術(shù),是開關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器,以及其他工業(yè)高電壓應(yīng)用等的電源管理解決方案。   世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統(tǒng)功率范圍,
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萊迪思推出用于可穿戴設(shè)備開發(fā)的ICE40 ULTRA平臺

  •   萊迪思半導(dǎo)體公司推出一款用于低功耗消費類可穿戴設(shè)備設(shè)計的開發(fā)平臺。該平臺基于iCE40 Ultra? FPGA,具備大量傳感器和外圍設(shè)備,是用于各類可穿戴設(shè)備設(shè)計的理想平臺?! CE40 Ultra FPGA相比其他可選的微控制器封裝尺寸減少60%。不僅如此,iCE40 Ultra FPGA還支持低功耗待機模式,適用于“永遠在線”功能,對于充一次電就要工作好幾天的可穿戴設(shè)備來說是最為理想的選擇?! CE40 Ultra可穿戴設(shè)備開發(fā)平臺包含的硬件功能和傳感器包括1個1.54英寸顯示屏、MEMS麥克
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