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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ultra c sic

USB 3.1 讓USB Type-C成為現(xiàn)實

  • 　　USB Type-C提供了很多特性，其中包括為終端用戶提供高級靈活性和便利性。系統(tǒng)設(shè)計人員必須謹慎選擇提供的選項，這樣，可將總體系統(tǒng)成本控制在合理的范圍內(nèi)。有兩個選擇會對系統(tǒng)的成本和復雜程度產(chǎn)生最大的影響，一個是Type-C的固有功率15W，另一個是增強供電能力和視頻支持。這篇文章討論了如何實現(xiàn)一個USB Type-C端口，以及盡可能地減少它對于現(xiàn)有系統(tǒng)的影響?！　『喗椤　≡陔娮有袠I(yè)中，USB Type-C存在于每一位系統(tǒng)設(shè)計人員的腦海中。這個接口將數(shù)據(jù)、電源和視頻合并在單個連接器接口中。它使得設(shè)計人
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USB Type-C解析

  • 作為最新的接口標準，USB Type-C?已然獲得了計算和消費電子市場的諸多關(guān)注。集功能與滿足消費者的訴求于一體，USB Type-C很有希望成為最受人們歡迎的接口之一，但同時也可能是為人們帶來最多困擾的接口。替代模式（Alternate Mode，簡稱“Alt Mode”）、外設(shè)模式（Accessory Mode）、結(jié)構(gòu)化VDM（Structured VDM）以及非結(jié)構(gòu)化VDM（Unstructured VDM）等大量術(shù)語使得消費者和技術(shù)人員摸不著頭腦。這些術(shù)語定義了USB Type-C接口是如何支持各
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安立公司榮獲 2015 年 CXO NEXT 創(chuàng)新獎

  • 　　立公司榮獲微軟公司 2015 年 CXO NEXT 創(chuàng)新獎?！　≡摢勴椨谌A盛頓州雷德蒙德舉行的 CXO NEXT 峰會上宣布，旨在表彰那些使用 Microsoft 解決方案引領(lǐng)轉(zhuǎn)型創(chuàng)新的高瞻遠矚的領(lǐng)導者，他們?nèi)〉玫男б姘ㄖ厮苌a(chǎn)力和業(yè)務(wù)流程、打造智能云平臺、創(chuàng)造更個人化的運算及授權(quán)金融和市場營銷?！　　霸谶@個瞬息萬變、行動至上、云端優(yōu)先的世界，組織必須不斷評估其運營方式，允許員工不斷創(chuàng)新和推動業(yè)務(wù)發(fā)展
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。 　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設(shè)備而言
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ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會電子展

  • 　　2016年11月16日-21日，全球知名半導體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。ROHM所帶來的高新領(lǐng)先技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評?！　OHM模擬電源“領(lǐng)銜”業(yè)內(nèi)標準　　近年來，全世
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e絡(luò)盟針對工業(yè)及消費電子領(lǐng)域供應Molex Ultra-Fit系列電源連接器

  • 　　e絡(luò)盟日前宣布供應Molex Ultra-Fit™系列高密度低插配力電源連接器。該系列小尺寸、高功率密度連接器的額定電流高達14A，同時引腳間距僅為3.5毫米，可消除相同電路尺寸錯誤插配的風險，優(yōu)化空間占比，并實現(xiàn)輕松組裝，適用于工業(yè)、電信、醫(yī)療及消費電子等應用領(lǐng)域。 　　談及電源連接器，各行各業(yè)都面臨著諸多挑戰(zhàn)，例如：電子產(chǎn)品設(shè)計空間受限，終端產(chǎn)品安裝面臨潛在失誤及應用故障等。而Molex Ultra-Fit 電源連接器具備的功能特性正好有利于解決這些難題，其中包括 　　&mid
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利用R/C濾波器實現(xiàn)DAC去干擾電路

  • 　　昨天，在我減速通過一條討厭的減速帶時，突然想到了我的那個精密型 16 位 R-2R DAC。它在中間刻度時存在短時脈沖波形干擾問題(請參見圖 1)。我想，在選擇使用具有較大短時脈沖波形干擾特性的 DAC 時，可以在 DAC 輸出端添加一些去干擾電路，從而減少干擾的影響。兩種常見的 DAC 去干擾電路是簡單的低通濾波器(相當于一種減速方法)，以及采樣/保持電路(相當于“繞過”干擾)。這兩種去干擾電路都可以降低干擾振幅，或者去除干擾能量。 　　   　　圖 1
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Mouser備貨Amphenol Commercial 高性能USB Type-C連接器

  • 　　貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 開始分銷Amphenol Commercial Products的USB Type-C™連接器。該系列連接器為新興產(chǎn)品設(shè)計量身打造，完全兼容USB Type-C規(guī)范，并可滿足未來的USB性能需求。Amphenol Commercial USB Type-C插頭和插座尺寸很小，非常適合智能手機、平板電腦和其他移動設(shè)備設(shè)計，同時還可滿足便攜式電腦的優(yōu)異性能要求。 　　Mouser分銷的Amphenol Commercial USB Typ
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試看新能源汽車的“加油站”如何撬動千億級市場？

  • 　　2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)規(guī)劃》。該草案的完成對于汽車充電設(shè)施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內(nèi)充換電站數(shù)量要達到1.2萬個，充電樁達到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內(nèi)的充電行業(yè)產(chǎn)生。 　　充電樁通常被譽為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
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魅族的新型 PRO 5 智能手機 采用Fairchild 的USB Type-C 解決方案

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今天宣布其 FUSB302 產(chǎn)品被中國專業(yè)智能手機制造商魅族的最新型號PRO 5 智能手機作為關(guān)鍵元件而采用。該產(chǎn)品是業(yè)界第一個支持功率輸出(Power Delivery, PD) 功能的可編程 USB Type-C 控制器系列產(chǎn)品。 　　魅族采購總監(jiān)柯于樹說：“我們致力于設(shè)計良好體驗的智能手機并勇于創(chuàng)新，F(xiàn)airchild的產(chǎn)品正適合我們PRO 5的需要。” 　　FUSB302 是支持功率輸出(PD) 功能的
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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

  • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 　　SiC與Si性能對比 　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇

  • 　　當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。 　　   　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 　　由碳化硅電力設(shè)備市場驅(qū)動，n型碳化硅基
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業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關(guān)效率提升10倍

  • 　　集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅(qū)動開關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應用。目前世強已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。 　　圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖 　　世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標準
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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

  • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 　　SiC與Si性能對比 　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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Type C時代來臨　USB再也不簡單了…

  • USB Type-C普及速度超乎尋常，USB Type-C芯片的稀缺時代很快即將過去。
  • 關(guān)鍵字： USB  Type C  
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