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EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-band

基于OP97A的V/I轉(zhuǎn)換電路

  • OP97運放輸出量程為±3.3V的電壓，需加一級V/I轉(zhuǎn)換電路。V/I轉(zhuǎn)換電路如圖所示。通過設(shè)置固定的5個碼值：FFFF,BFFF,8000,4000,0,用安捷倫高精度6位半萬用表的Agilent34401,上電后經(jīng)過8個小時測試，其分辨率和精度均能達到15...
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由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖

基于Altera cyclone V SOC的JPEG編碼分析

  • H.264等視頻壓縮算法在視頻會議中是核心的視頻處理算法，它要求在規(guī)定的短時間內(nèi)，編解碼大量的視頻數(shù)據(jù)，目前主要都是在DSP上運行。未來在添加4k*2k、H.265編解碼等功能，并要求控制一定成本的情況下，面臨DSP性能瓶
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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

  • 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大，氣象探測設(shè)備的重要性也越來越高。成陽國際機場配備了風(fēng)廓線雷達，能夠為航空飛行提供機場上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度。基于保障風(fēng)廓線雷達正常運行的目的，通過Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗，實現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時間提高了95%。
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讓汽車看懂紅綠燈 奧迪新技術(shù)展示

  • 如果說無人駕駛離消費者還很遙遠，那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對駕駛員來說已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報道，奧迪將在其2017款的Q7和A4
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三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

  • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包
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三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

  • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
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三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

  • 　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。 　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 　　   　　圖1：三星T3 2TB S
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三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？

  • 　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

  • 　　比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。 　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。 　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
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電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

  • 　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路 　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。 　　   　　由圖1可見，電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進行比較，經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
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傳初代微軟Band停產(chǎn) 為第二代手環(huán)讓路

  • 　　微軟不久前證實新一代Band手環(huán)的開發(fā)工作已經(jīng)開始。據(jù)Ubergizmo援引其他媒體報道稱，微軟將停止生產(chǎn)第一代Band手環(huán)，專注于后續(xù)產(chǎn)品的開發(fā)和發(fā)布。相信許多讀者還記得，Band是微軟一款暢銷的可穿戴設(shè)備，發(fā)售后不久就銷售一空。 　　   　　報道稱，微軟將停止生產(chǎn)第一代Band手環(huán)，微軟現(xiàn)有庫存即將清空，一旦連官方產(chǎn)品也銷售完后，將不會再直接向消費者或通過零售商銷售全新Band。 　　由于微軟尚未對此報道發(fā)表評論，因此讀者對其真實性應(yīng)當(dāng)有所保留。 　　微軟首席運營官凱文&
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  • 　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 　　據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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2016年3D V-NAND市場擴大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

  • 　　在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 　　據(jù)韓國MT News報導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預(yù)估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。 　　外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
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微軟智能手環(huán) Microsoft Band 拆解

  • 　　   　　主角：Microsoft Band 　　   　　拆解的第一步是除掉2個外殼上的梅花螺絲，拿下蓋子后就發(fā)現(xiàn)了第一塊鋰電池(Microsoft Band 有2塊鋰電池) 　　   　　我們嘗試拆下頭邊的2殼螺絲，但是發(fā)現(xiàn)拆下來后，還是無法打開整個蓋子，沒辦法，只能使用尖嘴鉗進行暴力撕扯了 　　 暴力撕扯后我們得到了回報，見到了內(nèi)部零件：   　　   　　你可以看到2塊鋰電池，讓我們繼續(xù)來拆解，拆除磁
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