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硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比照明
- 傳統(tǒng)的氮化鎵(GaN)LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅(SiC)為襯底,因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好,襯底常用尺寸為...
- 關(guān)鍵字: GaN LED 光萃取技術(shù)
功率器件的利器 GaN
- GaN是什么? 什么是GaN?GaN中文名:氮化嫁,用化學(xué)元素來(lái)解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu),為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m,電子遷移率 (1.25~1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。 GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被
- 關(guān)鍵字: GaN 功率器件
SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”?
- SiC企業(yè)不斷增多,成本不斷下降”一文中,作者根津在開篇寫道:“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?!边@是因?yàn)?,隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布,在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上,這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。 那么,在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場(chǎng),情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段,仍屬于“下一代”,但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中,此類產(chǎn)品已逐漸由
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增
- 在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。 據(jù)有關(guān)報(bào)告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè),未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字: GaN 半導(dǎo)體 SiC
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增
- 在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。 據(jù)有關(guān)報(bào)告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè),未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字: GaN 半導(dǎo)體 SiC
三菱化學(xué)計(jì)劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能
- 因照明用LED需求大增,三菱化學(xué)計(jì)劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。 目前,三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板,生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸,月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。 而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平,有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸,所以,三菱化學(xué)計(jì)劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程,開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板,月產(chǎn)能為200-300片,并計(jì)劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施,開始生產(chǎn)6寸GaN基板,將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
- 關(guān)鍵字: LED GaN
汽車電子系統(tǒng)發(fā)展和實(shí)用化的三大技術(shù)
- [摘要]目前在汽車上使用的新技術(shù)有80%來(lái)源于電子系統(tǒng)的不斷更新和進(jìn)步。目前已經(jīng)開始進(jìn)入實(shí)用狀態(tài)的有三大...
- 關(guān)鍵字: 汽車電子系統(tǒng) X-by-wire CAN
谷歌X Phone手機(jī)確實(shí)存在:谷歌CEO佩奇已暗示
- 1月24日消息,除Nexus系列手機(jī)外,谷歌可能正在開發(fā)“X Phone”手機(jī)和“X Tablet”平板電腦,并預(yù)計(jì)于7月上市。 谷歌CEO拉里?佩奇(Larry Page)周二在電話會(huì)議上稱,當(dāng)前的智能手機(jī)在續(xù)航、抗摔和充電等方面還存在很大提升空間。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,這可能意味著傳說(shuō)中的X Phone手機(jī)確實(shí)存在。 對(duì)佩奇這番話的一個(gè)很好的解釋就是:谷歌正在開發(fā),或者至少是思考過(guò),一款能夠續(xù)航更長(zhǎng)時(shí)間的手機(jī),還支持新奇的充電方式功能。
- 關(guān)鍵字: 谷歌 X Phone
ARM曲線進(jìn)攻服務(wù)器市場(chǎng) 英特爾解圍易難解人心
- 1月18日,英特爾發(fā)布了其2012年最后一個(gè)季度的財(cái)報(bào),這份黯淡的財(cái)報(bào)唯一亮眼之處是數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)部門的營(yíng)收達(dá)到了28億美元,同比增長(zhǎng)了4%;而該公司最核心的PC芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收在這一季度下滑了6%。 同一天,戴爾公司在美國(guó)加利福尼亞州舉辦的開放計(jì)算峰會(huì)上展示了其專為數(shù)據(jù)中心客戶打造的64位ARM服務(wù)器。戴爾公司首席架構(gòu)師兼技術(shù)專家Jimmy Pike稱,“我們將在基礎(chǔ)設(shè)施中使用規(guī)模龐大的ARM服務(wù)器,這種情況可謂前所未見”。 時(shí)間再向前倒回一個(gè)禮拜,百度公司在中國(guó)展示了
- 關(guān)鍵字: ARM 服務(wù)器 X-Gene 64
209傳摩托羅拉X Phone五月發(fā)布 搭載Android 5.0
- 過(guò)去一直傳聞摩托羅拉將會(huì)推出名為X Phone的秘密武器,但似乎給人的感覺是雷聲大雨點(diǎn)小。不過(guò),日前國(guó)外媒體又帶來(lái)了這款X Phone的最新消息。按照相關(guān)說(shuō)法,摩托羅拉將會(huì)在今年的谷歌(微博)I/O開發(fā)者大會(huì)上推出傳聞中的X Phone手機(jī),其特色是將會(huì)擁有5英寸無(wú)邊框觸控屏,并且會(huì)搭載新一代的Android 5.0系統(tǒng)。 首款A(yù)ndroid 5.0系統(tǒng)機(jī)型 根據(jù)國(guó)外媒體的報(bào)道,摩托羅拉將會(huì)在今年的谷歌I/O開發(fā)者大會(huì)上推出X Phone手機(jī),并且還將搭載最新推出的Android 5.0系
- 關(guān)鍵字: 摩托羅拉 X Phone
GaN類功率元件,高耐壓成功率半導(dǎo)體主角
- 采用Si基板降低成本,通過(guò)改變構(gòu)造改善特性那么,GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術(shù)方面存在...
- 關(guān)鍵字: GaN類功率半導(dǎo)體 功率半導(dǎo)體 GaN
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