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X-FAB 率先提出單塊嵌入式NVRAM作為專業(yè)晶圓代工解決方案

  • 　　業(yè)界領先的模擬/混合信號晶圓廠以及“超越摩爾定律”技術的專家，X-FAB Silicon Foundries，今天成為第一家也是唯一一家提供嵌入式非易失性隨機存取存儲器(NVRAM)工藝特征的專業(yè)晶圓代工廠，提出了一種單芯片解決方案。由于結(jié)合了快速存取SRAM以及EEPROM或閃存的非易失性保持的優(yōu)點，即使芯片面積大大減少，XH018工藝的新的NVRAM能力和支持NVRAM編譯器可使客戶獲取同樣甚至更好的功能，同時當他們設計與測試時更能夠節(jié)省時間和精力。 　　新的編譯器允許設
  • 關鍵字： X-FAB  NVRAM  晶圓代工  

Intersil推出WIDESound x 4音頻增強技術

  • 　　全球高性能模擬半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球精選市場交易代碼：ISIL)今天宣布，推出適用于解決空間有限，但對音質(zhì)要求苛刻需求的WIDESound x 4音頻增強技術。 　　現(xiàn)在的輕薄平板電視和其他新潮的消費類產(chǎn)品的尺寸有限，設計者無法采用傳統(tǒng)的大尺寸多揚聲器系統(tǒng)。然而消費者仍然需要完整、飽滿的音質(zhì)，以及時尚、漂亮的產(chǎn)品外觀。 　　WIDESound x 4技術可以用多通道條形音箱模擬出“虛擬”環(huán)繞聲效果，從而大大提升無法安裝全尺寸揚聲器的平
  • 關鍵字： Intersil  音頻增強  WIDESound x 4  

應用創(chuàng)新時代，摩爾定律以外的世界同樣精彩

  • 　　當幾年前集成電路生產(chǎn)工藝達到深亞微米時，關于摩爾定律(Moore’s Law)是否在未來仍然有效的討論就廣泛展開，于是很快也就有了“摩爾定律進一步發(fā)展(More Moore)”和“超越摩爾定律(More than Moore)”兩種觀點。這兩種觀點分別在相關領域影響著電子技術和半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為了許多行業(yè)和企業(yè)制定技術和產(chǎn)品路線圖的重要依據(jù)。 　　在過去的幾年中，More Moore似乎有了更快的發(fā)展。納米級的半導體工業(yè)技術不僅應用在了
  • 關鍵字： X-FAB  摩爾定律  通信基站  基帶  

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關鍵字： MMIC  SiC  GaN  襯底    

PCI Express 在嵌入式系統(tǒng)中的應用

  • PCI Express 在嵌入式系統(tǒng)中的應用,在過去幾十年里，PCI總線是一種非常成功的通用I/O總線標準，尤其在嵌入式系統(tǒng)應用中，經(jīng)常會看到PCI總線的蹤影，但它將不能滿足未來計算機設備的帶寬需要。隨著制造工藝的發(fā)展，將會出現(xiàn)10GHz的CPU，高速的內(nèi)存和顯卡
  • 關鍵字： 應用  系統(tǒng)  嵌入式  Express  PCI  PCI Express  內(nèi)部互聯(lián)  高速串行總線  PCI  PCI-X  

PNA-X NVNA網(wǎng)絡分析儀專注非線性測量

  • 隨著 TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展，越來越多的科技與研發(fā)人員投入到更先進的器件的研究與開發(fā)當中。功率放大器以及相應的功能部件是無線通信設備中最為關鍵的部件。從設計思想的產(chǎn)生到設計的仿真，再到具體電路的
  • 關鍵字： PNA-X  NVNA  網(wǎng)絡分析儀  非線性測量    

英飛凌低成本HSDPA 3G方案降低3G手機門檻

  • 　　2009年2月25日，德國Neubiberg與西班牙巴塞羅那訊——英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）近日發(fā)布一款全新低成本平臺解決方案。該解決方案依靠一種低成本的3G網(wǎng)絡連接技術，實現(xiàn)高速移動上網(wǎng)。 　　 　　英飛凌XMM? 6130是一種經(jīng)濟合算且極具競爭力的3G解決方案，可充分利用3G HSDPA技術數(shù)據(jù)速率更高這一特性，改善移動互聯(lián)網(wǎng)體驗，從而樹立了行業(yè)新標桿。該平臺的核心是蜂窩片上系統(tǒng)X-GOLD? 613，它全面集成了2G/3G數(shù)字與模擬基帶功能和功率
  • 關鍵字： 英飛凌  X-GOLD  HSDPA  

SUSS MicroTec聯(lián)合iX-factory開發(fā)微流體和集成光學MEMS方案

  •         據(jù)半導體國際網(wǎng)站報道，SUSS MicroTeci與X-factory共同宣布，將在微流體和集成光學應用方面密切合作。iX-factory開發(fā)相關技術，SUSS MicroTec提供設備平臺，如其新推出的MA/BA8 Gen3雙面光刻機和CB8晶片鍵合機。iX-factory是領先的單晶片生產(chǎn)和技術服務的專業(yè)廠商。         SUSS Micr
  • 關鍵字： SUSS MicroTeci  X-factory  MA/BA8 Gen3  CB8  

英飛凌推出新一代低成本手機芯片X-GOLD110

  • 　　近日，英飛凌科技股份公司（法蘭克福/紐約交易所股票交易代碼：IFX）在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布，推出其第三代超低成本（ULC）手機芯片。X-GOLD-110是當今世界上集成度最高、極具成本收益的、面向GSM/GPRS超低成本手機的單芯片解決方案。由于與當前市場上現(xiàn)有的解決方案相比，X-GOLD-110將手機制造商的系統(tǒng)成本（物料成本）降低了20%，英飛凌再次為手機行業(yè)設立了新的基準。 　　英飛凌無線通訊事業(yè)處全球總裁Weng Kuan Tan表示：“成功推出第三代UL
  • 關鍵字： 英飛凌  X-GOLD110  

英飛凌推出下一代單片集成手機芯片X-GOLD 102

  • 　　英飛凌科技股份公司日前在GSMA移動通信亞洲大會上，推出最新超低成本手機芯片X-GOLD™102。相對于英飛凌現(xiàn)有的平臺解決方案，該芯片可使系統(tǒng)性能提升5倍，同時降低近10%的物料成本（BOM）。 　　英飛凌單片解決方案X-GOLD™102可使手機廠商通過提供基于IP和量產(chǎn)技術的最低成本解決方案實現(xiàn)差異化，從而在市場上脫穎而出。該芯片將成為XMM™1020平臺解決方案的一部分。XMM™1020平臺解決方案包括開發(fā)工具套件和客戶支持套件，能夠最大限度縮短
  • 關鍵字： 英飛凌  X-GOLD 102  

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術平臺

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。 　　開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 　　IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
  • 關鍵字： IR  功率器件  GaN  終端  

IBM X-Force安全性報告揭示上半年網(wǎng)絡安全兩大主題

  • 　　94%瀏覽器攻擊發(fā)生在漏洞公布的24小時之內(nèi) 　　IBM日前發(fā)布了X-Force 2008年中IT安全趨勢統(tǒng)計報告，結(jié)果顯示網(wǎng)絡罪犯正在采用新的自動化技術和策略，較以往能夠更加快速地攻擊網(wǎng)絡漏洞。有組織的犯罪分子正在互聯(lián)網(wǎng)上使用這些新的工具，同時，研究人員公布的攻擊代碼正將更多的系統(tǒng)、數(shù)據(jù)庫和人員置于更加危險的境地。 　　據(jù)X-Force報告顯示，94%針對瀏覽器的攻擊發(fā)生在漏洞公布的24小時內(nèi)。這些攻擊被稱為"零天"攻擊，發(fā)生在人們意識到系統(tǒng)中存在需要打補丁的漏洞之前。 　
  • 關鍵字： IBM  IT安全  瀏覽器  X-Force  

測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術問題

  • 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質(zhì)，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
  • 關鍵字： GAN  蜂窩  話音質(zhì)量  

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  • 　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。 　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 　　1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 　　 　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 　　3. 在免授權(quán)的5.8G
  • 關鍵字： 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進展

  • 　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。??????? 　　“對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
  • 關鍵字： 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  
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