x-hdl 文章 進(jìn)入x-hdl技術(shù)社區(qū)
基于Verilog HDL濾波器的設(shè)計(jì)
- 現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和通信系統(tǒng)中廣泛采用數(shù)字信號(hào)處理的技術(shù)和方法,其基本思路是先把信號(hào)用一系列的數(shù)字來表示,然后對(duì)這些數(shù)字信號(hào)進(jìn)行各種快速的數(shù)學(xué)運(yùn)算。其目的是多種多樣的,有的是為了加密,有的是為了去掉噪聲等無
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 濾波器 HDL Verilog 基于
XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存
- X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù),32層,其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存,而閃存只要額外2層光罩。對(duì)高階片上混合信號(hào)系統(tǒng)芯片(SoCs),此方案具有極高的性價(jià)比,其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存,EEPROM、非揮發(fā)性隨機(jī)內(nèi)存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash),更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車用電子。
- 關(guān)鍵字: X-FAB 嵌入式閃存
Maxim推出業(yè)內(nèi)首款8 x 4衛(wèi)星IF開關(guān)IC
- Maxim推出業(yè)內(nèi)首款8 x 4衛(wèi)星IF開關(guān)IC MAX12005,可擴(kuò)展至16路衛(wèi)星信號(hào)輸入。MAX12005具有高度集成特性,且應(yīng)用十分靈活,非常適合多種空間受限的衛(wèi)星IF分配和多開關(guān)應(yīng)用。 MAX12005應(yīng)用十分靈活,通過一路附加的IF開關(guān)輸入配置內(nèi)部8 x 4矩陣,可擴(kuò)展至16路衛(wèi)星信號(hào)輸入。器件支持單個(gè)四路低噪聲下變頻模塊(LNB),垂直或水平極化信號(hào)可通過矩陣切換至四個(gè)衛(wèi)星接收器。使用兩片MAX12005 IC以及增加八個(gè)輸入分離器還可實(shí)現(xiàn)將八路衛(wèi)星IF輸入分配至八個(gè)衛(wèi)星接收器的配
- 關(guān)鍵字: Maxim IF開關(guān) MAX12005 8 x 4 LNB
Maxim推出結(jié)構(gòu)緊湊的USB充電器識(shí)別開關(guān)
- Maxim推出USB充電器識(shí)別方案MAX14566E,支持采用筆記本電腦為便攜設(shè)備充電,即使筆記本電腦處于休眠或深度休眠模式也可進(jìn)行充電。該款開關(guān)支持USB電池充電規(guī)范1.1版以及面向中國市場(chǎng)的CCSA YD/T 1591-2006標(biāo)準(zhǔn)。MAX14566E結(jié)構(gòu)緊湊(2mm x 2mm),與分立方案相比可有效節(jié)省電路板空間,降低軟件開銷。 MAX14566E通過充電器識(shí)別電路可自動(dòng)識(shí)別所連接的便攜設(shè)備類型,該電路無需外部軟件干預(yù),主機(jī)USB端口可通過短接D+/D-檢測(cè)支持兼容USB電池充電規(guī)范1.
- 關(guān)鍵字: Maxim 識(shí)別開關(guān) 2mm x 2mm MAX14566E
嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法的演化—從單片機(jī)到單片系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 單片系統(tǒng)(SOC) 硬件描述語言(HDL) IP內(nèi)核
基于Verilog HDL的UART模塊設(shè)計(jì)與仿真
- 摘要:通用異步收發(fā)器UART常用于微機(jī)和外設(shè)之間的數(shù)據(jù)交換,針對(duì)UART的特點(diǎn),提出了一種基于Ver4log HDL的UART設(shè)計(jì)方法。采用自頂向下的設(shè)計(jì)路線,結(jié)合狀態(tài)機(jī)的描述形式,使用硬件描述語言設(shè)計(jì)UART的頂層模塊及各個(gè)子
- 關(guān)鍵字: Verilog UART HDL 模塊設(shè)計(jì)
X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術(shù)
- X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備,以及用于使用壓電驅(qū)動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機(jī)的噴頭。此外,X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管,對(duì)于達(dá)到100V的多運(yùn)作電壓,導(dǎo)通電阻可降低45%,晶片的占位能夠降低40%,從而降低了晶
- 關(guān)鍵字: X-FAB 晶圓代工
x-hdl介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條x-hdl!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)x-hdl的理解,并與今后在此搜索x-hdl的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)x-hdl的理解,并與今后在此搜索x-hdl的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473