無(wú)懼雜音，美光官宣1500億美元巨額投資計(jì)劃，目標(biāo)直指下個(gè)十年

美光近日宣布將在未來(lái)十年內(nèi)在存儲(chǔ)器的制造和研發(fā)上將投入超過(guò)1500億美元，以鞏固美光的技術(shù)領(lǐng)先性，為客戶提供差異化產(chǎn)品，滿足不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。

美光還提及，此項(xiàng)投資計(jì)劃也將包括擴(kuò)大潛在的美國(guó)晶圓廠規(guī)模，但是由于美國(guó)存儲(chǔ)制造成本相較其他擁有成熟半導(dǎo)體生態(tài)的低成本市場(chǎng)高35-45%，因此其需要尋求政府或地區(qū)補(bǔ)貼，這樣美光的存儲(chǔ)產(chǎn)品才更具成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

美光表示2022年資本支出將達(dá)120億美元，十年間投資支出實(shí)現(xiàn)“三級(jí)跳”，市場(chǎng)成果有目共睹

除上述十年投資計(jì)劃之外，美光在日前的財(cái)報(bào)會(huì)議中提出，在2021財(cái)年資本支出為97億美元，預(yù)計(jì)在2022財(cái)年資本支出將增加到110至120億美元，按中位數(shù)計(jì)算資本支出將同比增長(zhǎng)18.5%。其中大部分支出將用于176L NAND和引入EUV在DRAM的試驗(yàn)性生產(chǎn)中。

從美光近年來(lái)資本支出變化可以看到，其投資規(guī)模已然實(shí)現(xiàn)了“三級(jí)跳”。當(dāng)然，投資支出不斷攀升與存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)愈發(fā)激烈的競(jìng)爭(zhēng)氛圍和愈發(fā)精細(xì)、復(fù)雜的制造工藝密切相關(guān)，更體現(xiàn)了美光不斷鞏固市場(chǎng)地位，保持技術(shù)領(lǐng)先性的決心。

在技術(shù)研發(fā)上，美光的成果也有目共睹，不僅在今年發(fā)布了一系列基于業(yè)界領(lǐng)先的176層閃存技術(shù)和1-alpha DRAM的創(chuàng)新存儲(chǔ)產(chǎn)品，同時(shí)還推出業(yè)界首創(chuàng)適合車用領(lǐng)域的通用閃存產(chǎn)品UFS 3.1，將對(duì)下一代存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展起到引領(lǐng)作用。

據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，美光在NAND Flash領(lǐng)域市場(chǎng)占有率約為13%，在DRAM領(lǐng)域市場(chǎng)占有率約為21%，在整個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)上排名第三，僅次于三星和SK海力士。

美光在全球包括17個(gè)國(guó)家和地區(qū)展開營(yíng)運(yùn)，其在美國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣、日本和新加坡設(shè)有制造基地，并在中國(guó)大陸和馬來(lái)西亞經(jīng)營(yíng)芯片封裝設(shè)施。其中，DRAM主要生產(chǎn)基地在臺(tái)灣，NAND Flash主要生產(chǎn)基地在新加坡。

來(lái)源：美光

這1500億美元的具體投資計(jì)劃，如DRAM和NAND Flash的投資比例、投資建廠選址等等均未詳細(xì)披露。美光表示目前正在與全球多個(gè)國(guó)家政府接觸，評(píng)估許多潛在的全球擴(kuò)張站點(diǎn)，只是目前尚無(wú)定論。

全球“缺芯”之際，各大廠商投資計(jì)劃哪家強(qiáng)？

盡管目前半導(dǎo)體行業(yè)部分零部件短缺問(wèn)題已經(jīng)開始看到改善，但美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrota表示，挑戰(zhàn)仍可能延續(xù)到2023年。值此之際， 除了美光之外，各大廠商也相繼推出了中長(zhǎng)期投資計(jì)劃：

英特爾：作為半導(dǎo)體行業(yè)龍頭，英特爾表示，在未來(lái)10年時(shí)間里，英特爾可能會(huì)在歐洲投資最多800億歐元（約合950億美元）以提高其在該地區(qū)的芯片產(chǎn)能；

三星：今年8月份，三星集團(tuán)正式對(duì)外宣布，未來(lái)三年內(nèi)將拿出2050億美元，來(lái)投資半導(dǎo)體、生物制****和電信業(yè)務(wù)等部門，半導(dǎo)體存儲(chǔ)部門作為三星的“現(xiàn)金奶?！北貙槠渲匾顿Y領(lǐng)域；

臺(tái)積電：今年二季度，臺(tái)積電表示，計(jì)劃未來(lái)三年投資1000億美元擴(kuò)充芯片產(chǎn)能，在全球范圍內(nèi)選址建設(shè)新工廠；

SK海力士：今年4月份，SK海力士新建工廠得到批準(zhǔn)，總投資額將達(dá)到1060億美元，主要生產(chǎn)DRAM芯片，每個(gè)月產(chǎn)量為80萬(wàn)片。另外，SK海力士表示，將在未來(lái)10年內(nèi)開發(fā) 10nm以下制程工藝的DRAM芯片，以及600層堆疊的NAND閃存。

從上述列舉的半導(dǎo)體巨頭投資計(jì)劃中不難看出，當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展在全球范圍內(nèi)都得到普遍重視，疊加“缺芯”浪潮尚未褪去，半導(dǎo)體巨頭紛紛緊抓機(jī)遇、加碼投資，其中不難看出，美光的資本支出計(jì)劃只是在中等水平。當(dāng)然，由于半導(dǎo)體細(xì)分類別垂直度較高，不同廠商特點(diǎn)不同，不能粗暴對(duì)比。廠商如何能在有限的資本支出下實(shí)現(xiàn)最大化的利潤(rùn)回報(bào)才是真正的核心標(biāo)準(zhǔn)，讓我們拭目以待10年后各大巨頭紛紛走向何方。