美光預(yù)警：存儲(chǔ)芯片需求將下降

雖然季度收入創(chuàng)造歷史第二高的紀(jì)錄，但隨著PC需求的下滑及長(zhǎng)短料影響，美光預(yù)警存儲(chǔ)芯片需求將在未來(lái)幾個(gè)月下滑。

凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)126%，NAND Flash收入創(chuàng)紀(jì)錄

在截止到2021年8月31日的2021年第四財(cái)季中，美光創(chuàng)造了歷史季度營(yíng)收第二高的紀(jì)錄，達(dá)到83億美元，同比增長(zhǎng)37%，環(huán)比增長(zhǎng)11%；其中NAND Flash收入和嵌入式部門(mén)收入均創(chuàng)季度高點(diǎn)。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為31億美元，環(huán)比增長(zhǎng)30%，同比增長(zhǎng)136%；凈利潤(rùn)為28億美元，環(huán)比增長(zhǎng)28%，同比增長(zhǎng)126%。

來(lái)源：美光

從各部門(mén)收入情況來(lái)看，

數(shù)據(jù)中心：由于IT支出的恢復(fù)以及云計(jì)算需求的驅(qū)動(dòng)，本財(cái)季的數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)環(huán)比和同比均增長(zhǎng)。美光也將在今年晚些時(shí)候開(kāi)始支持客戶(hù)轉(zhuǎn)入DDR5平臺(tái)。同時(shí)，美光在財(cái)報(bào)會(huì)議中也提到，在數(shù)據(jù)中心采購(gòu)BOM中存儲(chǔ)芯片的占比由以前的30%，提高到現(xiàn)在的40%，未來(lái)將進(jìn)一步提高到50%。數(shù)據(jù)中心將引導(dǎo)未來(lái)存儲(chǔ)芯片的增長(zhǎng)。

PC：預(yù)計(jì)2021年P(guān)C出貨量可達(dá)到雙位數(shù)成長(zhǎng)，本季度PC DRAM和QLC SSD在PC上的應(yīng)用快速成長(zhǎng)。

Mobile：本季度Mobile業(yè)務(wù)營(yíng)收同比成長(zhǎng)25%，尤其是MCP銷(xiāo)售額連續(xù)三個(gè)季度超過(guò)10億美元。美光預(yù)計(jì)今年全球5G手機(jī)將超過(guò)5億部，并消耗50%的高容量DRAM和較4G手機(jī)兩倍以上的NAND。美光表示，未來(lái)將第一個(gè)帶來(lái)LPDDR5X和uMCP5在智能手機(jī)上的應(yīng)用。

DRAM和NAND Flash量?jī)r(jià)齊升，但美光預(yù)警下個(gè)季度出貨量將減少

本財(cái)季DRAM收入為61億美元，環(huán)比增長(zhǎng)12%，同比增長(zhǎng)39%。DRAM Bit出貨量環(huán)比低個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)，ASP環(huán)比高個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)。2021年DRAM bit需求成長(zhǎng)20%左右，2022年成長(zhǎng)15%以上。

本財(cái)季NAND Flash收入20億美元，環(huán)比增長(zhǎng)9%，同比增長(zhǎng)29%。NAND Flash Bit出貨量環(huán)比低個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)，ASP環(huán)比增長(zhǎng)5%。2021年NAND bit需求成長(zhǎng)35%以上，2022年成長(zhǎng)接近30%。

來(lái)源：美光，CFM閃存市場(chǎng)

雖然本財(cái)季中DRAM和NAND Flash量?jī)r(jià)齊升，但從終端需求來(lái)看，由于PC OEM客戶(hù)遭遇其他零部件的短缺，并進(jìn)而影響到對(duì)存儲(chǔ)芯片的采購(gòu)，美光預(yù)警存儲(chǔ)芯片的出貨量將在短期內(nèi)從非常強(qiáng)勁水平溫和下降。當(dāng)然，除PC客戶(hù)遇到零部件短缺外，對(duì)美光來(lái)說(shuō)目前服務(wù)器SSD主控也非常緊缺，同時(shí)還有模擬IC等，這些都會(huì)影響到產(chǎn)品的出貨。此外，美光本身的庫(kù)存還是處于非常低的水平，本財(cái)季庫(kù)存價(jià)值45億美元，庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)為94天，低于正常95-105天的水平。

在下個(gè)季度里，美光預(yù)計(jì)收入74.5~78.5億美元，環(huán)比減少8%左右。不過(guò)，美光也預(yù)計(jì)客戶(hù)這種采購(gòu)的調(diào)整將在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)得到基本解決。

來(lái)源：美光

雖然下季度收入會(huì)有一定程度的下滑，但并不改變美光對(duì)未來(lái)成長(zhǎng)的樂(lè)觀(guān)預(yù)期。美光在2021財(cái)年資本支出為97億美元，預(yù)計(jì)在2022財(cái)年資本支出將增加到110至120億美元，按中位數(shù)計(jì)算資本支出將同比增長(zhǎng)18.5%。其中大部分支出將用于176L NAND和引入EUV在DRAM的試驗(yàn)性生產(chǎn)中。

美光進(jìn)一步解釋到，因1a DRAM制程能帶來(lái)很高的產(chǎn)出，2022年DRAM生產(chǎn)設(shè)備支出將下降，2022年供應(yīng)增長(zhǎng)主要由高產(chǎn)出節(jié)點(diǎn)例如1a DRAM和176L NAND在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中的提升帶來(lái)，而非增加wafer產(chǎn)出。從生產(chǎn)來(lái)看，2022年將主要增加NAND Flash的生產(chǎn)支出， DRAM的生產(chǎn)支出是相對(duì)減少的。同時(shí)研發(fā)費(fèi)用將較2021年增加15%。