ASML科普,EUV光刻機(jī)的奇跡之路
來(lái)源:內(nèi)容由半導(dǎo)體行業(yè)觀察(ID:icbank)編譯自ASML,作者Sander Hofman
EUV 的故事始于 1980 年代中期的日本,當(dāng)時(shí),在 70 年代俄羅斯完成的多層鏡研究的基礎(chǔ)上,Hiroo Kinoshita 投影了第一張 EUV 圖像。美國(guó)和荷蘭的實(shí)驗(yàn)室很快也開(kāi)始探索這一潛在的光刻技術(shù)新發(fā)展。最初被稱為“soft x-ray”光刻,“extreme ultraviolet”這個(gè)名稱的靈感來(lái)自天文學(xué)家對(duì)相同光波長(zhǎng)和光子能量使用的術(shù)語(yǔ)。
在光刻技術(shù)中,使用較短的光波長(zhǎng)使芯片制造商能夠縮小尺寸并增加芯片上特征(或晶體管)的密度,從而使芯片更快、更強(qiáng)大。當(dāng) ASML 于 1984 年成立時(shí),該行業(yè)使用產(chǎn)生 436 納米 (nm) 光的汞蒸氣燈,稱為 g-line,后來(lái),產(chǎn)生了 365 nm 的紫外 (UV) 光,稱為 i-line。早期的 EUV 研究人員追求從 4 到 40 的幾個(gè)波長(zhǎng),但最終選擇了 13.5 作為錫等離子體產(chǎn)生 EUV 光的最佳點(diǎn)。
EUV 并不是研究人員探索的唯一能夠?qū)崿F(xiàn)未來(lái)幾代“微縮”的技術(shù)。電子束光刻(Electron beam lithography)和離子束光刻(ion beam lithography )似乎是其他可行的選擇,但 ASML 對(duì) EUV 光刻下了“有根據(jù)的****注”,因?yàn)檫@種技術(shù)似乎最適合繼續(xù)晶體管微縮,同時(shí)在大規(guī)模生產(chǎn)中仍能負(fù)擔(dān)得起。
然而,并不是每個(gè)人都立即被 EUV 技術(shù)的想法所吸引。在2020 年 SPIE 會(huì)議回顧展上,時(shí)任 NTT 研究員的 Hiroo Kinoshita 描述了讓他的科學(xué)家同事相信 EUV 光刻有機(jī)會(huì)的挑戰(zhàn)?!癧我在 1986 年的日本應(yīng)用光學(xué)學(xué)會(huì)年會(huì)上展示了我的結(jié)果,”他說(shuō)?!安恍业氖?,聽(tīng)眾對(duì)我的演講高度懷疑。然而,我的信念并沒(méi)有改變?!?/p>
長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體行業(yè)的資深人士、當(dāng)時(shí)的勞倫斯利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室研究員 Andrew Hawryluk 在會(huì)議上回憶了類似的挫敗感。他解釋了 1987 年 12 月,一位教授如何拜訪他和他的團(tuán)隊(duì)。在了解了他們?cè)?EUV 方面的開(kāi)創(chuàng)性研究后,教授問(wèn)道:“但你真的可以用這些東西做任何有用的事情嗎?”
“他的話一直困擾著我,”Andrew說(shuō),他回家過(guò)圣誕假期,兩周后帶著一份 30 頁(yè)的 EUV 光刻白皮書回來(lái)。他和他的團(tuán)隊(duì)在那年晚些時(shí)候的一次會(huì)議上提交了這篇論文,但即便如此,也很難找到支持。“你無(wú)法想象我在那次演講中得到的負(fù)面評(píng)價(jià),”Andrew回憶道?!坝^眾中的每個(gè)人都想刺穿我。我把尾巴夾在兩腿之間回家了,發(fā)誓再也不談?wù)?EUV 光刻了。”
但一周后,Andrew接到了來(lái)自貝爾實(shí)驗(yàn)室的William (Bill) Brinkman的電話,后者隨后成功地讓美國(guó)能源部為勞倫斯利弗莫爾和桑迪亞實(shí)驗(yàn)室的 EUV 光刻研究國(guó)家項(xiàng)目提供資金,后來(lái)被稱為“虛擬國(guó)家實(shí)驗(yàn)室”。
走向工業(yè)化
“Bill給了我們錢,但錢遲早會(huì)用完,”Andrew說(shuō)。“關(guān)鍵的是讓行業(yè)參與支持這項(xiàng)新技術(shù)?!?/p>
Andrew的老板,已故的Natale (Nat) Ceglio,在招募包括英特爾在內(nèi)的公司采用 EUV 方面發(fā)揮了重要作用。
參與的美國(guó)芯片制造商組成了“EUV LLC”,與虛擬國(guó)家實(shí)驗(yàn)室簽訂合同,以加速 EUV 光刻技術(shù)的開(kāi)發(fā)并降低與新技術(shù)工業(yè)化相關(guān)的風(fēng)險(xiǎn)(EUV 光刻技術(shù),Wurm,Stefan,Gwyn 和 Chuck,2008 年)。
ASML 的原型 EUV 系統(tǒng)之一,或“alpha 演示”工具。
與此同時(shí),在荷蘭,EUV 光學(xué)教授 Fred Bijkerk 于 1990 年在荷蘭投影了第一張 EUV 圖像。然而,直到 1990 年代后期,EUV 光刻的工業(yè)化研究才在歐洲開(kāi)始。1997 年,ASML 聘請(qǐng)了 Jos Benschop(技術(shù)高級(jí)副總裁)來(lái)啟動(dòng)其EUV 計(jì)劃。
在 Jos 的幫助下,1998 年,ASML 與其長(zhǎng)期合作伙伴德國(guó)光學(xué)制造商蔡司和同步加速器光源供應(yīng)商牛津儀器公司成立了一個(gè)名為“EUCLIDES”(Extreme UV Concept Lithography Development System)的歐洲工業(yè)研發(fā)聯(lián)盟。ASML 還與包括 Philips Research and CFT、TNO-TPD、FOM-Rijnhuizen、PTB(德國(guó)國(guó)家計(jì)量研究所)和 Fraunhofer-IWS在內(nèi)的其他供應(yīng)商合作。ASML 和 EUCLIDES 于 1999 年與美國(guó) EUV LLC 聯(lián)手,而日本則通過(guò)其 ASET 計(jì)劃(超先進(jìn)電子技術(shù)協(xié)會(huì))和后來(lái)的日本極紫外光刻發(fā)展協(xié)會(huì) (EUVA) 計(jì)劃來(lái)追求 EUV 技術(shù)的發(fā)展。
2000 年,Jos 能夠在 SPIE 上展示 EUCLIDES 計(jì)劃的第一個(gè)結(jié)果??吹搅丝赡苄院螅珹SML 在 2001 年分配了一小群人和少量資源來(lái)構(gòu)建一個(gè) EUV 原型系統(tǒng)。
該團(tuán)隊(duì)在 2006 年實(shí)現(xiàn)了他們的目標(biāo),當(dāng)時(shí)第一批 EUV 原型被運(yùn)往比利時(shí)的 imec 和紐約奧爾巴尼的 SUNY(College of Nanoscale Science & Engineering)。在那里,原型被用來(lái)更好地了解 EUV 以及這項(xiàng)新技術(shù)如何融入半導(dǎo)體制造過(guò)程。事情開(kāi)始變得真實(shí)。
實(shí)現(xiàn)“第一道光”
2008 年春天,SUNY 使用他們的演示工具生產(chǎn)了世界上第一個(gè)全場(chǎng) EUV 測(cè)試芯片。2009 年,ASML 在荷蘭 Veldhoven 的總部開(kāi)設(shè)了大樓,這些大樓將容納10,000 平方米的潔凈室和用于 EUV 開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的工作空間。
然后,在 2010 年,ASML向韓國(guó)三星研究機(jī)構(gòu)運(yùn)送了第一臺(tái) TWINSCAN NXE:3100,這是一種預(yù)生產(chǎn)的 EUV 系統(tǒng)。這臺(tái)機(jī)器在平安夜實(shí)現(xiàn)了“第一道光”(天文學(xué)參考)。對(duì)于Jos 說(shuō),這是 13 年辛勤工作的結(jié)晶。
一群?jiǎn)T工站在荷蘭 Veldhoven 的 ASML 總部前,慶祝 2010 年第一臺(tái) EUV 機(jī)器出貨。
“我們從 1997 年就開(kāi)始著手這方面的工作,”他說(shuō)。“突然間,到了 2010 年,你要飛到海外去韓國(guó)。你坐長(zhǎng)途出租車,換衣服,去工廠,拐個(gè)彎,它就在那里:機(jī)器。那是一個(gè)偉大的時(shí)刻。最初的夢(mèng)想在客戶的工廠中變成了現(xiàn)實(shí)?!?/p>
這是一個(gè)偉大的時(shí)刻,但據(jù)ASML的客戶開(kāi)始發(fā)布包含 EUV 技術(shù)的產(chǎn)品仍然還需要9 年時(shí)間。“機(jī)器基礎(chǔ)知識(shí)在那里,但我們努力實(shí)現(xiàn)客戶所需的生產(chǎn)力,以使 EUV 成為負(fù)擔(dān)得起的選擇,”Jos 解釋說(shuō)?!爸匾氖且涀?,我們客戶的研發(fā)階段也需要時(shí)間,”Jos說(shuō),“在 EUV '推出'之后,芯片制造商仍然需要一兩個(gè)節(jié)點(diǎn)才能使技術(shù)成熟并在商業(yè)產(chǎn)品之前學(xué)習(xí)如何充分使用它可以用它來(lái)建造?!?/p>
這個(gè)過(guò)程需要這么長(zhǎng)時(shí)間的部分原因是芯片制造商必須圍繞新技術(shù)優(yōu)化基礎(chǔ)設(shè)施?!俺藪呙鑳x,您還需要優(yōu)化標(biāo)線片和光刻膠,以及 EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)——用于設(shè)計(jì)芯片的軟件工具,充分利用新功能的優(yōu)勢(shì)。這是一個(gè)不斷反饋的過(guò)程,過(guò)程中每個(gè)部分的數(shù)據(jù)都會(huì)影響其他部分,”Jos 解釋道。
2012 年,作為客戶共同投資計(jì)劃的一部分,ASML的主要客戶英特爾、三星和臺(tái)積電同意在五年內(nèi)為其 EUV 研發(fā)做出貢獻(xiàn),并收購(gòu)公司的股份作為回報(bào)。ASML又向亞洲和美國(guó)的不同客戶交付了六套系統(tǒng),并且在 2013 年,我們交付了第一臺(tái) EUV 生產(chǎn)系統(tǒng)——TWINSCAN NXE:3300——標(biāo)志著這項(xiàng)新技術(shù)的開(kāi)發(fā)又向前邁進(jìn)了一步。
一路走來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn)
“這比我想象的要花更長(zhǎng)的時(shí)間,也比我想象的要多得多,”Jos表示。“回顧這個(gè)過(guò)程,你可以說(shuō)我們要么很聰明,要么就是很固執(zhí),”他笑著說(shuō)。
為了躍遷到 13.5 nm 的極紫外光,幾乎需要在光刻機(jī)的所有領(lǐng)域進(jìn)行創(chuàng)新,包括光源、將光縮小并聚焦到硅片上的光學(xué)器件,以及包含芯片藍(lán)圖的標(biāo)線片被打印。更復(fù)雜的是,EUV 光幾乎被所有物體吸收,因此必須在高真空環(huán)境中生產(chǎn)和使用。“整個(gè)切換到真空是一次冒險(xiǎn),”Jos回憶道?!坝捎趏utgassing,這使材料成為一項(xiàng)挑戰(zhàn)——你可以使用什么材料,以及你必須如何處理和清潔它們。”
Jos 解釋說(shuō):“當(dāng)蔡司證明它可以制造專門的 EUV 光學(xué)器件時(shí),我們的研究真正獲得了關(guān)注。”光學(xué)一直是 EUV 最大的預(yù)期挑戰(zhàn),但多虧了蔡司,它很快就從關(guān)鍵問(wèn)題列表中掉了下來(lái)。
隨后,ASML 的重點(diǎn)轉(zhuǎn)向解決“光源”挑戰(zhàn)?!坝捎诠庠磫?wèn)題,我們?cè)獾搅撕芏嗵魬?zhàn),”Jos承認(rèn)。“多個(gè)客戶會(huì)參考我們的光源路線圖并說(shuō),這是您多年前承諾的,而現(xiàn)實(shí)遠(yuǎn)非如此。他們?cè)?SPIE 幾乎把我們釘在了十字架上?!?/p>
在 2000 年代初期,ASML 開(kāi)始與荷蘭、日本和美國(guó)的幾家 EUV光源的潛在供應(yīng)商合作,其中包括總部位于圣地亞哥的 Cymer。ASML 選擇了 Cymer 的解決方案,后來(lái)在 2013 年收購(gòu)了該公司。但研發(fā)比預(yù)期的要困難得多。設(shè)計(jì)激光產(chǎn)生的等離子體 (LPP) 源涉及以每秒 50,000 次(兩次)撞擊錫液滴以使它們汽化,從而產(chǎn)生比太陽(yáng)表面溫度高 40 倍的等離子體以**** EUV 光。
獲得250W光源
“我們實(shí)際上取得了一些早期的成功,事情看起來(lái)很有希望,我們認(rèn)為這可能并不像我們預(yù)期的那么難!” Danny Brown(EUV 光源系統(tǒng)工程與研究負(fù)責(zé)人)說(shuō)?!暗泻?,我們錯(cuò)了?!?因?yàn)橹饕魬?zhàn)是在全尺寸設(shè)備中實(shí)現(xiàn) 250 W 的功率。盡管遇到了許多挫折,但致力于它的團(tuán)隊(duì)最終還是成功了,并于2021 年 9 月獲得了 Berthold Leibinger 創(chuàng)新獎(jiǎng)。
EUV 將繼續(xù)存在
在我們達(dá)到 250 W 的源功率(這使工廠每小時(shí)可生產(chǎn) 125 片晶圓)并將其工業(yè)化后,隧道的盡頭就在眼前。根據(jù) Jos 的說(shuō)法,我們最終覺(jué)得我們的 EUV 計(jì)劃取得了成功是在 2018 年,當(dāng)時(shí)我們的客戶開(kāi)始在他們的晶圓廠中大力投資新技術(shù)?!八麄兓ㄙM(fèi)數(shù)十億美元建造晶圓廠并購(gòu)買我們的機(jī)器,這表明他們真的相信 EUV?!?/p>
ASML在2020年出貨其第100臺(tái)EUV光刻機(jī)
2019 年,第一款支持 EUV 的商業(yè)產(chǎn)品發(fā)布(三星的 Galaxy Note10 和 Galaxy Note10+ 智能手機(jī))。2020 年 12 月,ASML 慶祝了第 100 臺(tái) EUV 系統(tǒng)出貨,截至 2021 年底,127 臺(tái)最新一代 EUV 機(jī)器在全球客戶所在地使用。“這花了很長(zhǎng)時(shí)間,但 EUV 正在接管邏輯和 DRAM 內(nèi)存的關(guān)鍵層,”Jos解釋說(shuō),“我職業(yè)生涯中最好的時(shí)刻是在 2019 年的一次研討會(huì)上——我拿出了我的三星智能手機(jī)并說(shuō):“我曾經(jīng)天真地說(shuō)EUV將在2006年量產(chǎn)。我可恥地承認(rèn)已經(jīng)晚了13年?!钡S后我揮舞著手機(jī)說(shuō),“但你們中的一些人認(rèn)為這東西永遠(yuǎn)不會(huì)存在?!?”
下一步是什么?EUV 0.55(高數(shù)值孔徑)及以上
為了實(shí)現(xiàn)更小的芯片特性,我們不斷創(chuàng)新,現(xiàn)在正在將我們的 EUV 機(jī)器的數(shù)值孔徑 (NA) 從 0.33 增加到 0.55,這意味著新系統(tǒng)中的光學(xué)器件將允許具有更大入射角的光擊中晶圓,為系統(tǒng)提供更高的分辨率并減小可打印特征的尺寸。Jos 解釋說(shuō):“因?yàn)檫@種新鏡頭根本不同,這意味著我們必須想出一種全新的方法來(lái)制造它并測(cè)量它的特性?!拔覀?cè)诓趟竞屯栴D的團(tuán)隊(duì)正在打破一項(xiàng)又一項(xiàng)世界紀(jì)錄。” 用于研發(fā)目的的首批 EUV 0.55“EXE”機(jī)器計(jì)劃于 2023 年底交付給客戶,我們預(yù)計(jì)它們將在 2025 年用于大批量制造。
但在 2022 年,我們最大的挑戰(zhàn)是將 EUV 系統(tǒng)的產(chǎn)量從每年 40 個(gè)提高到 60 個(gè)左右。根據(jù)我們 EUV 工廠的副總裁 Sheila Leenders 的說(shuō)法,雇用更多的人并建造更多的潔凈室空間只是問(wèn)題的一部分——困難的癥結(jié)在于提高我們供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)的產(chǎn)能以滿足對(duì) EUV 機(jī)器的需求?!拔覀兊墓?yīng)基地正面臨一生的挑戰(zhàn),”她說(shuō)?!拔覀冋谂椭麄?cè)谌蚬?yīng)商需要的地方提高產(chǎn)能并提高可靠性。”
通過(guò)合作克服挑戰(zhàn)
多年來(lái),ASML 克服了許多挫折、意想不到的挑戰(zhàn)和延誤。但是Jos說(shuō),每當(dāng)他們看到一個(gè)新的挑戰(zhàn)迫在眉睫時(shí),他們總是有如何應(yīng)對(duì)它的想法?!巴ㄟ^(guò)我們值得信賴的合作伙伴網(wǎng)絡(luò),我們總能找到解決問(wèn)題的方法,”Jos說(shuō)。
“我們處理任何技術(shù)的方式都是通過(guò)協(xié)作網(wǎng)絡(luò)工作,”他繼續(xù)說(shuō)道?!斑@使我們能夠利用可用的知識(shí)并以‘可接受的’風(fēng)險(xiǎn)狀況取得進(jìn)展?!?/p>
在 EUV 技術(shù)開(kāi)發(fā)的所有階段——研究、工業(yè)化和現(xiàn)在的大批量制造——跨境合作一直是關(guān)鍵。今天,我們從美國(guó)采購(gòu)了一些關(guān)鍵的 EUV 模塊,例如用于光源的液滴發(fā)生器以及傳感器、分劃板處理器和平臺(tái),以及來(lái)自德國(guó)的其他模塊,例如我們的蔡司光學(xué)器件和通快用于 EUV 源的激光器,我們與世界各地的公司和機(jī)構(gòu)合作,繼續(xù)研發(fā)下一代 EUV 機(jī)器。作為事物中心的系統(tǒng)架構(gòu)師,ASML 成功地建立和動(dòng)員了一個(gè)全球生態(tài)系統(tǒng),以將許多人認(rèn)為不可能的技術(shù)工業(yè)化。我們現(xiàn)在滿懷信心地將其用于大批量生產(chǎn)。
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