54億美元并購失敗后，英特爾宣布將為高塔半導(dǎo)體提供代工服務(wù)！

繼此前雙方的54億美元并購案失敗之后，當?shù)貢r間9月5日，英特爾代工服務(wù) (IFS)部門和領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體解決方案代工廠 Tower Semiconductor（高塔半導(dǎo)體）宣布達成一項新的協(xié)議，英特爾將提供代工服務(wù)和 300mm 制造能力可幫助高塔半導(dǎo)體為全球客戶提供服務(wù)。

根據(jù)協(xié)議，高塔半導(dǎo)體將利用英特爾位于新墨西哥州的先進制造工廠。同時，高塔半導(dǎo)體將投資高達 3 億美元購買和擁有將安裝在新墨西哥州工廠的設(shè)備和其他固定資產(chǎn)，為高塔半導(dǎo)體的未來增長提供每月超過60萬個曝光層的新產(chǎn)能，從而使產(chǎn)能能夠支持預(yù)測的客戶需求300mm先進模擬處理需求。

雙方表示，該協(xié)議體現(xiàn)了英特爾和高塔半導(dǎo)體致力于通過無與倫比的解決方案和擴展能力擴大各自代工業(yè)務(wù)的承諾。英特爾將在新墨西哥州里奧蘭喬的英特爾 Fab 11X 工廠生產(chǎn)高塔半導(dǎo)體高度差異化的 65 納米電源管理 BCD（雙極-CMOS-DMOS）流程以及其他流程。

英特爾高級副總裁兼英特爾代工服務(wù)總經(jīng)理斯圖爾特·潘恩 (Stuart Pann) 表示：“我們推出英特爾代工服務(wù)的長遠目標是提供全球首個開放式系統(tǒng)代工廠，將安全、可持續(xù)和彈性的供應(yīng)鏈與英特爾和我們生態(tài)系統(tǒng)的最佳成果。我們很高興 Tower 看到了我們提供的獨特價值，并選擇我們來開放他們的 300 毫米美國產(chǎn)能走廊。”

Tower 首席執(zhí)行官 Russell Ellwanger 表示：“我們很高興繼續(xù)與英特爾合作。展望未來，我們的主要重點是通過大規(guī)模制造領(lǐng)先的技術(shù)解決方案來擴大我們的客戶合作伙伴關(guān)系。與英特爾的合作使我們能夠滿足客戶的需求路線圖，特別關(guān)注先進的電源管理和射頻絕緣體硅 (RF SOI) 解決方案，并計劃于 2024 年進行完整的工藝流程認證。我們認為這是第一步與英特爾共同打造多種獨特的協(xié)同解決方案。”

該協(xié)議展示了IFS 如何幫助客戶進入英特爾全球工廠網(wǎng)絡(luò)（包括美國、歐洲、以色列和亞洲）的制造能力走廊。除了在俄勒岡州的現(xiàn)有投資和計劃在俄亥俄州的投資外，英特爾 40 多年來一直在美國西南部地區(qū)進行投資和創(chuàng)新，在亞利桑那州和新墨西哥州設(shè)有工廠。英特爾此前宣布投資 35 億美元，擴大在新墨西哥州的業(yè)務(wù)，并裝備其創(chuàng)新中心之一的里約蘭喬園區(qū)，用于制造先進的半導(dǎo)體封裝。

對于高塔半導(dǎo)體來說，這是其擴大規(guī)模的下一步，通過行業(yè)領(lǐng)先的 65nm BCD 功率和 RF SOI 技術(shù)在市場上的廣泛采用，為不斷擴大的 300mm 技術(shù)客戶群提供服務(wù)。具體來說，高塔半導(dǎo)體的 65nm BCD 技術(shù)通過其一流的 Rdson 品質(zhì)因數(shù)為客戶提供了更高的功率效率、芯片尺寸和芯片成本。同樣，Tower 的 65nm RF SOI 技術(shù)可幫助客戶降低手機電池消耗，同時通過其一流的 RonCoff 品質(zhì)因數(shù)改善無線連接。該協(xié)議帶來的規(guī)模擴大將使 Tower 不僅能夠利用現(xiàn)有技術(shù)提供更大的機會，而且還能加強與行業(yè)領(lǐng)先客戶的合作伙伴關(guān)系，這將有助于制定強大的下一代技術(shù)路線圖。

英特爾稱，IFS 是英特爾 IDM 2.0 戰(zhàn)略的重要支柱，今天的宣布標志著英特爾在多年轉(zhuǎn)型中又向前邁出了一步，旨在重新獲得并加強技術(shù)領(lǐng)先地位、制造規(guī)模和長期增長。IFS 在過去一年中取得了重大進展，2023 年第二季度收入同比增長超過 300% 就證明了這一點。近期，英特爾還與 Synopsys 達成協(xié)議，開發(fā)基于 IFS 的知識產(chǎn)權(quán)組合，這一動作反應(yīng)了Intel 3 和 Intel 18A 制程節(jié)點的進展。英特爾還獲得了美國國防部的快速保證微電子原型 - 商業(yè) (RAMP-C) 計劃，有五個 RAMP-C 客戶參與了Intel 18A 的設(shè)計。

編輯：芯智訊-林子