SK海力士：9月底量產(chǎn)12層HBM3E

9月4日，在Semicon Taiwan 2024展會期間，SK海力士總裁Kim Ju-Seon（Justin Kim）以“釋放AI內(nèi)存技術(shù)的可能性”為題，分享SK海力士現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品和HBM相關(guān)產(chǎn)品。同時，他還宣布SK海力士將于本月底量產(chǎn)12層HBM3E，開啟HBM關(guān)鍵戰(zhàn)場。

Kim Ju-Seon指出，全世界媒體談?wù)揂I、半導(dǎo)體和ChatGPT，這是新革命，但才剛開始。其中，中國臺灣和韓國是全世界最重視半導(dǎo)體的兩個地區(qū)，因此合作非常重要，除了對業(yè)務(wù)有好處，也能解決技術(shù)面臨的諸多挑戰(zhàn)。因為目前在AI挑戰(zhàn)只處于第一級、未來會持續(xù)發(fā)展至第五級，屆時AI能通過智力和情感層面與人類交流，但這一過程中，將會面臨電力、冷卻和內(nèi)存帶寬需求等方面的挑戰(zhàn)。

目前AI面臨的最大挑戰(zhàn)是電力短缺，預(yù)期數(shù)據(jù)中心到時所需電力是目前的兩倍，只靠可再生能源仍難以滿足需求，電力增加的同時也會帶來發(fā)熱量的增加，因此需要找到更高效散熱的方式。目前SK海力士也努力開發(fā)能效更高、功耗更低、容量更大的AI內(nèi)存，并針對不同應(yīng)用推出相對應(yīng)解決方案。

Kim Ju-Seon表示，目前SK海力士最新的HBM產(chǎn)品是HBM3E，SK海力士也是最早生產(chǎn)8層HBM3E的供應(yīng)商，并將在本月底開始大規(guī)模生產(chǎn)12層HBM3E。

從傳輸帶寬來看，12層堆疊的HBM3E的帶寬將會提升到36GB/s，而下一代的12/16層的HBM4的帶寬將會進(jìn)一步提升到48GB/s。

Kim Ju-Seon進(jìn)一步指出，下一代的HBM4將是首款基于邏輯制程的基礎(chǔ)裸晶（Base die）的產(chǎn)品，將以SK海力士先進(jìn)的HBM技術(shù)搭配臺積電先進(jìn)代工技術(shù)，使HBM4達(dá)到無與倫比的地位，之后將按照客戶需求進(jìn)行量產(chǎn)。

除了已有的HBM3E外，SK海力士也介紹了目前最新的DIMM、企業(yè)級SSD（QLC eSSD）、LPDDR5T、LPDDR6、GDDR7產(chǎn)品。

針對全球制造布局，Kim Ju-Seon表示，目前SK海力士在韓國龍仁市建立新設(shè)施，2027年新廠將進(jìn)行量產(chǎn)，使龍仁聚落成為最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體聚落之一；同時，SK海力士也會到美國印第安納州進(jìn)行投資，計劃2028年營運(yùn)新廠，聚焦HBM先進(jìn)封裝技術(shù)。

最后Kim Ju-Seon表示，SK海力士將專注于AI業(yè)務(wù)，目標(biāo)以AI為中心，以SK集團(tuán)打造AI基礎(chǔ)構(gòu)架，整合電力、軟件、玻璃基板、浸沒式冷卻技術(shù)，同時致力于成為生態(tài)系當(dāng)中核心角色，與合作伙伴一同克服挑戰(zhàn)，在AI時代實現(xiàn)目標(biāo)。

編輯：芯智訊-林子 來源：technews