英飛凌成功研發(fā)出全球首款12英寸GaN晶圓

當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發(fā)出全球首款300毫米功率氮化鎵（GaN）晶圓技術(shù)。

英飛凌是世界上第一家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大批量制造環(huán)境中掌握這項(xiàng)突破性技術(shù)的公司。這一突破將有助于大幅推動(dòng)基于 GaN 的功率半導(dǎo)體市場。與 200 mm 晶圓相比，300 mm 晶圓上的芯片生產(chǎn)在技術(shù)上更先進(jìn)，效率更高，因?yàn)楦蟮木A直徑每個(gè)晶圓可容納 2.3 倍的芯片。

目前基于氮化鎵的功率半導(dǎo)體在工業(yè)、汽車和消費(fèi)、計(jì)算和通信應(yīng)用中得到快速采用，包括AI系統(tǒng)的電源供應(yīng)器、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機(jī)控制系統(tǒng)。最先進(jìn)的 GaN 制造工藝可以提高器件性能，從而為最終客戶的應(yīng)用帶來好處，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)效率性能、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，300 毫米制造通過可擴(kuò)展性確保了卓越的客戶供應(yīng)穩(wěn)定性。

英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這一顯著的成功是我們創(chuàng)新實(shí)力和全球團(tuán)隊(duì)專注工作的結(jié)果，旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統(tǒng)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者的地位。這項(xiàng)技術(shù)突破將改變行業(yè)游戲規(guī)則，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購 GaN Systems 近一年后，我們再次證明我們決心成為快速增長的 GaN 市場的領(lǐng)導(dǎo)者。作為電源系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌掌握了所有三種相關(guān)材料：硅、碳化硅和氮化鎵?！?/p>

據(jù)介紹，英飛凌在其位于奧地利菲拉赫的功率工廠現(xiàn)有的 300 mm 硅生產(chǎn)中，成功地在一條集成試驗(yàn)線上制造了 300 mm GaN 晶圓。該公司正在利用現(xiàn)有 300 mm 硅和 200 mm GaN 生產(chǎn)中的成熟能力。英飛凌將根據(jù)市場需求進(jìn)一步擴(kuò)大 GaN 產(chǎn)能。300 毫米 GaN 制造將使英飛凌能夠塑造不斷增長的 GaN 市場，預(yù)計(jì)到本十年末，該市場將達(dá)到數(shù)十億美元。

這一開創(chuàng)性的技術(shù)成功凸顯了英飛凌作為電源系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。英飛凌正在實(shí)施 300 毫米 GaN，以增強(qiáng)現(xiàn)有并支持新的解決方案和應(yīng)用領(lǐng)域，使其具有越來越經(jīng)濟(jì)高效的價(jià)值主張，并能夠滿足各種客戶系統(tǒng)的需求。英飛凌將在電子展2024 年 11 月在慕尼黑舉行的貿(mào)易展。

300 mm GaN 技術(shù)的一個(gè)顯著優(yōu)勢是它可以利用現(xiàn)有的 300 mm 硅制造設(shè)備，因?yàn)榈壓凸柙谥圃爝^程中非常相似。英飛凌現(xiàn)有的大批量 300 毫米硅生產(chǎn)線非常適合試點(diǎn)可靠的 GaN 技術(shù)，從而加快實(shí)施和高效利用資本。完全按比例生產(chǎn)的 300 毫米 GaN 將有助于 GaN 成本與硅（Si）持平，這意味著同類硅和 GaN 產(chǎn)品的成本將走向持平。

英飛凌表示，300 毫米 GaN 是英飛凌戰(zhàn)略創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位的又一里程碑，支持英飛凌的脫碳和數(shù)字化使命。

編輯：芯智訊-浪客劍