傳三星2nm良率最多20%，已撤出美國泰勒廠人員

9月12日消息，據(jù)韓媒Business Korea報道，由于 2nm 良率持續(xù)存在問題，三星電子已決定從其位于美國的泰勒工廠撤出人員，這標志著其先進的代工業(yè)務遭受重大挫折。該決定是在大規(guī)模生產(chǎn)時間表一再推遲之后做出的，現(xiàn)在量產(chǎn)時間已從原來的2024年底推遲到了2026年。

三星對于美國泰勒工廠最初設想為 4nm以下先進工藝的大規(guī)模生產(chǎn)中心，目的是靠近主要的美國客戶，為他們提供本地化的制造服務。然而，盡管工藝開發(fā)迅速，但三星仍面臨 2nm 良率的挑戰(zhàn)，與其主要競爭對手臺積電相比，不僅性能較低且量產(chǎn)能力不足，良率也更低。

三星的代工良率目前低于 50%，尤其是 3nm以下的工藝，而臺積電的3nm工藝良率約為 60-70%。這種良率差距將兩家公司之間的市場份額差距擴大到 50.8 個百分點，臺積電在第二季度占據(jù)了 62.3% 的全球代工市場，而三星僅為 11.5%。

一位業(yè)內(nèi)人士評論說：“三星的 GAA （應該是指三星2nm制程）良率率在 10-20% 左右，這對于訂單和批量生產(chǎn)來說都是不夠的。這種低良率迫使三星重新考慮其戰(zhàn)略，并從泰勒工廠撤出人員，只留下極少的員工。

報道稱，為了解決良率問題，三星董事長李在镕親自拜訪了 ASML 和 Zeiss 等主要設備供應商，努力尋找工藝和良率改進的突破口。盡管做出了這些努力，但并未取得重大成就，而且將人員重新部署到泰勒工廠的時間仍不確定。

相比之下，臺積電位于美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開始基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺積電位于中國臺灣的南科廠良率相當。

值得注意的是，今年4月，美國商務部宣布已與三星電子簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)《芯片和科學法案》向三星電子提供高達64億美元的直接補貼資金，以加強美國半導體供應鏈的彈性，推進美國的技術領導地位，并增強美國的全球競爭力。

作為協(xié)議的一部，三星承諾未來幾年將在美國德克薩斯州投資金額由原來的170億美元提升至超過400億美元，擬議的投資將把三星在德克薩斯州的現(xiàn)有業(yè)務轉變?yōu)橐粋€全面的生態(tài)系統(tǒng)，用于在美國開發(fā)和生產(chǎn)尖端芯片，包括兩個新的領先邏輯晶圓廠、一個研發(fā)工廠和位于泰勒市的一個先進封裝工廠，以及擴建他們現(xiàn)有的奧斯汀工廠。預計將支持創(chuàng)造超過20,000個就業(yè)機會。

其中，對于德克薩斯州泰勒市的投資將包括兩個領先的邏輯代工廠，專注于4nm和2nm工藝技術的大規(guī)模生產(chǎn)，一個致力于開發(fā)和研究當前生產(chǎn)節(jié)點之前的技術代的研發(fā)工廠，以及一個生產(chǎn)3D高帶寬存儲器和2.5D封裝的先進封裝設施。

現(xiàn)在看來，由于2nm良率問題，三星泰勒工廠的2nm晶圓廠項目將要大幅推后，之前部署的人員撤出也是自然。不過，由于美國“芯片法案”補貼本身就有設置很多限制條款，三星在泰勒工廠的投資進度延后，必然會影響到美國商務部基于“芯片法案”對其承諾的64億美元補貼資金的落實。

編輯：芯智訊-浪客劍