歐洲人重注FDSOI真的只是為了多一種選擇？

歐洲，在半導(dǎo)體版圖上似乎是個尷尬的存在，曾經(jīng)也算是半導(dǎo)體最發(fā)達(dá)的地區(qū)，也曾經(jīng)在全球半導(dǎo)體市場中三分天下有其一，西門子半導(dǎo)體，飛利浦半導(dǎo)體拿出來也算是一代功勛，但是現(xiàn)在整個歐洲的半導(dǎo)體市場卻日漸沒落，即使有ARM這樣的公司成為業(yè)內(nèi)領(lǐng)袖，依然掩飾不住歐洲半導(dǎo)體的集體萎靡。

歐盟一定希望重振半導(dǎo)體市場，至少恢復(fù)到三分天下有其一的程度，縱然做不成絕對領(lǐng)袖，也要偏安一隅，有點(diǎn)自己拿得出手炫耀的技術(shù)和指點(diǎn)江山的資歷。遺憾的是，歐洲半導(dǎo)體廠的排名一路下滑，不僅在半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)方面顯得有些遲滯，而在半導(dǎo)體更為關(guān)鍵的制造技術(shù)上，就算IMEC號稱全球工藝研究權(quán)威，但是無論是Intel還是IBM，亦或三星和臺積電，在工藝的研發(fā)上早已站在更有利的超越位置上，即使歐洲依然有自己最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠，卻也分不清究竟該是歐洲的還是美國甚至中東的控制權(quán)。

所以，雖然現(xiàn)在歐洲還有多條Fab在運(yùn)作，但真正稱得上世界頂級的不外乎GF在德累斯頓的AMD前工廠，以及ST在法國格勒諾布爾的自有生產(chǎn)線。而對于歐洲人來說，再去和美國、中國臺灣或者韓國拼FINFET，拼3D（固然是大勢所趨），但是總有跟人家屁股后面跑的尷尬，再說就算跟風(fēng)就能成功么？對歐盟這樣一個希望全方位對抗美國和亞洲的一體化組織而言，擁有自己的半導(dǎo)體工藝，或者說擁有自己的半導(dǎo)體優(yōu)勢，就是一個現(xiàn)實(shí)意義與象征意義都非常重要的工程，也恰恰因此，ST才被賦予更多堅(jiān)守IDM的責(zé)任，除了Intel和存儲器廠商，ST是目前唯一一個堅(jiān)持走到28nm的企業(yè)，這背后就是歐盟的意愿作為后盾。

FD-SOI，這個面對中國媒體采訪時，ST CEO在紙上默默寫出的技術(shù)名詞，也恰恰是歐盟希望標(biāo)新立異的一顆種子。官方給出的介紹：FD-SOI是下一代低功耗、高性能半導(dǎo)體制程，可取代標(biāo)準(zhǔn)的（“bulk”）硅和FinFET技術(shù)。首批FD-SOI系統(tǒng)級芯片預(yù)計(jì)將被用于消費(fèi)電子、高性能計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。FD-SOI代表“全耗盡型絕緣層上硅”。這項(xiàng)技術(shù)可改進(jìn)晶體管溝道的靜電控制，提高晶體管性能和能效。準(zhǔn)確地講，采用超薄體埋氧層（UTBB）FD-SOI，可動態(tài)調(diào)整晶體管性能，在晶體工作過程中選擇低功耗或高速度。

通俗點(diǎn)，基于平面的 FD-SOI無法媲美3D FINFET在綜合性能上的優(yōu)勢，但是卻可以通過選擇性的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)在成本、功耗或性能以及設(shè)計(jì)簡單化方面擁有其中一個或兩個的優(yōu)勢，比較直接的例子是瀕臨破產(chǎn)的STE在今年1月發(fā)布的L8580，借助FDSOI技術(shù)，把標(biāo)稱值1.8G的ARM核提升到2.5G，500M的GPU提升到600M，表面上看指標(biāo)沖上去的原因就是工藝的革新的結(jié)果。

雖然ST的高管已經(jīng)明確表示FDSOI一定會向14nm進(jìn)發(fā)，最近兩天，有條新聞似乎證明FDSOI確實(shí)會繼續(xù)前行，而其中的部分費(fèi)用不會只有ST一家承擔(dān)。而歐盟的大力推進(jìn)，似乎說明歐洲人希望在標(biāo)準(zhǔn)的3D FINFET工藝之外，擁有一點(diǎn)自己的特殊化，一旦FINFET工藝的導(dǎo)入不夠理想，至少歐洲人手上還有一項(xiàng)技術(shù)可以應(yīng)對14nm的生產(chǎn)調(diào)整，并且在工藝和產(chǎn)品性能上，不會輸給FINFET很多，而這項(xiàng)計(jì)劃也可以有助于IMEC獲得半導(dǎo)體更多的技術(shù)研發(fā)話語權(quán)。

以我所見，多一種選擇沒有錯，但是真的押寶在FDSOI線上，對ST來說是一場不小的賭博，就算賭注有人埋單，輸?shù)舻臅r間和機(jī)遇怎么計(jì)算，對于現(xiàn)在內(nèi)外交困的ST來說，拿一個似乎完全沒有FINFET技術(shù)優(yōu)秀的技術(shù)來進(jìn)行賭博，輸贏的概率可想而知，或許再多說一點(diǎn)，IDM的尊嚴(yán)真的那么重要到超越企業(yè)的未來？當(dāng)然，我說的不是他們自己的MEMS，而是數(shù)字芯片的FDSOI。

至于歐盟，支持一項(xiàng)自己主導(dǎo)的技術(shù)無可厚非，組織部分機(jī)構(gòu)和政府出錢研發(fā)也沒錯，但是看看后面的那些企業(yè)名單，除了ST之外，你真的覺得還有人能站出來撐滿一條14nmFDSOI的日常生產(chǎn)晶圓安排嗎？撐不滿的結(jié)果，就是一個永遠(yuǎn)填不滿的無底洞，關(guān)也不是開也不是，這點(diǎn)，不正是現(xiàn)在GF面臨的尷尬問題嗎？多一種選擇，也許不是為了更好的成功，而是崩塌得更快了！

附注：
Places2Be（“Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe”）項(xiàng)目旨在于支持28納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的FD-SOI試制生產(chǎn)線的部署以及在歐洲實(shí)現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn)的雙貨源。 Places2Be將有助于基于FD-SOI平臺的歐洲微電子設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，同時探索此項(xiàng)技術(shù)向下一個目標(biāo)（14/10納米）發(fā)展的途徑。其中包括，3年期的3.6億歐元項(xiàng)目涉及歐洲來自7個國家的19個組織參與該項(xiàng)目，意法半導(dǎo)體為項(xiàng)目負(fù)責(zé)方；2條FD-SOI試制生產(chǎn)線位于格勒諾布爾的ST廠和德累斯頓的GF廠；Places2Be的投資方為ENIAC JU和國家政府機(jī)關(guān)。在三年項(xiàng)目執(zhí)行期內(nèi)，計(jì)劃約500名工程師在歐洲參與項(xiàng)目研發(fā)活動，Places2Be是ENIAC聯(lián)盟迄今最大的項(xiàng)目，投資方還包括項(xiàng)目成員國的國家機(jī)關(guān)。

Places2Be成員（按字母順序）
? ACREO Swedish ICT AB, 瑞典
? Adixen Vacuum Products, 法國
? Axiom IC, 荷蘭
? Bruco Integrated Circuits, 荷蘭
? Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, 法國
? Dolphin Integration, 法國
? Ericsson AB, 瑞典
? eSilicon Romania S.r.l., 羅馬尼亞
? Forschungzentrum Jülich Gmbh, 德國
? GlobalFoundries Dresden, 德國
? Grenoble INP, 法國
? IMEC Interuniversitair Micro-Electronica Centrum vzw, 比利時
? Ion Beam Services, 法國
? Mentor Graphics France Sarl, 法國
? SOITEC SA, 法國
? ST-Ericsson
? 意法半導(dǎo)體（Crolles2 SAS, SA, Grenoble SAS）， 法國
? Université Catholique de Louvain, 比利時
? University of Twente, 荷蘭