臺內存芯片廠商制程轉換計劃傳因設備交貨期拖延而更變

　　據(jù)內存業(yè)者透露，由于沉浸式光刻設備的交貨日程有所延長，因此南亞，華亞(南亞與鎂光的合資廠)兩家內存芯片制造商今年轉向50nm級別制程節(jié)點的計劃有 可能會后延.而另一家臺系內存芯片廠商瑞晶(力晶與爾必達的合資廠)計劃于今年二月份開始的光刻設備導入計劃也有可能會后延兩個月左右的時間。

　　而南亞和華亞則澄清稱其購買的沉浸式光刻設備將以分期到貨的形式進場，并宣稱此前進場的設備已經按原計劃完成了進貨。

　　按南亞和華亞的計劃，他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術的轉換工作，并將于下半年開始試產40nm制程級別的內存芯片產品。而瑞晶公司則計劃于今年第二季度開始啟用45nm制程技術制造內存芯片.

　　最近Gartner公司曾有一份報告指出，由于設備廠商的193沉浸式光刻機供貨數(shù)量有限，而這種設備又對芯片廠商制程技術升級起著極為關鍵的作用，因此今年芯片產用于采購設備的支出增長將極為有限，而據(jù)原先的預計，今年芯片廠商在設備采購方面的支出將有56.6%的增長幅度。

　　此外，據(jù)光刻機廠商ASML表示，在芯片廠商制程技術升級浪潮的驅動下，該公司接到的光刻機訂單數(shù)量出現(xiàn)了上升態(tài)勢。