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GlobalFoundries宣布開發(fā)20nm工藝 與22nm共存

作者: 時(shí)間:2010-04-27 來(lái)源:驅(qū)動(dòng)之家 收藏

  近日宣布將會(huì)開發(fā)20nm工藝,但與臺(tái)積電不同,新工藝將與 22nm共存,而且GF認(rèn)為這種半代工藝并不會(huì)消失。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/108391.htm

  臺(tái)積電不久前剛剛宣布,將跳過(guò)22nm工藝,改而直接上馬更先進(jìn)的20nm工藝,采用增強(qiáng)型高K金屬柵極(HKMG)、應(yīng)變硅、低電阻銅超低K互聯(lián)等技術(shù),可帶來(lái)更高的柵極密度和芯片性能。在此之前,臺(tái)積電和GF還先后宣布將跳過(guò)32nm Bulk工藝,從40nm直奔28nm。

  GF目前的業(yè)務(wù)主要有兩種,一是繼續(xù)為AMD制造微處理器,二是開拓新的代工業(yè)務(wù),為其他芯片廠商代工更簡(jiǎn)單一些的各類芯片,這就需要新的制造工藝,特別是半代工藝。

  GF公關(guān)總監(jiān)Jon Carvill表示:“我們?cè)谕瑫r(shí)投資于22nm和20nm工藝。半代工藝的需求肯定會(huì)不斷增長(zhǎng),同時(shí)也有微處理器業(yè)務(wù)等大規(guī)模市場(chǎng)需要全代工藝。”

  他同時(shí)指出:“現(xiàn)在談?wù)搹?8nm轉(zhuǎn)向22/20nm工藝所能獲得的確切性能和能效還為時(shí)過(guò)早。隨著(晶體管)幾何尺寸的變小,工藝進(jìn)步的幅度也同樣如此,但這并不意味著(新工藝)沒有此前工藝世代的好處或者更簡(jiǎn)單。”

  Jon Carvill還強(qiáng)調(diào)說(shuō):“在市場(chǎng)上保持半導(dǎo)體工藝的領(lǐng)先需要面臨成本和復(fù)雜性兩方面的挑戰(zhàn)。開發(fā)新的領(lǐng)先工藝會(huì)耗資數(shù)十億美元,建設(shè)新工廠也要花費(fèi)40 多億美元(Fab 2)。這些巨額開銷會(huì)讓很多企業(yè)望而卻步,可能會(huì)帶來(lái)更多合并,以及更多企業(yè)放棄自家生產(chǎn)的模式。”



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