高通明年推28納米Snapdragon芯片產(chǎn)品

　　在日前召開(kāi)的2010高通中國(guó)合作伙伴大會(huì)上，高通CDMA技術(shù)集團(tuán)產(chǎn)品發(fā)展高級(jí)副總裁克里斯蒂安諾·阿蒙介紹稱，高通將在明年推下一代基于28納米規(guī)格的Snapdragon芯片系列產(chǎn)品，在芯片圖形處理能力方面將是目前Snapdragon芯片的4倍。

　　據(jù)阿蒙介紹，在明年推出的Snapdragon芯片中將出現(xiàn)全球首款多模3G/4G集成式芯片，在CPU方面采用新型微架構(gòu)，將性能提升5倍以上。對(duì)于無(wú)線芯片而言性能只是芯片指標(biāo)之一，然而功耗則是另一個(gè)重要指標(biāo)，“明天推出的28納米的下一代Snapdragon芯片在功耗性能方面降低75%左右。”

　　阿蒙表示，Snapdragon在CPU和圖形處理方面均有很大提升，同時(shí)在功耗方面進(jìn)行有效控制，在無(wú)線芯片兩大要素方面均有大幅度提升。

　　目前，高通的Snapdragon芯片品牌已經(jīng)成為了行業(yè)的標(biāo)桿，同時(shí)也開(kāi)創(chuàng)了無(wú)線芯片超于GHz主頻的門檻，有數(shù)據(jù)顯示，目前高通的合作伙伴已推出了55款基于Snapdragon芯片的終端，而在2010財(cái)年，高通公司MSM芯片總出貨量達(dá)到3.99億片，同比增長(zhǎng)26%。微架構(gòu)，將性能提升5倍以上。對(duì)于無(wú)線芯片而言性能只是芯片指標(biāo)之一，然而功耗則是另一個(gè)重要指標(biāo)，“明天推出的28納米的下一代Snapdragon芯