韓DRAM微細(xì)制程比重高
據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲(chǔ)器芯片業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì),維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán),尤其40納米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大,使韓國(guó)企業(yè)市占率隨之?dāng)U大,在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績(jī),其它DRAM業(yè)者因轉(zhuǎn)換制程時(shí)機(jī)較晚,第1季營(yíng)收多不理想。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/119818.htm外電報(bào)導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)等韓國(guó)DRAM半導(dǎo)體業(yè)者40納米等級(jí)制程比重超過50%以上。而美國(guó)美光(Micron)、日本爾必達(dá)(Elpida)、臺(tái)廠南亞等競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者40納米等級(jí)制程比重未滿20~40%,華亞和力晶等比重則停留在約10%。
最早轉(zhuǎn)換微細(xì)制程的三星將50納米等級(jí)制程減少21%,并將40納米制程大幅提升至75%。且三星也是DRAM業(yè)界中唯一將制程擴(kuò)大到30納米等級(jí)的業(yè)者,比重占4%。
海力士則緊跟在三星之后。海力士的60納米制程比重占1%、50納米制程比重占34%、40納米制程占65%等,其中以40納米制程占比重最高。
美光、爾必達(dá)、南亞等競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者仍以50納米制程比重較高,美光50納米制程比重占72%,南亞則接近70%。爾必達(dá)40納米制程比重占41%,雖然整體來說40納米制程占比最高,但60納米和50納米制程合計(jì)占比達(dá)60%,比重過半,與韓國(guó)業(yè)者相比仍有很大差異。
韓國(guó)業(yè)者逐漸將生產(chǎn)主力轉(zhuǎn)換到40納米制程,制程轉(zhuǎn)換已大部分整理完成,美光則還有1%采70納米制程,7%為60納米制程,爾必達(dá)也還有25%使用60奈米制程。
韓國(guó)相關(guān)業(yè)者表示,爾必達(dá)宣布2011年7月將會(huì)投入20納米制程量產(chǎn),但目前轉(zhuǎn)換到40納米制程的比重仍偏低,甚至無法進(jìn)入30納米制程,較難立即轉(zhuǎn)換到20納米制程。韓國(guó)業(yè)者也認(rèn)為,60納米制程比重至今仍達(dá)4分之1,可能是轉(zhuǎn)換新制程上遭遇瓶頸的間接性證據(jù)。
除此之外,臺(tái)廠華亞科和力晶40納米制程比重各為13%和11%,在轉(zhuǎn)換微細(xì)制程方面速度仍偏緩。
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