高通宣布推出第三代LTE芯片組
高通公司(NASDAQ:QCOM)日前宣布其下一代Gobi™調(diào)制解調(diào)器芯片組MDM8225™、MDM9225™和MDM9625™將于2012年第四季度開始出樣,這三款芯片組也是首批支持HSPA+版本10和下一代LTE移動寬帶標(biāo)準(zhǔn)LTE增強(qiáng)型的芯片組。MDM9225和MDM9625芯片組也將是首批支持LTE載波聚合和數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)150 Mbps的真正LTE Category 4的芯片組,使網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商可以提升其LTE服務(wù)區(qū)域的寬帶速度。這幾款芯片組采用28納米制造工藝,在性能和功耗方面均有顯著提升,并將支持多種移動寬帶技術(shù),為智能手機(jī)、平板電腦、超便攜筆記本電腦、便攜式無線熱點(diǎn)設(shè)備、數(shù)據(jù)收發(fā)器和客戶前提設(shè)備提供同類最佳的移動寬帶體驗(yàn)。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/129636.htmLTE載波聚合是一項(xiàng)重要技術(shù),可以在一個頻段內(nèi)及跨頻段將多個無線電信道結(jié)合在一起,從而提高用戶的數(shù)據(jù)傳輸速率,減少延遲,并為沒有20 MHz連續(xù)頻譜的運(yùn)營商提供Category 4功能。MDM9225和MDM9625芯片組是目前唯一能夠支持載波聚合技術(shù)的移動寬帶芯片組,OEM廠商可以利用這些芯片組打造能夠充分利用LTE增強(qiáng)型網(wǎng)絡(luò)優(yōu)勢的終端。
MDM9225和MDM9625芯片組是高通公司的第三代LTE調(diào)制解調(diào)器芯片組。除了同時支持LTE增強(qiáng)型(LTE版本10)和HSPA+版本10(包括84 Mbps的雙載波HSDPA),還向后兼容其它標(biāo)準(zhǔn),包括EV-DO增強(qiáng)型、TD-SCDMA和GSM。這兩款芯片組將業(yè)界唯一可整合7種不同無線電接入模式的調(diào)制解調(diào)器集成到了一款單基帶芯片上,其中包括:CDMA2000(1X、DO)、GSM/EDGE、UMTS(WCDMA、TD-SCDMA)以及LTE(LTE-FDD 和 LTE-TDD)。這使得OEM廠商可以設(shè)計出能夠在全球各地日益多樣化的無線電網(wǎng)絡(luò)上部署和配置的各種移動終端。
高通公司CDMA技術(shù)集團(tuán)產(chǎn)品發(fā)展高級副總裁克里斯蒂安諾•阿蒙表示:“我們最新一代的Gobi調(diào)制解調(diào)器芯片組將使OEM廠商能夠設(shè)計可以運(yùn)行在全球各地幾乎所有移動寬帶網(wǎng)絡(luò)上的產(chǎn)品。除了支持最新的移動寬帶技術(shù)外,相比高通公司之前的7模28納米LTE芯片組(MDM9x15),這些芯片組還降低了功耗,并減少了整體電路板面積,使OEM廠商可以設(shè)計更小、更輕薄且電池續(xù)航時間更長的終端。”
此外,通過一個功能豐富、基于Linux應(yīng)用程序開發(fā)環(huán)境和可選移動接入點(diǎn)軟件棧,第三代Gobi調(diào)制解調(diào)器芯片組提供了一個集成的應(yīng)用處理器和多個硬件加速器??蛻艨梢岳脩?yīng)用程序開發(fā)環(huán)境創(chuàng)建增值應(yīng)用程序,使其基于MDM8225/9x25芯片組的終端能做到差異化。如果搭配使用高通創(chuàng)銳訊AR6003或AR6004芯片組,移動接入點(diǎn)軟件棧使客戶能夠設(shè)計高性能、低功耗的便攜式和固定式802.11n路由器。這些路由器將為具備Wi-Fi功能的終端提供高達(dá)150 Mbps的數(shù)據(jù)連接。
MDM8225芯片組僅支持UMTS終端,MDM9225芯片組支持LTE和UMTS終端,而MDM9625芯片組則支持LTE、UMTS和CDMA2000終端。三款芯片組預(yù)計將于2012年第四季度開始出樣。
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