閃存S29AL016D在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的應(yīng)用

0 引言
隨著數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)智能化程度的越來越高，經(jīng)常需要在無人干預(yù)的情況下，自動(dòng)加載某些數(shù)據(jù)或參數(shù)到系統(tǒng)工作單元，以保證系統(tǒng)的正常工作。這些數(shù)據(jù)或參數(shù)通常都以數(shù)據(jù)文件形式保存在大容量、低功耗、可快速重復(fù)擦寫的存儲(chǔ)器中，而且掉電后數(shù)據(jù)不丟失，以便用戶根據(jù)需要隨時(shí)讀取。S29AL016D70能很好的滿足這些需求。

1 閃存S29AL016D簡介
1．1 主要性能
S29AL016D70是Spansion公司生產(chǎn)的容量為2Mx8 bit／1 Mx16 bit的閃存器件，該器件采用3 V供電，訪問時(shí)間為70 ns，工作溫度范圍為-40℃～125℃，靜態(tài)電流200 nA，讀數(shù)據(jù)電流為9 mA，擦寫數(shù)據(jù)電流為20 mA可擦寫次數(shù)在一百萬次以上，具有存儲(chǔ)容量大，速度快，功耗低等優(yōu)點(diǎn)。S29AL016D的芯片邏輯圖如圖1所示。其中，A0～A19和D0～D15分別為地址線和數(shù)據(jù)線，CE為片選信號(hào)，低有效；OE為輸出使能信號(hào)，低有效；WE是寫選通信號(hào)，低有效；BYTE為8位或16位數(shù)據(jù)模式選擇端，低電平為8位，高電平為16位。采用8位模式時(shí)，DO～D7為有效數(shù)據(jù)線，D15為地址線：RY/BY為準(zhǔn)備好和忙狀態(tài)輸出。S29AL016D70內(nèi)部包括35個(gè)數(shù)據(jù)段(Sector)，其中段0到段30為64 KB，段31為32KB，段32、33為8 KB，段34為16 KB。
1．2 操作模式
S29AL016D70的操作模式如表1所列，實(shí)際工作中，經(jīng)常用到的操作包括片擦除、段擦除、寫入數(shù)據(jù)、讀出數(shù)據(jù)等。

2 應(yīng)用設(shè)計(jì)
2．1 硬件設(shè)計(jì)
根據(jù)設(shè)計(jì)需要，可利用數(shù)字信號(hào)處理器DSP通過雙口RAM和232串行通信獲得數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)保存在FLASH對(duì)應(yīng)地址。

FLASH的數(shù)據(jù)讀寫有8位數(shù)據(jù)讀寫和16位數(shù)據(jù)讀寫兩種方式。
利用232串口通信時(shí)，收發(fā)的數(shù)據(jù)大多都是8位。若在16位數(shù)據(jù)工作模式下，直接寫入要浪費(fèi)一半存儲(chǔ)區(qū)，否則需將兩個(gè)8位字節(jié)數(shù)據(jù)拼成一個(gè)16位字?jǐn)?shù)據(jù)再寫入，也會(huì)消耗很多工作時(shí)間，而采用8位數(shù)據(jù)工作模式，則不需要進(jìn)行數(shù)據(jù)拼接，使用比較方便。因此，實(shí)際工作中，大多采用8位數(shù)據(jù)工作模式。同樣，雙口RAM也采用8位數(shù)據(jù)的雙口RAM，設(shè)計(jì)中可使用IDT7132。圖2所示是其硬件連接原理圖。

工作中，若采用16位數(shù)據(jù)工作模式，只需將FLASH芯片的BYTE腳接至高電平即可。

2．2 操作模式
要向FLASH寫入數(shù)據(jù)，必須先對(duì)FLASH進(jìn)行擦除操作。擦出操作可通過給FIASH芯片寫入擦除指令時(shí)序來完成，擦除的結(jié)果是將FLASH存儲(chǔ)區(qū)中所有數(shù)據(jù)變?yōu)?xff(8位)或0xffff(16位)，這樣，可以方便地寫入數(shù)據(jù)。