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直流變換器中微型變壓器的電氣性能

作者: 時(shí)間:2012-11-03 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1 前言

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/176028.htm

減小便攜式電子裝置體積的發(fā)展趨勢(shì),正推動(dòng)著電感器、電容器、這類無(wú)源元件在硅基片的集成。過去十年,對(duì)硅基片上磁性薄膜元件的設(shè)計(jì)、制造和特性進(jìn)行過很多研究。已開發(fā)出的和電感器的制造工藝,多數(shù)都采用電沉積技術(shù)。有人已證明了用薄膜磁性元件與其他功率變換用元件集成的可行性。已制成了與肖特基二極管集成的薄膜。有人把薄膜電感器集成到集成功率開關(guān)和控制電路系統(tǒng)上,制成一種1W,但達(dá)到的功率密度,其典型值為1W/級(jí)。其他人達(dá)到了較高的功率密度,他們報(bào)道的變壓器的功率密度22.4W/,效率為43%。最近,還有人報(bào)告了他們使用薄膜電感器的,其效率高達(dá)83%,輸出功率1.5W。

本文介紹提高功率密度和效率的新設(shè)計(jì)與制造技術(shù)。要優(yōu)化微型變壓器的設(shè)計(jì),必須有一種能夠快速評(píng)價(jià)多種變壓器設(shè)計(jì)的模擬技術(shù)。與繁瑣的數(shù)字法相反,采用分析法進(jìn)行模擬。本文介紹制得的E型磁芯微型變壓器的及其在中的應(yīng)用,把測(cè)量結(jié)果同分析模擬的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。

2 微型變壓器的設(shè)計(jì)與制作

變壓器結(jié)構(gòu)的平面圖示于圖1,這是一種E磁芯型微型變壓器,由兩個(gè)交錯(cuò)運(yùn)動(dòng)場(chǎng)式電磁隔離線圈夾在磁性材料薄層之間構(gòu)成。有人已證明,采用E型磁芯設(shè)計(jì),比環(huán)型磁芯功率密度高。采用不同的幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)成變壓器系列,工作頻率均為5MHz。每種器件設(shè)計(jì)的詳細(xì)資料列于表1中。

變壓器采用光刻和濺射、電鍍沉積法制作在硅基片上。用電鍍坡莫合金(),形成變壓器磁芯。用介電材料(BCB),使底部磁芯與導(dǎo)體絕緣。經(jīng)過厚光刻膠圖形電鍍銅,制成厚43μm的繞組。然后把這種光刻膠旋涂在導(dǎo)體上,在導(dǎo)體和頂層磁芯之間形成絕緣層。最后,電鍍頂層坡莫合金,制成使頂層磁芯底部磁芯相連接的圖形,構(gòu)成閉合磁芯。制得的微型變壓器示如圖2。把最終制成的器件切成小塊,用板上片式技術(shù)單個(gè)封裝。

3

封裝好的變壓器的參數(shù),用HP4195型阻擾分析儀測(cè)定。圖3繪出B、C、D、E四種微型變壓器的開路電感測(cè)量值。在所有情況下,到5MHz以前的電感量都保持恒定。磁芯最長(zhǎng)(17mm)的變壓器D,電感值(0.9μH)最大。

4 微型變壓器模擬

為了徹底弄清制成的變壓器特性并能預(yù)測(cè)它們的指標(biāo),必須對(duì)磁結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬??梢杂糜邢拊?ANSOFT麥克斯韋二維法),精確預(yù)測(cè)指標(biāo):采用渦流場(chǎng)計(jì)算器,并認(rèn)為磁性材料是線性的。但要探索其優(yōu)化措施,還是用速度較快的模擬程序更好一些。因此,采用分析法來(lái)模擬變壓器。

分析模型建立在確定變壓器等效電路模擬各單元的基礎(chǔ)上,其中忽略寄生電容。與頻率相關(guān)的電阻和漏感,用Dowell提出的方法計(jì)算。雖然只考慮了一維作用,但發(fā)現(xiàn)這種方法用于單層高寬比大的線圈是合理的。增大導(dǎo)體的高寬比,可以提高這種模擬的精確度。計(jì)算磁芯電感和電阻Rc,采用建立在無(wú)限長(zhǎng)薄膜內(nèi)一維解麥克斯韋方程基礎(chǔ)上的磁芯模型。由此可以得到磁芯電感及其中的渦流損耗與頻率相關(guān)模型。分析中,不包括磁芯中的磁滯損耗。

微型變壓器D開路(Los)和短路(Lsc)電感量隨頻率變化的測(cè)量值和用分析模型計(jì)算值之間的比較,圖中同時(shí)繪出了用有限元分析法得到的仿真值。在運(yùn)用分析模型和FEA仿真這兩種情況下,同測(cè)量值比較,磁性材料參數(shù)必須為已知值。坡莫合金層的電導(dǎo)率用四點(diǎn)探測(cè)法測(cè)定,其磁導(dǎo)率根據(jù)用環(huán)形式樣測(cè)得的電感量確定?! 膱D4看出,開路電感測(cè)量值與模擬值十分接近。短路測(cè)量可給出微型變壓器漏感的概念。但是低頻下,因磁化電感量很小,磁化電阻抗也很小,這種變壓器不能看作為理想變壓器工作。其結(jié)果是,短路測(cè)量時(shí)部分磁化電感量(Lm)被反射。從1MHz起,測(cè)得的短路電感值(0.4μH)只考慮了漏感(L1);同用有限元仿真預(yù)測(cè)的漏感對(duì)比,可以確定這個(gè)漏感值。分析模擬在全頻段范圍內(nèi)同測(cè)量完全相符。

變壓器D在開路和短路中測(cè)得的和模擬的電阻值隨頻率變化的曲線進(jìn)行對(duì)比。到1MHz以前,其電阻值大約為1Ω。圖中這種低電阻說(shuō)明,厚銅導(dǎo)體涂層(43μm)是對(duì)的。超過1MHz,結(jié)構(gòu)中損耗使電阻增大。可以精確預(yù)測(cè)繞組的損耗。不過,高頻下?lián)p耗中磁芯損耗(渦流損耗和磁滯損耗)占優(yōu)勢(shì)。由于這種模型不包括磁滯損耗,這就部分地說(shuō)明為什么要從20MHz開始,此種分析模擬與測(cè)量不相符。還要注意到,在這個(gè)頻率附近器件達(dá)到共振頻率(70MHz),因此,電容作用可能使電阻再增大。

根據(jù)上述分析可以得出結(jié)論:分析模擬法可令人滿意地表達(dá)變壓器的開路和短路特性,特別是在到5MHz實(shí)用的工作頻率范圍以內(nèi)。


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評(píng)論


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