基于MAX5026的單光子探測器直流偏壓源設(shè)計

1 引 言

　　單光子探測是一種檢測極微弱光的方法，在近紅外波段，雪崩光電二極管(APD)是探測極微弱光的主要器件之一。APD是一種能實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換且具有內(nèi)部增益的高靈敏度光電探測器，其工作電壓不高，噪聲相對較小，非常適合極微弱光信號(如單個光子信號)的探測。

　　由于單光子探測是在高技術(shù)領(lǐng)域的重要地位，他已經(jīng)成為各發(fā)達國家光電子學(xué)重點研究的課題之一。在量子密鑰分發(fā)、天文測光、分子生物學(xué)、超高分辨率光譜學(xué)、非線形光學(xué)、光時域反射等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域中，都涉及到極微弱光信號的檢測問題。在量子密鑰分發(fā)系統(tǒng)中，量子信息的載體是單光子，如何將攜帶信息的單光子探測出來是實現(xiàn)量子密鑰分發(fā)的關(guān)鍵。APD是實現(xiàn)單光子探測的核心器件。在單光子探測器設(shè)計中，為了開發(fā)APD的極限靈敏度，APD必須置于反向偏壓(Vb)稍高于雪崩擊穿電壓(Vbr)之上，即所謂的蓋格(Gerger Mode)模式下工作，使APD的雪崩增益M取最佳值MOPT，才能達到較高的探測效率。然而在蓋格模式時，APD的雪崩增益M不僅與環(huán)境溫度T還與其直流偏壓Vb的大小密切相關(guān)。

　　2 蓋格模式下APD雪崩特性

　　雪崩光電二極管的雪崩增益M的大小與電子或空穴的有關(guān)，其雪崩過程是一個復(fù)雜的隨機過程，通常用平均雪崩增益M來表示。M與擊穿電壓Vbr、偏置電壓Vb的關(guān)系可用以下經(jīng)驗公式來描述：

　　
其中n是與溫度有關(guān)的特性指數(shù)(在2.5～7之間變化，取決于光電材料)。從公式可以看出，APD可以工作在兩種方式下：一是偏置電壓小于擊穿電壓，然而在這種情況下雪崩增益過小，不足以捕捉到單個光子信號。二是偏置電壓稍高于擊穿電壓，理論上雪崩增益為無窮大，一個注入耗盡層載流子就能觸發(fā)APD雪崩，產(chǎn)生mA量級的電流，使單光子探測成為可能。由此可見，APD的雪崩增益M僅與其反向偏壓Vb大小密切相關(guān)。因此，為了獲得最佳的雪崩增益MOPT，APD的偏壓控制電路設(shè)計顯得尤為重要。

　　當(dāng)APD的反向偏置電壓高于雪崩擊穿電壓時，偏壓的任何微小抖動都能改變APDs結(jié)區(qū)場強的大小，不但能影響到APD的雪崩增益M還會為探測器帶來了非光子脈沖噪聲，如散粒噪聲、附加噪聲等。因此，用作單光子探測器的APD偏壓源必須滿足下列條件：第一，電壓要足夠高，能夠達到APD的雪崩擊穿電壓以上；第二，能夠提供足夠的電流，滿足APD雪崩時電流迅速增大的要求；第三，要有足夠小的紋波，盡量減小由于電源電壓抖動帶來的噪聲。這就意味著APD的反向偏置電壓的電壓穩(wěn)定性足夠的高。

　　3 連續(xù)可調(diào)APD直流偏壓源

　　由線性元件構(gòu)成的線性電源電路中，電壓調(diào)整管要工作在放大狀態(tài)，發(fā)熱量大，效率低，需要加體積龐大的散熱片，此外，同樣也是大體積的工頻變壓器也會帶來工頻干擾，單光子探測器核心器件APD若沒做好足夠的電磁屏蔽，也會為探測帶來額外的誤差。在較高直流電壓輸出時，要作到高穩(wěn)定度和低紋波輸出，在電路設(shè)計上較復(fù)雜。

　　MAX5026是MAXIM公司生產(chǎn)的固定頻率、脈沖寬度可調(diào)的低噪聲升壓轉(zhuǎn)換器，是一個專門為APD，LCD，低噪聲變?nèi)荻O管等提供直流偏置電源的表帖元件。其內(nèi)部的橫向DMOS開關(guān)器件頻率固定為500 kHz，且具有40 V的耐壓極限。工作時使用一個工作于非連續(xù)電流模式的電感L，故意減慢開關(guān)速度，用來降低高頻電壓毛刺。開關(guān)速度的降低還能減小高頻di/dt和dv/dt速率，最大限度地減小了通過電流環(huán)、印刷電路板線條和元件管腳問的電容向周圍電路輻射或傳導(dǎo)進來的噪聲，近一步減小可能帶來的噪聲。