用于測(cè)試電容的電路

電解電容會(huì)隨時(shí)間而泄漏。圖1中的電路可以用來(lái)測(cè)試電容，決定它們是否值得使用。通過(guò)CREF/RREF比值可以設(shè)定對(duì)泄漏的限制條件。圖中的值適用于所有電容的一般測(cè)試，從1nF的陶瓷電容，到1000μF的電解電容。電路中，CREF的值接近于待測(cè)電容值CX。另外也可以用旋轉(zhuǎn)切換的方法選擇RREF，使之大于或小于22 MΩ。

當(dāng)按鍵開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，電容CREF與CX通過(guò)各自相應(yīng)的PNP晶體管充電。當(dāng)開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)，這些電容開(kāi)始放電。CREF(假設(shè)處于良好狀況)有額外的放電外接電阻。而待測(cè)電容CX則通過(guò)自己的內(nèi)阻放電。如果CX的泄漏大于CREF通過(guò)RREF的泄漏，則CX電壓下降得更快。于是，運(yùn)放非反相輸入端的電壓會(huì)低于反相輸入端，使運(yùn)放輸出為低，使紅色LED發(fā)光。這只LED用于表示被測(cè)電容有泄漏。對(duì)電路的測(cè)試表明，甚至1nF的陶瓷電容都能檢測(cè)。檢查測(cè)試電容的額定值，確保其高于將充電的電壓值，此時(shí)VSUPPLY 為-1.8V。

LF357的最低供電電壓為10V，但測(cè)試只需要6V，因此測(cè)試電容允許有一個(gè)低的上限電壓。要確認(rèn)電容有FET或MOSFET的輸入級(jí)。