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優(yōu)化FPGA功耗的設計技術

作者: 時間:2010-02-25 來源:網(wǎng)絡 收藏

無論從微觀到宏觀、從延長電池壽命到減少全球變暖的溫室效應等等,各種不同因素都在迅速推動系統(tǒng)設計人員關注節(jié)能問題。一項有關設計優(yōu)先考慮事項的最新調(diào)查指出,大部分工程師已把排在首位,或者是將其緊跟在性能、密度和成本之后。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/191790.htm

方面,帶來了獨特的挑戰(zhàn)。系統(tǒng)設計人員只要能夠透徹充分的了解這些挑戰(zhàn),以及應對挑戰(zhàn)所需的新技術、新方法和新工具,就能夠發(fā)揮基于的便攜式系統(tǒng)的部署優(yōu)勢。隨著業(yè)界越來越多地采用,為更廣泛的應用產(chǎn)品提供靈活性并加快其上市速度,這點便顯得愈加重要。

評估某個FPGA架構(gòu)是否適用于現(xiàn)今的功率敏感應用,必須深入研究功率方程。要做到這一點,我們可以在投入可行設計解決方案(劃分、時鐘和功率門控、電壓分軌等等)前, 對FPGA的功率特性及其影響進行分析,并使用優(yōu)化工具來實現(xiàn)。

實現(xiàn)低設計

根據(jù)所選FPGA技術類型的不同,電源可以看成是由靜態(tài)、動態(tài)、上電(或浪涌)、配置以及不同低功耗模式等成分組成。

靜態(tài)和動態(tài)電源是所有IC設計人員都熟知的問題。靜態(tài)電源源于以下幾種形式的泄漏電流:亞閾值泄漏、結(jié)泄漏、柵致漏極泄漏(GIDL)和柵極泄漏。動態(tài)電源則指器件工作期間的電源,與所用功能性資源(邏輯區(qū)塊、時鐘樹、嵌入式RAM、PLL等) 、I/O上的負載和阻抗終端、時鐘頻率、數(shù)據(jù)模式以及到達動態(tài)特性、信號活動或觸發(fā)率,以及信號靜態(tài)概率等因素有關。

在設計易失性SRAM FPGA解決方案時,除靜態(tài)和動態(tài)電源之外,設計人員還必須考慮到其它三種電源成分。在系統(tǒng)與器件功能性上電期間,浪涌電源和配置電源可能會意義重大,就如同睡眠(靜態(tài))模式下所需的電源一般。除此之外,由于SRAM FPGA是易失性的,它們必須通過一個外部設備驅(qū)動程序(通常保存在PROM中)來啟動,這增加了系統(tǒng)的額外功耗和啟動延時。

雖然SRAM FPGA供應商不斷努力降低產(chǎn)品功耗,但市面上的這些器件仍然耗能過高,從而極大增加了總體的系統(tǒng)功耗,尤其是將幾個FPGA安裝于單個電路板上,或者是不同電路板的FPGA共用一個電源時。對于需要頻繁開/關的系統(tǒng),這種影響則更大,所以估算電池壽命時必須將之考慮在內(nèi)。因此,在為基于SRAM的可編程器件確定電源大小或選擇電池時,系統(tǒng)設計人員務必要考慮到配置和浪涌電源。另一方面,真正的FLASH FPGA是非易失性的,不會產(chǎn)生浪涌或配置電流,而且總體靜態(tài)功耗較低,這樣一來,設計任務就比較簡單,功耗亦大大減小(圖1)。

圖1:易失性SRAM FPGA與非易失性真正 FLASH FPGA的電流曲線比較


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關鍵詞: FPGA 功耗 設計技術

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