存儲“芯”發(fā)展 剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

　　Intel/美光：容量最高的3D NAND閃存

　　這幾家廠商中，Intel、美光的3D NAND閃存來的最晚，去年才算正式亮相，不過好菜不怕晚，雖然進度上落后了點，但IMFT的3D NAND有很多獨特之處，首先是他們的3D NAND第一款采用FG浮柵極技術(shù)量產(chǎn)的，所以在成本及容量上更有優(yōu)勢，其MLC類型閃存核心容量就有256Gb，而TLC閃存則可以做到384Gb，是目前TLC類型3D NAND閃存中容量最大的。

　　美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的

　　384Gb容量還不終點，今年的ISSCC大會上美光還公布了容量高達768Gb的3D NAND閃存論文，雖然短時間可能不會量產(chǎn)，但已經(jīng)給人帶來了希望。

　　Intel的殺手锏：3D XPoint閃存

　　IMFT在3D NAND閃存上進展緩慢已經(jīng)引起了Intel的不滿，雖然雙方表面上還很和諧，但不論是16nm閃存還是3D閃存，Intel跟美光似乎都有分歧，最明顯的例子就是Intel都開始采納友商的閃存供應了，最近發(fā)布的540s系列硬盤就用了SK Hynix的16nm TLC閃存，沒有用IMFT的。

　　Intel、美光不合的證據(jù)還有最明顯的例子——那就是Intel甩開美光在中國大連投資55億升級晶圓廠，準備量產(chǎn)新一代閃存，很可能就是3D XPoint閃存，這可是Intel的殺手锏。

　　3D XPoint閃存是Intel掌控未來NAND市場的殺手锏

　　這個3D XPoint閃存我們之前也報道過很多了，根據(jù)Intel官方說法，3D XPoint閃存各方面都超越了目前的內(nèi)存及閃存，性能是普通顯存的1000倍，可靠性也是普通閃存的1000倍，容量密度是內(nèi)存的10倍，而且是非易失性的，斷電也不會損失數(shù)據(jù)。

　　由于還沒有上市，而且Intel對3D XPoint閃存口風很嚴，所以我們無法確定3D XPpoint閃存背后到底是什么，不過比較靠譜的說法是基于PCM相變存儲技術(shù)，Intel本來就是做存儲技術(shù)起家的，雖然現(xiàn)在的主業(yè)是處理器，但存儲技術(shù)從來沒放松，在PCM相變技術(shù)上也研究了20多年了，現(xiàn)在率先取得突破也不是沒可能。

　　相比目前的3D NAND閃存，3D XPoint閃存有可能革掉NAND及DRAM內(nèi)存的命，因為它同時具備這兩方面的優(yōu)勢，所以除了做各種規(guī)格的SSD硬盤之外，Intel還準備推出DIMM插槽的3D XPoint硬盤，現(xiàn)在還不能取代DDR內(nèi)存，但未來一切皆有可能。

　　最后再回到我們開頭提到的問題上——中國大陸現(xiàn)在也把存儲芯片作為重點來抓，武漢新芯科技(XMC)已經(jīng)在武漢開工建設(shè)12英寸晶圓廠，第一個目標就是NAND閃存，而且是直接切入3D NAND閃存，他們的3D NAND技術(shù)來源于飛索半導體(Spansion)，而后者又是1993年AMD和富士通把雙方的NOR閃存部門合并而來，后來他們又被賽普拉斯半導體以40億美元的價格收購。

　　2015年新芯科技與飛索半導體達成了合作協(xié)議，雙方合作研發(fā)、生產(chǎn)3D NAND閃存，主要以后者的MirrorBit閃存技術(shù)為基礎(chǔ)。不過小編搜遍了網(wǎng)絡(luò)也沒找到多少有關(guān)MirrorBit的技術(shù)資料。這兩家公司的閃存技術(shù)多是NOR領(lǐng)域的，3D NAND顯然是比不過三星、SK Hynix及東芝等公司的，有一種說法是MirrorBit的堆棧層數(shù)只有8層，如果真是這樣，相比主流的32-48層堆棧就差很遠了，成本上不會有什么優(yōu)勢。