ISSCC2007帶領(lǐng)制程技術(shù)跨越65nm障礙

每年一次的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)，2007年也在眾多業(yè)者發(fā)表最新研發(fā)成果的聲勢下，2月15日正式劃下句點(diǎn)，而支撐起這個(gè)句點(diǎn)的背后，更是無數(shù)令人贊嘆的焦點(diǎn)和研發(fā)成果。就如同過去一樣，當(dāng)ISSCC結(jié)束后，審視會(huì)議的各項(xiàng)研究發(fā)表，可以發(fā)現(xiàn)，在未來半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步速度，已經(jīng)快要超乎摩爾當(dāng)初的預(yù)期，而發(fā)展的方向從制程的細(xì)微化、邏輯閘數(shù)量，開始朝向低功耗、多元化材料、多運(yùn)算功能發(fā)展，也就是說，不僅深度呈現(xiàn)跳躍式的的進(jìn)步，在廣度的部份，更是涵蓋了更為寬闊的應(yīng)用和成長。

2007年的ISSCC從2月11日展開，整個(gè)活動(dòng)為期5天，前后2天分別是研討會(huì)形式的演講，而中間的1214日三天則是各業(yè)者研發(fā)成果的發(fā)表。整個(gè)活動(dòng)會(huì)場，從11日開始便圍繞在低耗電、高速和高效能的氣氛之中，其中，包括來自英特爾、IBM、東芝、索尼計(jì)算機(jī)娛樂等大廠的演講，更是成為所有參觀者注目的焦點(diǎn)。

對于65nm制程的跨越　DFM扮演相當(dāng)關(guān)鍵的因素

在ISSCC 2007的演講活動(dòng)中，聚集了當(dāng)今全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中各領(lǐng)域的菁英，包括TSMC董事長張忠謀、Analog Devices技術(shù)副總裁兼技術(shù)專家Lewis W. Counts、ST董事Joel Hartmann…等等，針對其所擅長的技術(shù)部份，發(fā)表相關(guān)精辟的演講。

TSMC董事長張忠謀認(rèn)為，目前TSMC必須開始對自身進(jìn)行改變，因?yàn)閷τ?5nm制程的CMOS芯片來說，其設(shè)計(jì)成本是90nm制程時(shí)的2倍以上，此外還包括了工廠的建設(shè)成本、研究開發(fā)成本，也不斷的伴隨著制程的微細(xì)化而逐漸上升，所以如過還是停留在過去由客戶設(shè)計(jì)IC、代工廠進(jìn)行生產(chǎn)的簡單模式，相信在未來艱的市場環(huán)境中將難以生存，所以在這之中，能否完成DFM便扮演了相當(dāng)關(guān)鍵的因素，達(dá)到從設(shè)計(jì)規(guī)劃開始、包括實(shí)體的設(shè)計(jì)、制造等各方面，工廠與客戶之間能夠進(jìn)行密切的合作，完成新產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn)。

對于這一點(diǎn)，ST董事Joel Hartmann也相當(dāng)贊同，并且在其演說之中，驗(yàn)證出其重要性，Hartmann認(rèn)為，目前曝光技術(shù)使用的是193nm紫外線，但是為了面對未來更細(xì)微化的制程需求，有些工廠開始導(dǎo)入“浸潤式曝光”的技術(shù)，就表面上看來似乎是暫時(shí)解決了部分問題，但是因曝光引起的錯(cuò)誤，仍然還是增加，這一方面就不得不與客戶共同努力，此外還包括因?yàn)橹瞥痰牡奈⒓?xì)化，導(dǎo)致了布線的電阻增大，嚴(yán)重的延遲傳送速度。這些種種的課題，都是必須透過采用DFM的概念來解決問題。