三星電子在存儲(chǔ)器發(fā)展中的啟示

　　三星半導(dǎo)體業(yè)啟步

　　韓國半導(dǎo)體在1974年才開始啟步,那時(shí)韓國正在推行一種叫”新社會(huì)運(yùn)動(dòng)”。韓國半導(dǎo)體工業(yè)的第一個(gè)fab,叫韓國半導(dǎo)體Puchon廠,建于1974年10月。由于開張就面臨財(cái)務(wù)危機(jī)，同年12月,僅生存三個(gè)月,就被李健熙(LeeKunhe)主席的私人投資兼并,后被并入三星中。

　　自1980年代之后,韓國半導(dǎo)體業(yè)才開始跨越式的進(jìn)步，三星在1983年開始籌備集成電路制造,也即DRAM的研發(fā)。

　　64KDRAM的研發(fā)成功,對(duì)于韓國半導(dǎo)體業(yè)具有里程碑意義,也是邁向全球存儲(chǔ)器強(qiáng)國的第一步。在那時(shí)三星電子的科研工作者,日以繼夜,努力追趕,放棄一切節(jié)假日休息,靠的是一股精神及志氣。

　　在64KDRAM研發(fā)中，韓國非常清楚自已與先進(jìn)國家之間的技術(shù)(1.5微米)差距為4年半，需要一步一步地追趕，在256KDRAM(1.2微米)時(shí)這個(gè)差距己縮短為3年。在1989年10月時(shí)三星已經(jīng)成功開發(fā)出16MDRAM(采用0,25微米技術(shù)),它己領(lǐng)先于全球任何一家制造商。

　　也即三星電子從1983年開發(fā)存儲(chǔ)器,到1989年的16MDRAM研發(fā)成功,僅利用6年的時(shí)間,前進(jìn)了5代DRAM的技術(shù),使三星電子一躍成為全球最先進(jìn)的存儲(chǔ)器制造商。

　　三星電子從1983年開始DRAM的研發(fā)，其中1987年就實(shí)現(xiàn)第一次盈利，一直到1993年16MDRAM的量產(chǎn),奠定了它在全球存儲(chǔ)器霸主的地位。

　　它最為關(guān)鍵的決策是三星在1993年時(shí)就大膽地投資興建8英寸硅片生產(chǎn)線來生產(chǎn)DRAM。在當(dāng)時(shí)全球6英寸硅片是主流地位,如英特爾與臺(tái)積電分別于1992年及1996年才興建它們的第一條8英寸生產(chǎn)線。因?yàn)楫?dāng)時(shí)投資一條8英寸生產(chǎn)線的費(fèi)用高達(dá)10000億韓元(相當(dāng)于10億美元以上)風(fēng)險(xiǎn)是很大。

　　1994年是韓國半導(dǎo)體工業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn),三星首先發(fā)布全球首塊256MDRAM。當(dāng)時(shí)256MDRAM意味著在手指甲大小的芯片上集成2.56億個(gè)晶體管及2.56億個(gè)電容。

　　為了超過日本半導(dǎo)體,三星電子在開發(fā)64MDRAM的同時(shí)就己經(jīng)組建256MDRAM研發(fā)團(tuán)隊(duì)。70位研究人員在HwanChang-Kyu領(lǐng)導(dǎo)下努力奮戰(zhàn),經(jīng)過兩年的努力終于在1994年8月29日研制成功全球第一塊256MDRAM芯片。

　　非常有興趣的是第一批樣品就實(shí)現(xiàn)了全功能，所以檢驗(yàn)及測量的次數(shù)反復(fù)達(dá)10次之多，生怕有誤差。由此奠定了在存儲(chǔ)器方面韓國超過日本的基礎(chǔ)。

　　三星電子成功的原因初探

　　1980年代后韓國政府改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策,轉(zhuǎn)向扶持DRAM,此時(shí)三星半導(dǎo)體開始獲得政府支持。當(dāng)時(shí)韓國政府組織”官民一體”的DRAM共同開發(fā)項(xiàng)目,也是通過政府的投資來發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)。

　　進(jìn)入DRAM市場初期,三星電子首先向當(dāng)時(shí)遇到資金問題的美光(Micron)公司購買64KDRAM技術(shù)，之后自已開始開發(fā)256KDRAM。為了提高技術(shù),這時(shí)三星半導(dǎo)體用高薪聘請(qǐng)?jiān)诿绹雽?dǎo)體公司工作過的韓國人，工資比總裁高4-5倍。

　　另外，三星在美國建立研發(fā)中心，并配置相同的生產(chǎn)設(shè)備，讓這些高薪人員來培訓(xùn)本土的工程師。然后經(jīng)過培訓(xùn)后的工程師再回到本部，日以繼夜地工作，很快三星在DRAM方面超過日本。

　　再有一點(diǎn)非常關(guān)鍵,在1993年全球半導(dǎo)體市場轉(zhuǎn)弱,但是三星采用反周期的投資策略,加大投資DRAM建8英寸生產(chǎn)線。

　　1984年9月三星推出64KDRAM,但是由于DRAM價(jià)格迅速下滑,從1984年初的4美元/片,下降到1985年的30美分/片。而此時(shí)三星的生產(chǎn)成本是1.3美元/片。到1986年底,三星半導(dǎo)體累積虧損3億美元，股權(quán)資本完全虧空。

　　由于DRAM市場不景氣,Intel等美國公司退出存儲(chǔ)器市場,日本公司也縮減投資規(guī)模和生產(chǎn)能力。由于三星的反周期投資，繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能,并開發(fā)更大容量的DRAM。當(dāng)1987年產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)時(shí)，加上美國政府發(fā)起對(duì)于日本半導(dǎo)體業(yè)的反傾銷訴訟案,美國政府和日本企業(yè)達(dá)成自動(dòng)出口限制協(xié)議。由于日本企業(yè)減少向美國出口,導(dǎo)致DRAM價(jià)格回升,三星開始首次實(shí)現(xiàn)盈利。

　　三星是從1983年開始投資半導(dǎo)體，搞存儲(chǔ)器。那時(shí)韓國的半導(dǎo)體遠(yuǎn)沒有目前的先進(jìn),有人認(rèn)為韓國有勞動(dòng)力成本低的優(yōu)勢。實(shí)際上當(dāng)時(shí)在工廠中作操作的人員,大部分是農(nóng)村來的婦女,文化程度并不高，但是素質(zhì)很好,她們的工作十分認(rèn)真與精細(xì)。

　　三星經(jīng)過若干年后能成為全球存儲(chǔ)器業(yè)的領(lǐng)先者,主要是在韓國政府傾國力的支持下加上強(qiáng)有力的領(lǐng)導(dǎo)集體,包括三星的前董事長李健熙等,能獻(xiàn)身于事業(yè)。除此之外，企業(yè)上下有股氣勢,一定要趕超日本的決心和信念,再加上有一批由美國培訓(xùn)回來的第一流工程師，由于它們奮發(fā)圖強(qiáng)的加速發(fā)展半導(dǎo)體工藝,才取得如此輝煌的成績。

　　還有一個(gè)原因，如東芝與其它的日本公司，它們的研發(fā)中心與制造基地分別位于不同的地方,相距甚遠(yuǎn)。而三星電子的研發(fā)中心與制造部分在同一地方，既節(jié)省時(shí)間與成本，又便于研發(fā)與制造之間相互的溝通。

　　.三星電子還具有另外一個(gè)優(yōu)勢是有自己的終端電子產(chǎn)品。不僅有半導(dǎo)體,還有面板,電視等。這樣垂直式的產(chǎn)業(yè)鏈有利于整合。既有利于以最快速度反映市場的需求,也有利于終端產(chǎn)品與芯片各環(huán)節(jié)之間的協(xié)調(diào)。

　　后語

　　三星電子在存儲(chǔ)器方面的成功,有外在因素,如韓國政府的大力支持,以及美國對(duì)于日本半導(dǎo)體的反傾銷策略等,顯然三星電子內(nèi)在因素起著決定性的作用。

　　尤其是三星電子有一股氣勢,一定要成功超過日本,上下齊心合力,人的因素起了關(guān)鍵作用。眾所周知,DRAM的制造決定于成品率與產(chǎn)品成本，所以工藝生產(chǎn)線上每一步操作的成品率起著十分重要作用。再加上它的正確策略，在美國搞研發(fā)中心，采用與韓國制造同樣的設(shè)備，以及用高薪聘請(qǐng)?jiān)诿雷鞔鎯?chǔ)器的韓國工程師，并在美國培訓(xùn)人材后，再回到韓國工作。另外在全球存儲(chǔ)器周期性下降時(shí)，它采用反周期的加大投資，積極擴(kuò)充產(chǎn)能等。

　　內(nèi)在與外在的因素綜合在一起,推動(dòng)了三星電子的存儲(chǔ)器業(yè)成功。同樣分析天時(shí)，地利與人和在中國似乎都具備了條件，好象僅是某些地方差了一點(diǎn)點(diǎn)。因此未來中國在突破艱難的存儲(chǔ)器業(yè)制造中必須十分清醒，僅擁有大市場與足夠的投資還不一定能獲得成功，需要人材的配合，并要有一股氣勢與勇氣，以及技術(shù)上的真正過硬。全球存儲(chǔ)器業(yè)總是周期性的起伏，只有堅(jiān)持到底，不懼怕暫時(shí)的虧損，才有可能成功?，F(xiàn)在的盲點(diǎn)是不知道我們的持續(xù)虧損要多久?能否有決心堅(jiān)持下去，因?yàn)橥ǔＶ挥袊乙庵静庞袌?jiān)持下去的可能性。