3GHz+!三星將基于5nm/7nm打造采用ARM A76架構(gòu)的IP
三星的7nm工藝,選擇直接導(dǎo)入先進(jìn)的EUV(極紫外光刻)技術(shù),由此在進(jìn)度上稍顯吃虧,尤其是落后自己的“宿敵”臺(tái)積電。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201807/382951.htm在6月初ARM宣布新的Cortex A76公版架構(gòu)時(shí),樣片就是由臺(tái)積電的7nm打造,當(dāng)時(shí)頻率最高達(dá)到了3.3GHz,參考值也達(dá)到了3GHz。
這種局面,三星當(dāng)然不會(huì)坐視。
三星電子在韓國(guó)舉辦的鑄造論壇期間宣布,和ARM(安謀)的戰(zhàn)略級(jí)代工合作推進(jìn)到7nm/5nm上。具體來說,由三星7nm LPP和5nm LPE打造的A76芯片可以實(shí)現(xiàn)3GHz以上的頻率。
臺(tái)積電版ARM A76性能效果圖
三星還透露,7LPP將從2018年下半年開始早期生產(chǎn),采用EUV技術(shù)的IP預(yù)計(jì)明年上半年完工。
除了CPU和GPU,三星還拿到了ARM的Artisan physical IP授權(quán),包括全套的內(nèi)存編譯器、1.8V/3.3V通用輸入輸出庫(kù)等等,可加速開發(fā)過程、優(yōu)化開發(fā)結(jié)果。
另外,三星還確認(rèn)其路線圖推進(jìn)到了3nm GAAE(Gate-All-Around Early)工藝。
那么問題了,除了Exynos,三星的7nm A76芯片會(huì)有高通、華為這些客戶嗎?
評(píng)論