LPDDR5內(nèi)存韓美企業(yè)“三雄爭(zhēng)霸”,中國(guó)進(jìn)展如何?
然而,新技術(shù)的誕生往往意味著產(chǎn)能爬坡、良率問題,反饋到市場(chǎng)上即采購(gòu)成本較高??梢哉f(shuō),手機(jī)廠商將無(wú)法回避采購(gòu)價(jià)格和性能提升之間的矛盾。雷軍也曾表示,“LPDDR5唯一缺點(diǎn)就是成本比較貴”。但預(yù)計(jì)過(guò)一段時(shí)間也會(huì)降到合理水平,并下沉至更多中高端5G智能手機(jī)中。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202002/410074.htm中國(guó)公司進(jìn)展如何?
在LPDDR5將成“5G時(shí)代旗艦標(biāo)配”背后,三星、美光、SK海力士不僅走在存儲(chǔ)芯片技術(shù)前沿,擁有大量專利,而且市場(chǎng)占有率總計(jì)接近95%。而國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)積累較薄弱,自給能力不足。賽迪數(shù)據(jù)顯示,2018年中國(guó)大陸進(jìn)口存儲(chǔ)芯片價(jià)值已超1200億美元,同比增38.3%。
DRAMeXchange數(shù)據(jù)截圖
突圍存儲(chǔ)行業(yè)成為國(guó)家戰(zhàn)略議題。2014年6月,國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,開始集中力量發(fā)展存儲(chǔ)芯片等。在布局的三大基地中,武漢新芯于2016年7月被紫光集團(tuán)收購(gòu),后更名為長(zhǎng)江存儲(chǔ)。該公司擁有規(guī)模為240億美元的存儲(chǔ)芯片制造中心,但主要是NAND閃存。
與長(zhǎng)江存儲(chǔ)不同,福建晉華成立初期致力于DRAM存儲(chǔ)芯片開發(fā)。不過(guò),由于相對(duì)缺乏技術(shù)積累,晉華選擇了與臺(tái)灣聯(lián)電合作引進(jìn)技術(shù)的道路。自2016年5月起,晉華提供數(shù)億美元資金采購(gòu)研發(fā)設(shè)備,委托聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。成果雙方共有,整體技術(shù)完成后,再轉(zhuǎn)移到晉華進(jìn)行量產(chǎn)。
在晉華已整體投入達(dá)約56億美元時(shí),原本預(yù)計(jì)于2018年底投入DRAM內(nèi)存的試產(chǎn),這將意味著中國(guó)大陸首個(gè)DRAM內(nèi)存自制成功。但是由于美光公司的訴訟,美國(guó)政府在2018年10月將晉華列入“實(shí)體名單”,并實(shí)行禁運(yùn)。隨后聯(lián)電宣布中止與晉華合作,撤走研發(fā)人員,整個(gè)工程陷入停擺至今。
在國(guó)際新態(tài)勢(shì)下,紫光集團(tuán)于去年6月宣布重啟DRAM計(jì)劃并組建DRAM事業(yè)群,由曾任工信部電子信息司司長(zhǎng)的刁石京出任董事長(zhǎng),“臺(tái)灣DRAM教父”高啟全任DRAM事業(yè)群CEO。不到兩個(gè)月后,紫光集團(tuán)在重慶成立紫光國(guó)芯公司,建設(shè)DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠,計(jì)劃2021年完成。
上圖:高啟全,下圖:坂本幸雄
存儲(chǔ)行業(yè)人才是“瑰寶”。紫光集團(tuán)于2019年11月15日再宣布,前日本爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄出任集團(tuán)高級(jí)副總裁兼日本分公司CEO。他后來(lái)在接受采訪時(shí)曾表示,紫光的目標(biāo)是5年內(nèi)量產(chǎn)DRAM內(nèi)存,且將在日本設(shè)立開發(fā)中心。據(jù)悉,紫光內(nèi)部已計(jì)劃在未來(lái)十年內(nèi)投資8000億元人民幣,以加快DRAM量產(chǎn)。
目前,國(guó)內(nèi)DRAM內(nèi)存的最大希望在于合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。去年9月20日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在世界制造業(yè)大會(huì)上宣布:總投資約1500億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片項(xiàng)目正式投產(chǎn),同時(shí)其10nm級(jí)第一代8Gb DDR4在大會(huì)上首度亮相。這標(biāo)志我國(guó)在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破。
據(jù)悉,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在使用10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片,目標(biāo)是在2020年第一季度上市,并將使用同樣的技術(shù)在2020年下半年制造 LPDDR4X內(nèi)存。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的技術(shù)路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內(nèi)存,但尚未公布具體時(shí)間。
在產(chǎn)能方面,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)12英寸晶圓制造基地項(xiàng)目于2016年由合肥產(chǎn)投和北京兆易創(chuàng)新(341.130, 14.06, 4.30%)合作投資,是中國(guó)大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)的DRAM項(xiàng)目,也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項(xiàng)目。當(dāng)前月產(chǎn)能2萬(wàn)片,該公司計(jì)劃在2020年第二季度將產(chǎn)能提高一倍,約占全球內(nèi)存產(chǎn)能的3%。
為提升產(chǎn)能,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃再建兩座晶圓廠,圖為廠房效果圖
圖源:長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
值得一提,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最初的DRAM技術(shù)重要來(lái)源是德國(guó)的奇夢(mèng)達(dá)。通過(guò)與這家曾位居全球第二的DRAM制造商合作,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中。目前,該公司已拓展更廣泛的研發(fā)合作,且一直在從韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)招募工程師,以建立DRAM相關(guān)人才儲(chǔ)備。
結(jié)語(yǔ)
相比前代產(chǎn)品LPDDR4x,LPDDR5確實(shí)具備更優(yōu)異的性能、速率和功耗表現(xiàn),但還不至于所謂的“跨越性升級(jí)換代”。某種程度上,LPDDR4屬于4G手機(jī)時(shí)代,而LPDDR5似乎為5G手機(jī)而生,并且具備更好的應(yīng)用擴(kuò)展性。在這一具備市場(chǎng)前景的領(lǐng)域,三星、美光和SK海力士已然開始攻城略地,并將與“買單”的智能手機(jī)廠商相互推動(dòng)或拉鋸。
2019年8月27日,重慶市與紫光集團(tuán)簽署項(xiàng)目合作協(xié)議,建設(shè)DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠
鑒于當(dāng)前國(guó)際形勢(shì)和存儲(chǔ)行業(yè)現(xiàn)狀,中國(guó)不僅需要有自主的DRAM制造能力,也需要奮起直追、以先進(jìn)產(chǎn)品破局。盡管行業(yè)存在高投入、高風(fēng)險(xiǎn)、周期長(zhǎng)等特性,但如果政府統(tǒng)籌發(fā)展、整合各方資源,企業(yè)堅(jiān)持長(zhǎng)期、大力投入科研,市場(chǎng)積極推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化戰(zhàn)略等方面有機(jī)化合,或許有理由相信:在14億人的大地上并無(wú)難事,“只要肯登攀”。
評(píng)論