Soitec與Qualcomm Technologies簽署合作協(xié)議，為5G射頻濾波器大規(guī)模生產(chǎn)POI襯底

半導體材料創(chuàng)新、設(shè)計和生產(chǎn)全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導體公司今日宣布與Qualcomm Technologies, Inc.簽署合作協(xié)議,為其供應壓電(POI)襯底以用于4G和5G射頻濾波器。

協(xié)議指出Soitec將確保為Qualcomm Technologies公司新一代射頻濾波器供應POI襯底

Soitec已與Qualcomm Technologies合作多年,本次與其簽訂此協(xié)議,將為Qualcomm Technologies的射頻濾波器大規(guī)模生產(chǎn)POI襯底,以用于智能手機射頻前端模塊。

“憑借我們突破式創(chuàng)新的薄膜式SAW技術(shù),以及Qualcomm^?ultraSAW 射頻濾波器產(chǎn)品,我們將繼續(xù)突破移動技術(shù)的邊界,”Qualcomm高級副總裁兼射頻前端業(yè)務總經(jīng)理Christian Block表示,“與Soitec的協(xié)議對于確保高性能POI襯底的供應,以及滿足OEM客戶對高性能Qualcomm^? ultraSAW射頻濾波器產(chǎn)品的需求至關(guān)重要。通過Soitec基于Smart CutTM技術(shù)的POI襯底,與Qualcomm Technologies濾波器的設(shè)計和系統(tǒng)相結(jié)合,可以保證帶有多濾波器功能的多工器芯片的高良率。”

Soitec的POI襯底在射頻濾波器上具有獨特價值

POI是通過Soitec專利技術(shù) 150 mm Smart CutTM打造的創(chuàng)新型優(yōu)化襯底。POI以高阻硅作為基底、上覆氧化埋層,并以一層極薄且均勻的單晶壓電層覆蓋頂部。Soitec的POI襯底用于構(gòu)建最新一代的4G/5G表面聲波(SAW)濾波器,具有內(nèi)置溫度補償?shù)男阅堋?/p>

“這項協(xié)議是Soitec和Qualcomm Technologies公司合作的結(jié)果。Soitec的POI襯底現(xiàn)在是Qualcomm Technologies為移動設(shè)備提供的5G產(chǎn)品的重要組成部分,我們對此感到非常高興?！盨oitec全球業(yè)務部門高級執(zhí)行副總裁Bernard Aspar博士說,“Soitec長期服務射頻市場,有著豐富的經(jīng)驗,尤其是RF- SOI有著極高的出貨量?；谖覀儚姶蟮腟mart CutTM技術(shù),我們有信心能夠大批量生產(chǎn)POI襯底,使其成為5G射頻濾波器的標準材料?！?/p>