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聚焦進(jìn)博會(huì),走近福迪威:泰克在新基建下的多元化和生態(tài)共贏

作者: 時(shí)間:2020-11-11 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

萬(wàn)眾矚目的第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)即將于2020年11月5日至10日在上海國(guó)家會(huì)展中心(上海)舉行,作為疫情防控常態(tài)化之下的重大國(guó)際經(jīng)貿(mào)活動(dòng),支持貿(mào)易自由化和經(jīng)濟(jì)全球化,分享國(guó)內(nèi)國(guó)際“雙循環(huán)”新發(fā)展格局帶來(lái)的機(jī)遇。多元化工業(yè)領(lǐng)域的知名集團(tuán)公司福迪威將率旗下眾品牌參加這一盛會(huì),技術(shù)裝備展區(qū)  3B2-005,我們列隊(duì)恭候您的到來(lái)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202011/420185.htm

“新科技‘福’人類;新變革‘迪’未來(lái);新基建‘威’明天”為愿景, 福迪威攜旗下運(yùn)營(yíng)公司泰克科技、福祿克、ASP、Qualitrol、Sensing Technologies、Industrial Scientific將首次集體亮相進(jìn)博會(huì),全方位展示現(xiàn)場(chǎng)解決方案、產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)、傳感和健康領(lǐng)域的前沿技術(shù)和創(chuàng)新解決方案。福迪威展臺(tái)將特別聚焦智慧經(jīng)濟(jì)時(shí)代“新基建”, 探討數(shù)字化轉(zhuǎn)型與智能升級(jí)背景下的技術(shù)迭代以及商業(yè)實(shí)踐的創(chuàng)新應(yīng)用。

福迪威作為一家集團(tuán)公司比較新,但福迪威旗下公司擁有悠久的創(chuàng)新歷史,成為各自行業(yè)中的翹楚。1946年起家的泰克科技是測(cè)試、測(cè)量、監(jiān)測(cè)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,1972年,尼克松訪華,捐贈(zèng)了一個(gè)帶有Tektronix設(shè)備的衛(wèi)星地面站,標(biāo)志著中國(guó)與泰克重大合作的開(kāi)端,2020年,承應(yīng)此次機(jī)遇,泰克將聚焦“新基建”三大領(lǐng)域,攜新一代產(chǎn)品及方案亮相,與產(chǎn)業(yè)伙伴攜手共同推進(jìn)新基建下的多元化和生態(tài)共贏。70多年來(lái),泰克從未改變的是它對(duì)創(chuàng)新的探索、給客戶的價(jià)值和對(duì)未來(lái)的籌謀。

重新定義數(shù)據(jù)中心

5G光通信。隨著云計(jì)算在全球快速發(fā)展,對(duì)高性能數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施的需求越來(lái)越大。 為了滿足此持續(xù)增加的需求,開(kāi)發(fā)人員將過(guò)渡到 400G 技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)更小型、更快速且每位成本更低的解決方案。

高速串行。與 DDR3/4 相比,DDR5 在帶寬、密度和通道效率方面均有所提升。但是,更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更快的信號(hào)速度對(duì)合規(guī)性、調(diào)試和驗(yàn)證提出了更高的性能測(cè)量要求。TekExpress DDR5 發(fā)射機(jī)解決方案可以滿足最新的 JEDEC 存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)要求,從而可讓您將更多的時(shí)間用于存儲(chǔ)設(shè)計(jì)驗(yàn)證,而花較少的時(shí)間來(lái)收集數(shù)據(jù)。DDR5 自動(dòng)測(cè)試軟件選項(xiàng)適用于MSO/DPO70000DX/SX 系列示波器。

物聯(lián)網(wǎng)。物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)正飛速發(fā)展并不斷成熟,目前其主體結(jié)構(gòu)由電池,功率管理芯片,傳感器,無(wú)線通訊四大部分組成,工程師在每個(gè)部分設(shè)計(jì)都面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),如電池壽命

優(yōu)化,功率管理芯片準(zhǔn)確評(píng)價(jià),傳感器的功耗的標(biāo)定,及從射頻器件到發(fā)射及接收性能測(cè)試。泰克公司提供針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)從設(shè)計(jì),部署,調(diào)測(cè)的全面解決方案。

第三代半導(dǎo)體及基礎(chǔ)研究

半導(dǎo)體材料的發(fā)展經(jīng)過(guò)以硅Si、鍺Ge為主的第一代和以砷化鎵GaAs、磷化銦InP為代表的第二代,現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到以氮化鎵GaN、碳化硅SiC為熱點(diǎn)的第三代。第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn),滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡略條件的新要求。

泰克半導(dǎo)體材料測(cè)試平臺(tái)主要提供材料電學(xué)特性的測(cè)試方案。電學(xué)特性是許多材料研究的重點(diǎn),常見(jiàn)的測(cè)試參數(shù):包括電阻率,方阻,載流子濃度,載流子遷移率等。常用的測(cè)試方法是四探針?lè)?,范德瓦爾堡法,霍爾效?yīng)。

新能源成主流

新能源汽車是未來(lái)汽車發(fā)展的趨勢(shì),能源的轉(zhuǎn)換需求推動(dòng)了功率器件的汽車級(jí)應(yīng)用,特別是SiC的技術(shù)應(yīng)用,使MOSFET和IGBT器件有了革命性的技術(shù)飛躍。泰克科技為電動(dòng)汽車及其充電樁提供傳統(tǒng)IGBT,MOSFET及最新SiC等功率器件的靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)量系統(tǒng),幫助您最小化損耗從而設(shè)計(jì)出體積更小,更高效,更安全的產(chǎn)品。

進(jìn)博會(huì)期間,福迪威將開(kāi)通現(xiàn)場(chǎng)直播,屆時(shí)將為您展示智慧數(shù)字新基建、智慧醫(yī)療感染控制、智慧氣體風(fēng)險(xiǎn)管理、智能傳感控制技術(shù)、助力智慧出行和智能電網(wǎng)監(jiān)控六大關(guān)鍵解決方案, 更有行業(yè)大咖進(jìn)行深度解讀。期待進(jìn)博會(huì)與您線上見(jiàn)!



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