燦芯半導體推出基于中芯國際14nm FinFET工藝的ONFI 4.2 IO和物理層IP

定制芯片設計、生產及IP授權的高新技術企業(yè)——燦芯半導體日前宣布推出基于中芯國際14nm FinFET工藝的ONFI 4.2 IO及物理層IP，該IO支持SDR/NV-DDR/NV-DDR2 1.8V, NV-DDR3 1.2V, 該物理層IP采用全數(shù)字設計，具有低功耗、面積小等特點。

此次推出的ONFI物理層IP可應用于開放式NAND閃存界面，兼容ONFI 4.2/4.1/4.0/3.2等標準，目前該IO及物理層IP已經在中芯國際40nm及14nm FinFET工藝上通過硅驗證。

ONFI 4.2物理層IP具有如下特點：

●   基于中芯國際14nm FinFET、 40LL工藝，并通過流片驗證測試

●   支持14nm FinFET NV_DDR3 1.2V Max 1600Mbps; NV_DDR21.8V Max 800Mbps

●   支持40LL Max 800Mbps

●   支持芯片內終端匹配電阻(On-Die Termination; ODT)及支持阻抗校準

●   遵循國際開放式NAND閃存界面規(guī)范, 支持ONFI4.2/ 4.1/4.0/3.2等標準

●   支持DQS Gate、Write、Read訓練

●   采用全數(shù)字延遲單元(DLL)

●   采用APB寄存器接口

“基于10多年定制芯片設計和IP研發(fā)的成功經驗，燦芯半導體緊跟中芯國際先進工藝，持續(xù)為客戶創(chuàng)造價值，” 燦芯半導體工程副總裁劉亞東表示，“基于中芯國際14nm FinFET工藝的ONFI IP已通過流片驗證，將助力客戶在中芯國際14nm先進工藝上快速實現(xiàn)量產?！?/p>