存儲進(jìn)入筑底階段?
隨著三大內(nèi)存芯片廠商紛紛加入減產(chǎn),預(yù)計內(nèi)存供需狀況將從 23 年第三季度開始好轉(zhuǎn),擺脫供應(yīng)過剩局面。到 2023 年,DRAM 供應(yīng)量的年增長率應(yīng)該僅為 5%。在產(chǎn)出基礎(chǔ)上(不包括庫存),供應(yīng)增長將歷史上首次同比下降。芯片需求將主要由個人電腦和智能手機引領(lǐng)。至于 PC,在經(jīng)歷了兩年的需求放緩之后,需求將以高性能計算機 (HPC) 為中心有所改善。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202305/446909.htmIT 需求改進(jìn)應(yīng)因應(yīng)用程序和參與者而異。預(yù)計 AI 和 HPC 處理器、能夠生產(chǎn)它們的領(lǐng)先代工廠以及高端智能手機的需求量很大。與此同時,缺乏技術(shù)實力和品牌影響力的二線企業(yè)將在需求疲軟的情況下繼續(xù)掙扎。為了應(yīng)對不斷增長的聊天 GPT 需求,微軟、谷歌、百度和阿里巴巴最近向臺積電追加了數(shù)萬顆 Nvidia H100 和 A800 處理器的訂單。到 2023 年,iPhone 15 的出貨量預(yù)計將達(dá)到 9000 萬部左右,高于 iPhone 14 的水平。
SEC 和 SK 海力士將從 2023 年第三季度開始的內(nèi)存芯片需求改善中受益。除了內(nèi)存價格上漲,預(yù)計 SEC 和 SK 海力士的盈利將大幅改善。同樣積極的是對高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的新需求的產(chǎn)生。
美光科技審查事件結(jié)果出爐,不僅再次推升了市場對于國產(chǎn)存儲芯片替代進(jìn)程的關(guān)注,也使得本輪半導(dǎo)體周期拐點討論越來越熱。
受消費低迷影響,存儲芯片仍處于筑底階段。根據(jù) TrendForce 預(yù)計,由于 DRAM 和 NAND Flash 下游需求不及預(yù)期,部分產(chǎn)品 2023 二季度價格跌幅有擴大趨勢。
顯然,消費電子下游需求景氣度拐點仍沒有到來,這或許解釋了 A 股芯片板塊「一日游行情」的原因。
5 月 22 日,存儲芯片板塊高開低走,深科技、佰維存儲等個股悉數(shù)轉(zhuǎn)跌,整個芯片板塊回撤明顯。而上一交易日 (5 月 19 日) 存儲芯片板塊掀起漲停潮,芯片股再度「一日游」。
存儲芯片周期進(jìn)入「筑底」階段
2022 年全球消費電子需求明顯下降,原廠、渠道和終端庫存高企,導(dǎo)致存儲芯片價格一跌再跌。
在今年一季度全球 PC 出貨量下跌 33% 的背景下,存儲芯片價格一跌再跌,全行業(yè)庫存接近歷史高點,各廠商存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)進(jìn)一步大幅增加,整體仍處于主動去庫存狀態(tài)。
4 月份,DRAM(4GB) 現(xiàn)貨平均價環(huán)比下行 3.46%,NAND(64GB) 現(xiàn)貨平均價環(huán)比上行 0.39%,出現(xiàn)止跌信號。上周末,市場傳聞稱長江存儲傳出將調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品價格后,漲幅約為 3%~5%,有消息稱韓國三星電子、SK 海力士也將跟進(jìn)漲價,且不再接受存儲芯片更低詢價。
多個被視為存儲芯片長期跌價終止的信號出現(xiàn)后,市場分析稱,存儲芯片進(jìn)入筑底階段,靜待庫存水位及庫存結(jié)構(gòu)改變。
國盛證券研報指出,根據(jù) TrendForce 表示,DRAM 價格的跌幅主要原因系 DDR4 和 LPDDR5 庫存過高,NAND Flash 價格下跌原因在于市場目前供過于求的格局仍未明顯改善。我們認(rèn)為,2023 上半年存儲價格持續(xù)下行,目前已經(jīng)接近底部,后續(xù)且待價格企穩(wěn)回升。
北京君正在 5 月初的投資者調(diào)研中表示,目前看消費行業(yè)庫存去化已取得非常顯著的成果,能經(jīng)??吹郊眴蔚某霈F(xiàn),這表明客戶需求已經(jīng)在出現(xiàn)。工業(yè)領(lǐng)域的供求關(guān)系反轉(zhuǎn)比消費領(lǐng)域會晚一些,其庫存去化還需要一些時間。總體來看,第二季度從量的維度上可能環(huán)比一季度不會有太大的變化。
談及國產(chǎn)化加速下存儲行業(yè)的投資機遇,某半導(dǎo)體行業(yè)人士對記者說:「國內(nèi)廠商短時間內(nèi)無法『吃掉』美光的所有市場份額,產(chǎn)能爬坡和產(chǎn)品導(dǎo)入都需要時間?!?/p>
半導(dǎo)體周期拐點隱現(xiàn)?
全球半導(dǎo)體存儲市場中,DRAM 和 NAND Flash 是主要的兩種存儲芯片,兩者占據(jù)主導(dǎo)地位。據(jù) WSTS 預(yù)測,2023 年全球存儲芯片市場規(guī) 模將達(dá)到 1675 億美元,其中中國存儲器市場空間巨大,預(yù)計 2023 年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到 6492 億元 (約 942 億美元),約占全球市場的 55.8%。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,由于存儲芯片是市場需求中最基礎(chǔ)的重要品類,呈現(xiàn)出較強的周期性,行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大,也被視為周期的風(fēng)向標(biāo)。
伴隨存儲芯片價格筑底,關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點將臨近的討論越來越熱。今年 3 月,全球和中國半導(dǎo)體銷售額自去年 6 月以來首次實現(xiàn)環(huán)比增長,意味著行業(yè)衰退期已經(jīng)過半。
「一旦渠道環(huán)節(jié)完成庫存消化、終端需求崛起,周期便從底部崛起。目前來看,底部反轉(zhuǎn)的多項條件已經(jīng)具備,比如美元加息預(yù)期減弱。半導(dǎo)體是全球性產(chǎn)業(yè),對宏觀經(jīng)濟(jì)波動影響敏感,周期的拐點也與美元利率掛鉤。」半導(dǎo)體人士補充說:「三季度是半導(dǎo)體需求旺季,也成為今年半導(dǎo)體板塊業(yè)績的『勝負(fù)手』。不同產(chǎn)品的渠道庫存去化進(jìn)展不同,總體上,我們預(yù)計三季度的下游需求可能會有明顯改善?!?/p>
2022 年是全球半導(dǎo)體行情的「至暗時刻」,中華半導(dǎo)體芯片指數(shù)全年重挫逾 30%,同期美股的費成半導(dǎo)體指數(shù)亦是如此。一季報數(shù)據(jù)來看,A 股半導(dǎo)體整體業(yè)績表現(xiàn)不佳,各環(huán)節(jié)平均業(yè)績較上年同期均有一定下滑,僅半導(dǎo)體設(shè)備板塊的業(yè)績實現(xiàn)了一定增長。
估值角度來看,4 月份,申萬半導(dǎo)體指數(shù)下跌 6.03%,跑輸滬深 300 指數(shù) 5.49 個百分點。半導(dǎo)體子行業(yè)方面,除半導(dǎo)體設(shè)備上漲 18.74% 外,其余均下跌,其中模擬芯片設(shè)計、集成電路封測、分立器件跌幅較大,分別下跌 16.34%、14.01%、11.4%。
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