美光低功耗內(nèi)存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺提升混合現(xiàn)實(shí)(MR)與虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)體驗(yàn)

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用閃存 UFS 3.1 嵌入式解決方案現(xiàn)已通過高通 (Qualcomm Technologies, Inc.) 最新的擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR) 平臺——第二代驍龍? XR2 驗(yàn)證。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優(yōu)性能和更低功耗，可靈活支持混合現(xiàn)實(shí) (MR) 和虛擬現(xiàn)實(shí) (VR) 設(shè)備。LPDDR5X 是目前美光最先進(jìn)的低功耗內(nèi)存，通過創(chuàng)新的 1α 制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)和 JEDEC 能效優(yōu)化實(shí)現(xiàn)更低功耗。

全球增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）和虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）市場規(guī)模從 2021 年起，以 24% 的復(fù)合年均增長率增長，預(yù)計(jì)在 2030 年前 有望達(dá)到 2,000 億美元。美光嵌入式產(chǎn)品可為擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)應(yīng)用提供強(qiáng)大的即用解決方案，加速消費(fèi)者普及，并不斷拓展市場潛力。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 能夠在多個(gè)應(yīng)用和傳感器間實(shí)現(xiàn)并行處理，通過無縫集成元宇宙中不斷變化的形態(tài)、位置和感知，為 VR 用戶打造真實(shí)的沉浸式體驗(yàn)。

美光 LPDDR5X 可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 8.533 Gbps 的峰值速率，同時(shí)向后兼容 6.4 Gbps 速率的 LPDDR5，在降低功耗的同時(shí)，為設(shè)備制造商提供了平臺集成的靈活性。

美光副總裁暨嵌入式市場總經(jīng)理 Chris Jacobs 表示：“元宇宙蘊(yùn)藏著巨大潛力，將徹底改變我們的工作和娛樂方式。要將這種創(chuàng)新變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，我們需要高性能、低功耗的硬件，以滿足混合現(xiàn)實(shí)體驗(yàn)對超快速度的要求。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 解決方案是下一代 XR 設(shè)備的理想之選，為開啟豐富的虛擬世界體驗(yàn)提供所需的性能和功耗?！?nbsp; 

今年9 月 27 日最新發(fā)布的第二代驍龍 XR2 處理器通過與 Meta 密切合作開發(fā)，已在 Meta 最新推出的頭顯 Meta Quest 3 上首次投入商用。第二代驍龍 XR2 平臺提供單芯片架構(gòu)，可在更輕薄、更舒適且無需外置電池組的頭顯中實(shí)現(xiàn)全新的沉浸式 MR 和 VR 體驗(yàn)。Meta Quest 3 空間計(jì)算平臺能提供無延遲的體驗(yàn)，帶來令人驚嘆的視覺效果和身臨其境的音效，使用戶感受到虛擬內(nèi)容與現(xiàn)實(shí)世界的融合，并實(shí)現(xiàn) MR 和 VR 體驗(yàn)之間的無縫轉(zhuǎn)換。

與上一代產(chǎn)品相比，LPDDR5X 的功耗降低了 24%，通過延長電池續(xù)航時(shí)間，實(shí)現(xiàn)了更出色的用戶體驗(yàn)，是 MR 和 VR 頭顯設(shè)備的理想之選。美光 LPDDR5X 可實(shí)現(xiàn) 8.533 Gbps 的峰值數(shù)據(jù)傳輸速率，使元宇宙應(yīng)用的數(shù)據(jù)訪問速度提高了 33%，從而縮短了響應(yīng)時(shí)間。美光基于 1α 制程節(jié)點(diǎn)的 LPDDR5X 內(nèi)存，可為擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)設(shè)備提供更出色的容量密度、性能和能效。

美光 UFS 3.1 客戶端存儲是全球首款采用美光 176 層 NAND 技術(shù)的 UFS，擁有緊湊的外形尺寸和高存儲密度，為 MR 和 VR 頭顯等小型設(shè)備提供更高的設(shè)計(jì)靈活性。

美光 128GB UFS 3.1 和 8GB LPDDR5X 現(xiàn)已通過高通驍龍平臺驗(yàn)證，并由美光銷售渠道、經(jīng)銷商及合作伙伴向 MR 生態(tài)系統(tǒng)供貨。